【技术实现步骤摘要】
一种碲锌镉晶体表面磨抛装置
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种碲锌镉晶体表面磨抛装置。
技术介绍
CZT(碲锌镉)晶体在生长过程中，直接使用石英安瓿作为坩埚进行生长，内部的CdO与石英表面反应，生成CdSiO3，导致晶体与石英表面产生粘连，机械应力变大，位错增殖。在晶体生长后期降温阶段，会直接导致石英安瓿碎裂。常用解决方法在石英安瓿内壁镀一层碳膜来解决此问题。碳膜镀层能够阻止反应的进行，防止粘连，减小接触应力，减小位错，同时能够阻断杂质元素向晶体或熔体内的扩散。但随着凝固过程进行，碳膜会直接附着在晶锭表面，在晶锭取出后，表面呈现光亮状态，无法对晶锭成晶状态行直接观察，需对碳膜进行去除；另外在生长过程中，气象输运生长过程也存在，导致晶锭部分位置呈现粗糙表面，也需要进行打磨去除。碲锌镉晶体生长用石英坩埚外形比较特殊，表面加工比较困难，另外碲锌镉是典型的软脆材料加工过程容易产生碎裂，一般采用手动研磨(抛光)，效率低。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是软脆碲锌镉晶锭表面磨抛过程中手动研磨效率低下...
【技术保护点】
1.一种碲锌镉晶体表面磨抛装置，其特征在于，包括机架、垂直及水平传动机构、晶体夹持与旋转机构和砂带旋转加工机构，所述垂直及水平传动机构和所述晶体夹持与旋转机构固定于所述机架上，所述砂带旋转加工机构通过支撑架固定于所述垂直及水平传动机构上，其中：/n所述晶体夹持与旋转机构，用于夹持待加工晶体，并在第一电机的控制下带动所述待加工晶体按照设定的速度旋转；/n所述垂直及水平传动机构，用于控制所述砂带旋转加工机构在水平方面和垂直方向的移动；/n所述砂带旋转加工机构，用于在所述垂直及水平传动机构控制下靠近所述待加工晶体，并在第二电机的控制下旋转，对所述待加工晶体表面进行磨抛。/n
【技术特征摘要】
1.一种碲锌镉晶体表面磨抛装置，其特征在于，包括机架、垂直及水平传动机构、晶体夹持与旋转机构和砂带旋转加工机构，所述垂直及水平传动机构和所述晶体夹持与旋转机构固定于所述机架上，所述砂带旋转加工机构通过支撑架固定于所述垂直及水平传动机构上，其中：
所述晶体夹持与旋转机构，用于夹持待加工晶体，并在第一电机的控制下带动所述待加工晶体按照设定的速度旋转；
所述垂直及水平传动机构，用于控制所述砂带旋转加工机构在水平方面和垂直方向的移动；
所述砂带旋转加工机构，用于在所述垂直及水平传动机构控制下靠近所述待加工晶体，并在第二电机的控制下旋转，对所述待加工晶体表面进行磨抛。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述晶体夹持与旋转机构包括三爪卡盘和夹持套，所述待加工晶体放入所述夹持套中，所述夹持套中下端固定于所述三爪卡盘上，所述三爪卡盘固定于所述机架上。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述夹持套内表面形状与所述待加工晶体外表面形状相同，所述夹持套两端分别在若干个预设角度方向沿平行轴线方向开槽。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述砂带旋转加工机构包括砂带和4个...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐强强，李振兴，侯晓敏，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十一研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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