一种单模光纤及其制备方法技术

一种单模光纤及其制备方法，裸光纤包括芯层和包层，芯层包括第一芯层、第二芯层、内包层，第一芯层相对折射率差值为0.2％≤Δ

A single mode fiber and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种单模光纤及其制备方法
本专利技术涉及一种单模光纤及其制备方法。
技术介绍
众所周知，随着光纤通信技术的快速发展，现有的常规G.652光纤已无法满足400G甚至1T等高速光通信干线传输，长途骨干网建设不断向超长距离、超高速率和超大容量方向发展。作为光纤信号传输的主要指标和症候所在，降低光纤损耗和增大有效面积被业界普遍认为是提高光纤传输容量和增加传输距离的关键因素。目前，业内用于制备低损耗、大有效面积光纤时，大多采用VAD法、PCVD法制作芯棒，而VAD法制作的光纤折射率较难控制，PCVD法由于受衬管尺寸的影响无法提高单根产能。而在调研中发现，通过外部气相沉积法(OVD)制作掺氟芯棒鲜有报道。针对通信光纤的衰减，除SiO2的本征吸收外，掺杂GeO2的吸收和散射是通信光纤衰减的最主要来源，减少芯层GeO2含量是降低光纤衰减的有效手段和主要方向，于此同时，通过合理配比光纤芯层和包层的粘度、降低光纤内应力、较少界面缺陷、降低瑞利散射等因素，来降低光纤衰减。中国专利ZL201310409732公开了一种利用纯硅芯方案制备低损耗光纤的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单模光纤，其特征在于：包括/n第一芯层(1)，截面为圆形，材料为石英基的掺锗材料，半径为R

【技术特征摘要】
1.一种单模光纤，其特征在于：包括
第一芯层(1)，截面为圆形，材料为石英基的掺锗材料，半径为R1，折射率为n1，相对于纯石英折射率差值为Δ1＝0.20％～0.35％；
所述第一芯层(1)外侧为第二芯层(2)，材料为石英基的掺磷材料，截面为环形，半径为R2，折射率为n2，相对于纯石英折射率差值Δ2＝0.15％～0.25％；
所述第二芯层(2)外侧为内包层(3)，材料为石英基的掺氟材料，截面为环形，半径为R3，折射率为n3，相对于纯石英折射率差值Δ3＝-0.12％～0；
所述第一芯层(1)、第二芯层(2)和内包层(3)共同构成光纤的芯棒，其中，第二芯层(2)与内包层(3)在1900℃～2060℃范围的粘度比值为1～1.3；
所述内包层(3)外侧为凹陷包层(4)，材料为石英基的掺氟材料，截面为环形，半径为R4，折射率为n4，相对于纯石英折射率差值Δ4＝-0.40％～-0.28％；
所述凹陷包层(4)外侧为外包层(5)，材料为纯石英材料，半径为R5，折射率为n5，相对于纯石英折射率差值Δ5＝0～0.02％。


2.根据权利要求1所述的单模光纤，其特征在于：所述第二芯层(2)与内包层(3)在1900℃～2060℃范围的粘度比值为1.1～1.15。


3.根据权利要求1所述的单模光纤，其特征在于：所述第一芯层半径R1为3.5μm～5.5μm，第二芯层半径R2为5.0～7μm，内包层半径R3为24μm～36μm，所述芯棒的包芯比为4.5～6，所述凹陷包层半径R4为40μm～50μm，外包层半径R5为60μm～62.5μm。


4.根据权利要求1所述的单模光纤，其特征在于：所述第一芯层(1)中掺杂的锗占所述芯棒总质量的3％～10％；所述第二芯层(2)中掺杂的磷占所述芯棒总质量的1～3％，所述内包层(3)中氟的掺杂浓度不高于1200ppm。


5.根据权利要求1所述的单模光纤，其特征在于：光纤的折射率剖面上，所述第一芯层的折射率为平顶分布或尖顶分布。


6.根据权利要求1所述的单模光纤，其特征在于：在所述外包层(5)外侧还涂覆有内涂层和外涂层，内涂层模量低于0.5Mpa，外涂层模量高于1000Mpa。


7.一种单模光纤的制备方法，其特征在于：包括如下步骤
1)在OVD沉积车床上在水平横向设置的靶棒正下方设置垂直喷灯，在靶棒轴向两侧分别设置倾...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋海瑞，冯术娟，孙周，徐亮，侯树虎，缪振华，卞新海，韩婷婷，
申请(专利权)人：法尔胜泓昇集团有限公司，江苏法尔胜光通信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32