一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路制造技术

本发明专利技术公开了一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路，包括：依次连接的偏置电流模块、阈值电压差产生模块、以及输出电压调节模块；其中：所述偏置电流模块通过NMOS管实现，NMOS管的阈值电压低于设定值，且NMOS管工作在亚阈值区；所述阈值电压差产生模块，采用了NMOS管阈值电压差来产生基准电压；所述输出电压调节模块，通过宽长比调节电路降低输出的基准电压。其具有超低功耗、面积小和输出基准电压可调的优点。

An ultra-low power voltage reference circuit with adjustable output voltage

【技术实现步骤摘要】
一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路。
技术介绍
电压基准电路是所有电子系统中必不可少的一部分，在物联网和大多数无线通讯领域中，由于都是电池供电或者自供能，系统对于功耗的要求非常高，开发出超低功耗的模块已经迫在眉睫。传统基准源电路使用双极性晶体管来提供基准电压，存在面积大、功耗高的缺点。近年来，为了降低功耗，多采用工作在亚阈值区的场效应管来替代双极性晶体管。而场效应管的阈值电压随工艺的影响较大，直接应用到电路中会导致基准电压不准，所以还需要根据实际需求对输出的基准电压进行调节。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路，具有超低功耗、面积小和输出基准电压可调的优点。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路，包括：依次连接的偏置电流模块、阈值电压差产生模块、以及输出电压调节模块；其中：所述偏置电流模块通过NMOS管实现，NMOS管的阈本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路，其特征在于，包括：依次连接的偏置电流模块、阈值电压差产生模块、以及输出电压调节模块；其中：/n所述偏置电流模块通过NMOS管实现，NMOS管的阈值电压低于设定值，且NMOS管工作在亚阈值区；/n所述阈值电压差产生模块，采用了NMOS管阈值电压差来产生基准电压；/n所述输出电压调节模块，通过可调宽长比电路实现了对基准电压的调节。/n

【技术特征摘要】
1.一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路，其特征在于，包括：依次连接的偏置电流模块、阈值电压差产生模块、以及输出电压调节模块；其中：
所述偏置电流模块通过NMOS管实现，NMOS管的阈值电压低于设定值，且NMOS管工作在亚阈值区；
所述阈值电压差产生模块，采用了NMOS管阈值电压差来产生基准电压；
所述输出电压调节模块，通过可调宽长比电路实现了对基准电压的调节。


2.根据权利要求1所述的一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路，其特征在于，所述偏置电流模块通过第一NMOS管NM1实现，第一NMOS管NM1的栅极接地，漏极接VDD，衬底接地，源极接阈值电压差产生模块。


3.根据权利要求1所述的一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路，其特征在于，所述阈值电压差产生模块包括：第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、以及第四NMOS管MN4；其中：
第二NMOS管MN2的栅极和第三NMOS管MN3以及第四NMOS管MN4的栅极连一起，然后连到第二NMOS管MN2的漏极；
第二NMOS管MN2的源极和第三NMOS管MN3以及第四NMOS管MN4的漏极接到一起，构成基准电压Vref输出端；
第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、以及第四NMOS管MN4的衬底接地。


4.根据权利要求3所述的一种输出电压可调的超低功耗电压基准源电路，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜凯旋，彭春雨，卢文娟，吴秀龙，蔺智挺，黎轩，高珊，陈军宁，
申请(专利权)人：安徽大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34