有机光电二极管和显示设备制造技术

本发明专利技术提供了一种有机光电二极管和显示设备，该有机光电二极管包括：彼此面对的阴极和阳极；位于阴极和阳极之间的至少一个有机层，其中该有机层包括有机光电二极管组合物，其包含由化学式1和2的组合表示的第一有机光电二极管化合物，和由化学式3表示的第二有机光电二极管化合物；以及最大发射波长为570‑750nm的掺杂剂。化学式1‑3的详细描述与说明书中定义的相同。

Organic photodiodes and display devices

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机光电二极管和显示设备
本专利技术公开了一种有机光电器件和显示设备。
技术介绍
有机光电器件是将电能转换为光能的器件，反之亦然。有机光电器件可根据其驱动原理分类如下。一种是光电器件，其中激子由光能产生，分成电子和空穴，并被转移到不同的电极以产生电能，且另一种是发光器件，其中电压或电流被提供给电极以从电能产生光能。有机光电二极管的实例可以是有机光电器件、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机光导鼓。其中，由于对平板显示器的需求增加，最近有机发光二极管(OLED)引起了关注。有机发光二极管是通过将电流施加到有机发光材料而将电能转换成光的装置，并且具有其中有机层设置在阳极和阴极之间的结构。在此，有机层可以包括发光层和任选的辅助层，并且辅助层可以是例如，选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层中的至少一层。有机发光二极管的性能可能受有机层的特性影响，并且其中，可能主要受有机层的有机材料的特性影响。特别地，需要开发能够增加空穴和电子迁移率并同时增加电化学稳定性的有机材料，使得有机发光二极管可以应用于大型平板显示器。
技术实现思路
[技术问题]一个实施方案提供了具有高效率和长寿命的有机光电器件。又一个实施方案提供了一种包括有机光电器件的显示器件。[技术方案]根据一个实施方案，有机光电器件包括彼此面对的阳极和阴极以及设置在阳极和阴极之间的至少一个有机层，其中有机层包括用于有机光电器件的组合物，其包括由化学式1和化学式2的组合表示的用于有机光电器件的第一化合物和由化学式3表示的用于有机光电器件的第二化合物；以及最大发射波长为570至750nm的掺杂剂。在化学式1至化学式3中，X是O或S，T是取代的或未取代的C6-C18芳基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或取代的或未取代的二苯并噻吩基，Ar是取代的或未取代的C6至C30芳基，L、Y1和Y2独立地为单键，或为取代的或未取代的C6至C20亚芳基，化学式1的相邻两个*与化学式2的*连接，在化学式1中，未连接到化学式2的*的*独立地为CRa，Ra和R1至R12独立地为氢、氘、氰基、取代的或未取代的C1至C20烷基、或取代的或未取代的C6至C18芳基，R13至R22独立地为氢、氘、氰基、氨基、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C2至C20烯基、取代的或未取代的C6至C18芳基或取代的或未取代的咔唑基，R13至R22独立地存在或其相邻基团彼此连接形成取代的或未取代的芳环或取代的或未取代的杂芳环，并且当R13至R22独立地存在时，R13至R22中的至少一个是取代的或未取代的C6至C18芳基或取代的或未取代的咔唑基。根据另一个实施方案，提供了一种包括有机光电器件的显示器件。[有益效果]可以实现具有高效率和长寿命的有机光电器件。附图说明图1和2是示出了根据实施方案的有机发光二极管的横截面图。<符号说明>100、200：有机发光二极管105：有机层110：阴极120：阳极130：发光层140：空穴辅助层具体实施方式[最佳模式]在下文，详细描述本专利技术的实施方案。然而，这些实施方案是示例性的，本专利技术不限于此，并且本专利技术由权利要求的范围限定。在本说明书中，当未另外提供定义时，“取代的”是指取代基或化合物的至少一个氢被氘、卤素、羟基、氨基、取代的或未取代的C1至C30胺基、硝基、取代的或未取代的C1至C40甲硅烷基、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C6至C30芳基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基、C2至C30杂芳基、C1至C20烷氧基、C1至C10三氟烷基、氰基或其组合取代。在本专利技术的一个实例中，“取代的”是指取代基或化合物中的至少一个氢被氘、氰基、C1至C30烷基、C1至C10烷基甲硅烷基、C6至C30芳基甲硅烷基、C3至C30环烷基、C3至C30杂环烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂芳基取代。此外，在本专利技术的具体实例中，“取代的”是指取代基或化合物中的至少一个氢被氘、氰基、C1至C20烷基、C6至C30芳基或C2至C30杂芳基取代。此外，在本专利技术的具体实例中，“取代的”是指取代基或化合物中的至少一个氢被氘、氰基、C1至C5烷基、C6至C18芳基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基取代。此外，在本专利技术的具体实例中，“取代的”是指取代基或化合物中的至少一个氢被氘、氰基、C1至C5烷基、C6至C18芳基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基取代。此外，在本专利技术的具体实例中，“取代的”是指取代基或化合物中的至少一个氢被氘、氰基、甲基、乙基、丙烷基、丁基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、三苯基、芴基、二苯并呋喃基或二苯并噻吩基取代。在本说明书中，当未另外提供定义时，“杂”是指一个官能团中包含一至三个选自N、O、S、P和Si的杂原子且剩余是碳的基团。在本说明书中，当没有另外提供定义时，“烷基”是指脂肪族烃基。烷基可以是没有任何双键或三键的“饱和烷基”。烷基可以是C1至C30的烷基。更具体地，烷基可以是C1至C20烷基或C1至C10烷基。例如，C1至C4烷基在烷基链中可具有1至4个碳原子，并且可选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。烷基的具体实例可以是甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、己基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基等。在本说明书中，“芳基”是指包括至少一个烃芳族部分的基团，并且烃芳族部分的所有元素都具有形成共轭的p-轨道，例如苯基、萘基等。两个或多个烃芳族部分可以通过σ键连接，并且可以是例如联苯基、三联苯基、四联苯基等，或两个或多个烃芳族部分直接或间接稠合以提供非芳族稠合环。例如，它可以是芴基。芳基可包括单环、多环或稠环多环(即，共享相邻碳原子对的环)官能团。在本说明书中，“杂环基”是杂芳基的一般概念，并且可包括至少一个选自N、O、S、P和Si中的杂原子而不是环状化合物中的碳(C)，例如芳基、环烷基、其稠环或其组合。当杂环基团是稠环时，杂环基团的整个环或每个环可以包括一个或多个杂原子。例如，“杂芳基”可以指包括至少一个选自N、O、S、P和Si的杂原子的芳基。两个或多个杂芳基通过σ键直接连接，或当杂芳基包括两个或多个环时，两个或多个环可以稠合。当杂芳基是稠合环时，各个环可包含一至三个杂原子。杂环基的具体实例可以是吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基等。更具体地，取代的或未取代的C6至C30芳基和/或取代的或未取代的C2至C30杂环基可以是取代的或未取代的苯基、取代的或未取代的萘基、取代的或未取代的蒽基、取代的或未取代的菲基、取代的或未取代的萘并萘基(naphth本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机光电器件，包括：/n彼此面对的阳极和阴极，和/n设置在所述阳极和所述阴极之间的至少一个有机层，/n其中所述有机层包括用于有机光电器件的组合物，所述组合物包含由化学式1和化学式2的组合表示的用于有机光电器件的第一化合物和由化学式3表示的用于有机光电器件的第二化合物；以及最大发射波长为570nm至750nm的掺杂剂：/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170619 KR 10-2017-00774141.一种有机光电器件，包括：
彼此面对的阳极和阴极，和
设置在所述阳极和所述阴极之间的至少一个有机层，
其中所述有机层包括用于有机光电器件的组合物，所述组合物包含由化学式1和化学式2的组合表示的用于有机光电器件的第一化合物和由化学式3表示的用于有机光电器件的第二化合物；以及最大发射波长为570nm至750nm的掺杂剂：



其中，在化学式1至化学式3中，
X是O或S，
T是取代的或未取代的C6-C18芳基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或取代的或未取代的二苯并噻吩基，
Ar是取代的或未取代的C6至C30芳基，
L、Y1和Y2独立地为单键，或为取代的或未取代的C6至C20亚芳基，
化学式1的相邻两个*与化学式2的*连接，
在化学式1中，未连接到化学式2的*的*独立地为CRa，
Ra和R1至R12独立地为氢、氘、氰基、取代的或未取代的C1至C20烷基、或取代的或未取代的C6至C18芳基，
R13至R22独立地为氢、氘、氰基、氨基、取代的或未取代的C1至C20烷基、取代的或未取代的C2至C20烯基、取代的或未取代的C6至C18芳基或取代的或未取代的咔唑基，
R13至R22独立地存在或其相邻基团彼此连接形成取代的或未取代的芳环或取代的或未取代的杂芳环，并且
当R13至R22独立地存在时，R13至R22中的至少一个是取代的或未取代的C6至C18芳基，或取代的或未取代的咔唑基。


2.根据权利要求1所述的有机光电器件，其中
用于所述有机光电器件的所述第二化合物在以下HOD(仅空穴器件)中具有在7V的电压下测得的1500mA/cm2至2500mA/cm2的电流密度：
ITO/化合物C/用于有机光电器件的第二化合物/Al
化合物C：N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺。


3.根据权利要求1所述的有机光电器件，其中
用于所述有机光电器件的所述第一化合物和用于所述有机光电器件的所述第二化合物的HOMO能级之间的差为0.2eV至0.5eV。


4.根据权利要求1所述的有机光电器件，其中用于所述有机光电器件的所述第一化合物和用于所述有机光电器件的所述第二化合物的混合物的最大发射波长为450nm至550nm。


5.根据权利要求1所述的有机光电器件，其中用于所述有机光电器件的所述第一化合物由化学式1B或化学式1C表示：



其中，在化学式1B至化学式1C中，
X是O或S，
T是取代的或未取代的C6-C18芳基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或取代的或未取代的二苯并噻吩基，
Ar是取代的或未取代的C6至C30芳基，
L、Y1和Y2独立地为单键，或为取代的或未取代的C6至C20亚芳基，且
Ra1至Ra4和R1至R7独立地为氢、氘、氰基、取代的或未取代的C1至C20烷基、或取代的或未取代的C6至C18芳基。


6.根据权利要求5所述的有机光电器件，其中化学式1B由化学式1B-2或化学式1B-3表示：



其中，在化学式1B-2和化学式1B-3中，
X是O或S，
T是取代的或未取代的C6-C18芳基、取代的或未取代的二苯并呋喃基或取代的或未取代的二苯并噻吩基，
Ar是取代的或未取代的C6至C30芳基，
L、Y1和Y2独立地为单键...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵平锡，金东映，柳东完，李炳官，郑成显，许达灏，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR