固态储存装置及其读取重试方法制造方法及图纸

技术编号:23343000 阅读:103 留言:0更新日期:2020-02-15 03:46
本发明专利技术为一种固态储存装置,包括:一控制电路与一非挥发性记忆体。控制电路中包括一重试表,该重试表中记录多笔重试电压组,且该重试表更包括多个子重试表。该些重试电压组被区分为多个群组,并且对应地记录于多个子重试表。于一读取周期的一读取重试流程时,该控制电路由该些子重试表中选择其中之一个子重试表来进行一硬解码,且于该子重试表中部分或全部的重试电压组均使硬解码失败时,该控制电路由该些子重试表中选择其中之另一个子重试表来进行一软解码。

Solid state storage device and its read retry method

【技术实现步骤摘要】
固态储存装置及其读取重试方法
本专利技术是有关于一种固态储存装置及其相关控制方法,且特别是有关于一种固态储存装置及其读取重试方法。
技术介绍
众所周知,固态储存装置(SolidStateStorageDevice,简称SSD)已经非常广泛的应用于各种电子产品,例如SD卡、固态硬盘等等。一般来说,固态储存装置中包括一非挥发性记忆体(non-volatilememory)。当数据写入非挥发性记忆体后,一旦固态储存装置的电源被关闭,数据仍可保存在非挥发性记忆体中。请参照图1,其所绘示为现有固态储存装置示意图。固态储存装置10包括:控制电路101以及非挥发性记忆体107。控制电路101中更包括一错误校正码电路(简称ECC电路)104与一重试表(retrytable)105。其中,重试表105可储存于或暂存于控制电路101内的一记忆体中,重试表105中记录多笔重试电压组(retryvoltageset)。再者,非挥发性记忆体107中更包含记忆胞阵列(memorycellarray)109。记忆胞阵列109由多个记忆胞(me本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固态储存装置,其特征在于,包括:/n一控制电路包括一重试表,该重试表中记录多笔重试电压组,且该重试表更包括多个子重试表;其中该些重试电压组被区分为多个群组,并且对应地被记录于多个子重试表中;以及/n一非挥发性记忆体,连接至该控制电路;/n其中,于一读取周期的一读取重试流程时,该控制电路由该些子重试表中选择其中之一个子重试表来进行一硬解码,且于该硬解码失败时,该控制电路由该些子重试表中选择其中之另一个子重试表来进行一软解码。/n

【技术特征摘要】
1.一种固态储存装置,其特征在于,包括:
一控制电路包括一重试表,该重试表中记录多笔重试电压组,且该重试表更包括多个子重试表;其中该些重试电压组被区分为多个群组,并且对应地被记录于多个子重试表中;以及
一非挥发性记忆体,连接至该控制电路;
其中,于一读取周期的一读取重试流程时,该控制电路由该些子重试表中选择其中之一个子重试表来进行一硬解码,且于该硬解码失败时,该控制电路由该些子重试表中选择其中之另一个子重试表来进行一软解码。


2.如权利要求1所述的固态储存装置,其特征在于,根据该硬解码以及该软解码,该些重试电压组被区分为一第一群组记录于一第一子重试表以及一第二群组记录于一第二子重试表;该控制电路根据该第一子重试表来进行该硬解码,且该控制电路根据该第二子重试表来进行该软解码。


3.如权利要求1所述的固态储存装置,其特征在于,根据多个失败模式、该硬解码与该软解码,该些重试电压组被区分为该些群组,并且对应地被记录于该些子重试表中。


4.如权利要求1所述的固态储存装置,其特征在于,根据一解码成功率、该硬解码以及该软解码,该些重试电压组被区分为运用于该硬解码的一第一群组记录于一第一子重试表、一第二群组记录于一第二子重试表、一第三群组记录于一第三子重试表与一第四群组记录于一第四子重试表;该控制电路根据该第一子重试表或者该第二子重试表来进行该硬解码,且该控制电路根据该第三子重试表或者该第四子重试表来进行该软解码。


5.一种如权利要求1所述的固态储存装置的记忆胞阵列的读取重试方法,其特征在于,包括下列步骤:
于该读取重试流程时,由该重试表中选择一第一子重试表进行该硬解码;以及
于该硬解码失败时,由该重试表中选择一第二子重试表进行该软解码。


6.一种如权利要求1所述的固...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾士家傅仁傑吕祖汉颜孝昌
申请(专利权)人:建兴储存科技广州有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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