半金属结构二碲化钨/氧化还原石墨烯复合物及其铜掺杂复合物粉体的制备方法技术

技术编号:23329543 阅读:107 留言:0更新日期:2020-02-15 00:03
半金属二碲化钨1Tʹ‑WTe

Preparation of tungsten telluride / graphene oxide composite with semi metallic structure and its copper doped composite powder

【技术实现步骤摘要】
半金属结构二碲化钨/氧化还原石墨烯复合物及其铜掺杂复合物粉体的制备方法
本专利技术涉及一种电催化剂,具体为半金属结构二碲化钨/氧化还原石墨烯复合物粉体的制备方法。
技术介绍
氢气是一种清洁能源,目前受到广泛关注。电催化水是目前的一种最有效的生产氢气的方法。WTe2由于具有优异的光电性能是一种理想的电催化剂。WTe2一般有半导体(2H)、金属(1T)和半金属(1Tʹ)三种结构。较稳定的有2H和1Tʹ结构两种,1T-WTe2具有优异的光电性能。半金属结构和金属结构接近,因此1Tʹ-WTe2也应当具有优异的光电性能,特别是高导电性能,具有显著较高的电催化生产氢气性能和长期稳定性,而石墨烯的引入也会增大其导电性能并产生界面效应从而增强金属结构的1Tʹ-WTe2析氢催化性能。此外,离子掺杂可以增强导电性能因此增强析氢催化性能。目前单层1Tʹ-WTe2一般需要首先合成块状WTe2然后应用各种复杂的化学和物理分层方法分层。而一些目前应用的分层方法得到的片状单层WTe2仍然是2H结构或2H和1Tʹ混合结构。因此,有必要开发一种简捷的工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半金属结构二碲化钨/氧化还原石墨烯复合物粉体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/n令含有碲离子、仲钨酸铵、柠檬酸、氧化石墨烯的水溶液进行水热反应,反应条件为室温10-12h、50℃ 2-4h、100℃ 2-4h、130℃ 3-5h、160℃ 12-16h,得到半金属结构二碲化钨/氧化还原石墨烯复合物粉体。/n

【技术特征摘要】
1.半金属结构二碲化钨/氧化还原石墨烯复合物粉体的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
令含有碲离子、仲钨酸铵、柠檬酸、氧化石墨烯的水溶液进行水热反应,反应条件为室温10-12h、50℃2-4h、100℃2-4h、130℃3-5h、160℃12-16h,得到半金属结构二碲化钨/氧化还原石墨烯复合物粉体。


2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,含有碲离子、仲钨酸铵、柠檬酸、氧化石墨烯的水溶液,由Te2-前驱体水溶液与含有仲钨酸铵、柠檬酸、氧化石墨烯的水溶液混合得到。


3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,Te2-前驱体水溶液的浓度为0.2-0.4mol/L;含有仲钨酸铵、柠檬酸、氧化石墨烯的水溶液,是由仲钨酸铵和柠檬酸溶于石墨烯的水溶液中得到;氧化石墨烯水溶液的浓度为1mg/ml;钨的浓度为0.094-0.2mol/L;柠檬酸的浓度为0.15-0.3mol/L。


4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,Te2-前驱体水溶液通过包括以下步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员:贺海燕贺祯沈清
申请(专利权)人:陕西科技大学
类型:发明
国别省市:陕西;61

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