具有改善的抗老化性的电子设备制造技术

本发明专利技术涉及一种电子设备(50)，其包含：基板(12)；覆盖基板的不透氧不透水的第一保护层(52)；至少一个位于第一保护层上并包含至少一个有机半导体区域的电子元件(18)；不透氧不透水的封装层(66)，其包含环氧胶或丙烯酸酯胶，完全覆盖有机半导体区域；完全覆盖封装层的不透氧不透水的第二保护层(64)；和覆盖第二保护层的支撑层(62)。

Electronic equipment with improved aging resistance

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有改善的抗老化性的电子设备本专利申请要求法国专利申请FR17/54149的优先权权益，其通过引用并入本文。
技术介绍
本申请涉及一种包含至少一个有机电子元件的电子设备及其制造方法。相关技术的讨论有机电子元件是至少部分地由至少一种有机半导体材料制成的电子元件。有机电子元件的实例是有机晶体管、有机光电二极管(OPD)或有机发光二极管(OLED)。有机半导体材料在空气和水的存在下易于降解。然后，一段时间后，有机电子元件可能不再正常运行。为了提高有机电子元件的抗老化性，已知将包含电子元件的电子设备夹在气密涂层和水密涂层之间。然而，由这样的涂层提供的保护可能不足以防止有机材料的降解。
技术实现思路
实施方案的目的是克服包含至少一个有机电子元件的已知电子设备的全部或部分缺点。实施方案的另一个目的是提高电子设备的抗老化性。实施方案的另一个目的是改善有机电子元件的防水氧性。实施方案的另一个目的是通过印刷技术，例如通过喷墨法、日光胶版术、丝网印刷法、苯胺印刷法，或狭缝模具式涂布法连续沉积层来形成整个或部分电子设备。因此，实施方案提供了一种电子设备，其包含：基板；覆盖基板的第一氧密水密保护层；至少一个位于第一保护层上并包含至少一个有机半导体层的电子元件；氧密水密封装层，其包含环氧胶或丙烯酸酯胶，完全覆盖有机半导体区域；完全覆盖封装层的第二氧密水密保护层；和覆盖第二保护层的支撑层。根据一种实施方案，基板和/或支撑层包含塑料层，所述塑料层特别是由聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、三醋酸纤维素、环烯烃共聚物、聚醚醚酮或这些化合物的混合物制成。根据一种实施方案，第一保护层和第二保护层均包含至少一层选自氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化硅以及这些化合物中的至少两种的混合物的无机材料。根据一种实施方案，所述封装层进一步在电子元件周围的第一保护层和第二保护层之间延伸。根据一种实施方案，电子元件上的封装层的厚度在1μm至50μm的范围内。根据一种实施方案，第一保护层和/或第二保护层的厚度在10nm至500nm的范围内。根据一种实施方案，电子元件包含有机光电二极管、有机发光二极管或有机晶体管。根据一种实施方案，所述电子元件包含：在第一保护层上方延伸的第一电极和第二电极；至少部分地在第一电极上方延伸的第一界面层；至少部分地在第一界面层上延伸的有源有机区域；至少部分地在有源区域上延伸的第二界面层，所述封装层完全覆盖第二界面层和有源区域。根据一种实施方案，所述电子元件能够发射或捕获电磁辐射，并且所述有源区域是其中由光电元件提供的大部分电磁辐射被发射或其中由光电元件接收到的电磁辐射到电信号的大部分转换发生的区域。一种实施方案还提供一种制造电子设备的方法，其包含以下连续步骤：a)形成覆盖有第一氧密水密保护层的基板；b)在第一保护层上形成至少一个包含至少一个有机半导体区域的电子元件；和c)将覆盖有第二氧密水密保护层的支撑层在第二保护层侧通过氧密水密封装层胶合在电子元件上，所述氧密水密封装层包含环氧胶或丙烯酸酯胶，完全覆盖有机半导体区域。根据一种实施方案，步骤c)包含以下连续步骤：至少在电子元件的一部分上方沉积封装层的材料的前体；将覆盖有第二保护层的支撑层在第二保护层侧施加在前体上；和使前体交联。附图说明在结合附图对具体实施方案的以下非限制性描述中，将详细讨论前述和其他特征和优点，其中：图1是包含有机电子元件的电子设备的实施例的截面图；图2示出了具有图1中所示结构的电子设备的有机光电二极管的照明电流和暗电流的变化曲线。图3是包含有机电子元件的电子设备的实施方案的截面图；图4示出了具有图3中所示结构的电子设备的有机光电二极管的照明电流和暗电流的变化曲线。图5是包含有机电子元件的电子设备的另一个实施方案的截面图；图6示出了包含有机光电二极管的光电设备的更详细的实施方案；和图7示出了包含有机晶体管的光电设备的更详细的实施方案。具体实施方式在不同的附图中，相同的元件用相同的附图标记标出，另外，不同附图未按比例绘制。为了清楚，仅示出和详细描述了对于理解所描述的实施方案有用的那些元件。特别地，用于控制有机电子元件的电路是本领域技术人员公知的并且不进行描述。在以下描述中，当提及限定绝对位置的术语时，如术语“高”、“低”等，或相对位置时，如术语“在......上”、“上”、“下”等，是指正常使用位置的附图或电子设备的方向。术语“约”、“基本上”和“大约”在本文中用于表示所讨论的值的正负10％、优选正负5％的偏差。在以下描述中，光电元件的“有源区域”表示所述光电子元件的其中由光电元件提供的大部分电磁辐射被发射或其中由光电元件接收到的电磁辐射到电信号的大部分转换发生的区域。在以下描述中，当材料在40℃下对氧的渗透率低于1.10-1cm3/(m2*天)时，称该材料是氧密的。对氧的渗透率可以根据题为“使用库仑传感器的氧气通过塑料薄膜和薄片的传输速率的标准测试方法”的ASTMD3985方法来测量。在以下描述中，当材料在40℃下对水的渗透率小于1.10-1g/(m2*天)时，称该材料是水密的。对水的渗透率可以根据题为“使用调制红外传感器的水蒸气通过塑料薄膜和薄片的传输速率的标准测试方法”的ASTMF1249方法来测量。图1示出了电子设备10的实施例。设备10包含：基板12，其具有下表面14和与下表面14相对的上表面16；在表面16上的至少一个有机电子元件18，其内部结构未在图1中示出；在表面14侧的第一涂层20或下涂层，其包含堆叠体，所述堆叠体包含支撑层22、覆盖支撑层22的保护层24和覆盖保护层24并允许将保护层24胶合至表面14的胶层26；和在表面16侧的第二涂层30或上涂层，其包含堆叠体，所述堆叠体包含支撑层32、覆盖支撑层32的保护层34和覆盖保护层34并允许将保护层34胶合至有机电子元件18和有机电子元件18周围的表面16的胶层36。有机电子元件18可以是光电元件。有机光电元件通常包含其中进行电磁辐射向电信号的转换的、由有机材料制成的有源区域。涂层20和30可以对应于可出售的产品。可以在表面14和16上以及在电子设备18上通过层压将涂层20、30布置在适当的位置。每个支撑层22、32可以由塑料材料制成。每个保护层24、34基本上是气密水密层。每个保护层24、34可以具有单层结构或多层结构。根据一种实施方案，每个保护层24、34可以包含至少一层无机材料和至少一层有机材料的堆叠体。无机材料的实例是氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化硅以及这些化合物中的至少两种的混合物。无机材料的实例是聚丙烯酸酯。保护层24本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备(50；70；80；100)，其包含：/n基板(12)；/n覆盖基板的第一氧密水密保护层(52)；/n至少一个位于第一保护层上并包含至少一个有机半导体区域(86、88、90；106)的电子元件(18)；/n覆盖电子元件的绝缘聚对二甲苯层(72)；/n氧密水密封装层(66)，其包含环氧胶或丙烯酸酯胶，完全覆盖所述有机半导体区域，所述绝缘层位于封装层和电子元件之间；/n完全覆盖封装层的第二氧密水密保护层(64)；和/n覆盖第二保护层的支撑层(62)。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170511 FR 17541491.一种电子设备(50；70；80；100)，其包含：
基板(12)；
覆盖基板的第一氧密水密保护层(52)；
至少一个位于第一保护层上并包含至少一个有机半导体区域(86、88、90；106)的电子元件(18)；
覆盖电子元件的绝缘聚对二甲苯层(72)；
氧密水密封装层(66)，其包含环氧胶或丙烯酸酯胶，完全覆盖所述有机半导体区域，所述绝缘层位于封装层和电子元件之间；
完全覆盖封装层的第二氧密水密保护层(64)；和
覆盖第二保护层的支撑层(62)。


2.如权利要求1所述的电子设备，其中所述基板(12)和/或支撑层(62)包含塑料层，所述塑料层特别是由聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、三醋酸纤维素(TAC)、环烯烃共聚物(COP)、聚醚醚酮(PEEK)或这些化合物的混合物制成。


3.如权利要求1或2所述的电子设备，其中第一保护层和第二保护层(52、64)均包含至少一层选自氮化硅、氮化铝、氧化铝、氧化硅以及这些化合物中的至少两种的混合物的无机材料。


4.如权利要求1至3中任一项所述的电子设备，其中所述封装层(66)进一步在电子元件(18)周围的第一保护层和第二保护层(52、64)之间延伸。


5.如权利要求1至4中任一项所述的电子设备，其中所述电子元件(18)上的封装层(66)的厚度在1μm至50μm的范围内。


6.如权利要求1至5中任一项所述的电子设备，其中所述第一保护层(52)和/或所述第二保护层(64)的厚度在10nm至500nm的范围内。


7.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：杰罗姆·乔梅尔，埃里克·福平，
申请(专利权)人：爱色乐居，
类型：发明
国别省市：法国;FR