【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜
相关申请的交叉引用本申请要求于2017年11月24日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0158924号和于2018年10月30日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0131270号的申请日的权益,它们的全部内容通过引用并入本文。本专利技术涉及光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜。更具体地,本专利技术涉及这样的光致抗蚀剂组合物和使用其的光致抗蚀剂膜,所述光致抗蚀剂组合物能够在形成精细图案期间实现优异的图案性能,并且能够制备具有优异的镀覆液化学稳定性的光致抗蚀剂膜。
技术介绍
光加工已成为主流微加工技术,并且封装技术不断变化为用于制造高密度封装的工艺。特别地,随着半导体输入/输出端的数量增加,扩展倒装芯片的使用并且正在引入FOWLP(Fan-OutWaferLevelPackaging,扇出型晶圆级封装)技术。此外,扩展实现芯片之间的直接连接以使信号延迟最小化的TSV(ThroughSiliconVia,硅通孔)工艺。在这方面,对凸起(bump)技术的需求增加,并且形成凸起的凸起光致抗蚀剂的技术开发被认为非常重要。在凸起光致抗蚀剂的情况下,(i)在10微米至100微米的厚膜中的感光度和分辨率应为优异的;(ii)应通过镀覆过程形成金属凸起,因此图案性能例如平直度、残留特性、基脚(footing)特性和切口特性应为良好的;以及(iii)对镀覆液的耐受性应为优异的。因此,使用光致抗蚀剂以提高厚膜中的感光度和分辨率 ...
【技术保护点】
1.一种光致抗蚀剂组合物,包含(甲基)丙烯酸类树脂,所述(甲基)丙烯酸类树脂包含(甲基)丙烯酸类重复单元和键合至所述重复单元的支链末端的由以下化学式1表示的官能团:/n[化学式1]/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171124 KR 10-2017-0158924;20181030 KR 10-2018-011.一种光致抗蚀剂组合物,包含(甲基)丙烯酸类树脂,所述(甲基)丙烯酸类树脂包含(甲基)丙烯酸类重复单元和键合至所述重复单元的支链末端的由以下化学式1表示的官能团:
[化学式1]
其中,在化学式1中,
R1和R2各自独立地为氢、羧基、基于聚氧化烯的官能团、具有1至20个碳原子的烷基、或具有6至20个碳原子的芳基,或者R1和R2彼此连接以形成具有3至20个碳原子的环烷基。
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述支链包含由以下化学式2表示的官能团:
[化学式2]
其中,在化学式2中,
R3为具有1至20个碳原子的烷基、或具有6至30个碳原子的芳基,
L为直接键、-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-CONH-、-COO-、-(CH2)y-、-O(CH2)yO-、-{(CH2)yO}p-、-NH-、-NH(CH2)y-NH-、-NH(CH2)yO-、-OCH2-C(CH3)2-CH2O-、-COO-(CH2)y-OCO-、或-OCO-(CH2)y-COO-,以及
L中的y和p各自独立地为1至10的整数。
3.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂组合物,其中化学式1的官能团键合至化学式2的R3。
4.根据权利要求2所述的光致抗蚀剂组合物,其中,在化学式2中,R3为苯基,L为直接键或-{(CH2)yO}p-,以及y和p各自独立地为1至5的整数。
5.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中所述基于聚氧化烯的官能团为由以下化学式3表示的官能团:
[化学式3]
其中,在化学式3中,
R'为具有1至5个碳原子的亚烷基,
X为氢、氘、卤素、氰基、硝基、羟基、羰基、酯基、酰亚胺基、酰胺基、氨基、羧基、磺酸基、磺酰胺基、氧化膦基、烷氧基、芳氧基、烷基硫基、芳基硫基、烷基磺酰基、芳基磺酰基、甲硅烷基、硼基、烷基、环烷基、烯基、芳基、芳烷基、芳烯基、烷基芳基、芳基膦基、或包含N、O和S原子中的至少一者的杂环基,
L'为直接键、-O-、-CO-、-S-、-SO2-、-C(CH3)2-、-C(CF3)2-、-CONH-、-COO-、-(CH2)z-、-O(CH2)zO-、-O(CH2)z-、-NH-、-NH(CH2)z-NH-、-NH(CH2)zO-、-OCH2-C(CH3)2-CH2O-、-COO-(CH2)z-OCO-、或-OCO-(CH2)z-COO-,以及
L'中的z为1至10的整数。
6.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物,其中R1和R2彼此连接以形成具有7至10个碳原子的环烷基。
7....
【专利技术属性】
技术研发人员:朴银石,林敏映,金智慧,
申请(专利权)人:株式会社LG化学,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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