【技术实现步骤摘要】
半导体器件、显示器件、和电子器件
本专利技术涉及半导体器件、显示器件、和电子器件。本申请是如下专利技术专利申请的分案申请：专利技术名称：半导体器件、显示器件、和电子器件；申请号：201610550684.1；申请日：2006年12月28日。
技术介绍
移位寄存器电路是按照单级每一次施加一个脉冲移动其内容的方式运行的电路。利用这个性能，移位寄存器用于串行信号和并行信号相互转换的电路。将串行信号向并行信号转换，或者将并行信号向串行信号转换的上述电路主要用于具有彼此连接的电路的网络。用于在网络中彼此连接电路和发射信号的传播路径的数目通常较待传送的数据的数量小。在此情况下，并行信号在发射机电路中变为串行信号，并顺序地发送给传输路径，已经顺序地发送的串行信号在接收机电路中变为并行信号。因而，可以使用少量传播路径交换信号。显示器件通过根据从外部输入的图像信号控制每一个像素的亮度来显示图象。这里，因为难以使用等于像素数目的大量的来自外部的图像信号的传播路径，所以图像信号必须经过串并行转换。因此，移位寄存器用于向显示...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其包括：/n第一～第八晶体管以及电容器，/n其中所述第一晶体管的栅极电连接到所述电容器的一个电极、所述第六晶体管的源极和漏极其中之一、所述第七晶体管的源极和漏极其中之一、所述第四晶体管的栅极以及所述第五晶体管的栅极，/n其中所述第一晶体管的源极和漏极其中之一电连接到时钟信号线，/n其中所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述电容器的另一个电极、所述第二晶体管的源极和漏极其中之一、所述第八晶体管的栅极以及所述第八晶体管的源极和漏极其中之一，/n其中所述第二晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的源极和漏极其中之一以及所述第四晶体管的源极和漏极其...
【技术特征摘要】
20051228 JP 2005-3782621.一种半导体器件，其包括：
第一～第八晶体管以及电容器，
其中所述第一晶体管的栅极电连接到所述电容器的一个电极、所述第六晶体管的源极和漏极其中之一、所述第七晶体管的源极和漏极其中之一、所述第四晶体管的栅极以及所述第五晶体管的栅极，
其中所述第一晶体管的源极和漏极其中之一电连接到时钟信号线，
其中所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述电容器的另一个电极、所述第二晶体管的源极和漏极其中之一、所述第八晶体管的栅极以及所述第八晶体管的源极和漏极其中之一，
其中所述第二晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的源极和漏极其中之一以及所述第四晶体管的源极和漏极其中之一，
其中所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个、所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个、所述第五晶体管的源极和漏极其中之一以及所述第七晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到电源线，并且
其中所述第六晶体管的栅极电连接到所述第六晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个。
2.一种半导体器件，其包括：
第一～第七晶体管以及电容器，
其中所述第一晶体管的栅极电连接到所述电容器的一个电极、所述第六晶体管的源极和漏极其中之一、所述第七晶体管的源极和漏极其中之一、所述第四晶体管的栅极以及所述第五晶体管的栅极，
其中所述第一晶体管的源极和漏极其中之一电连接到时钟信号线，
其中所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述电容器的另一个电极以及所述第二晶体管的源极和漏极其中之一，
其中所述第二晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的源极和漏极其中之一以及所述第四晶体管的源极和漏极其中之一，
其中所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个、所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个、所述第五晶体管的源极和漏极其中之一以及所述第七晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到电源线，并且
其中所述第六晶体管的栅极电连接到所述第六晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个。
3.一种半导体器件，其包括：
第一～第七晶体管以及电容器，
其中所述第一晶体管的栅极电连接到所述电容器的一个电极、所述第六晶体管的源极和漏极其中之一、所述第七晶体管的源极和漏极其中之一、所述第四晶体管的栅极以及所述第五晶体管的栅极，
其中所述第一晶体管的源极和漏极其中之一电连接到第一时钟信号线，
其中所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述电容器的另一个电极以及所述第二晶体管的源极和漏极其中之一，
其中所述第二晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的源极和漏极其中之一以及所述第四晶体管的源极和漏极其中之一，
其中所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个、所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个、所述第五晶体管的源极和漏极其中之一以及所述第七晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到电源线，
其中所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二时钟信号线，并且其中所述第六晶体管的栅极电连接到所述第六晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个。
4.一种半导体器件，其包括：
第一～第七晶体管以及电容器，
其中所述第一晶体管的栅极电连接到所述电容器的一个电极、所述第六晶体管的源极和漏极其中之一、所述第七晶体管的源极和漏极其中之一、所述第四晶体管的栅极以及所述第五晶体管的栅极，
其中所述第一晶体管的源极和漏极其中之一电连接到时钟信号线，
其中所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到所述电容器的另一个电极以及所述第二晶体管的源极和漏极其中之一，
其中所述第二晶体管的栅极电连接到所述第三晶体管的源极和漏极其中之一以及所述第四晶体管的源极和漏极其中之一，
其中所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个、所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个、所述第五晶体管的源极和漏极其中之一以及所述第七晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第一电源线，
其中所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二电源线，并且其中所述第六晶体管的栅极电连接到所述第六晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个。
5.一种半导体器件，其包括：
第一时钟信号线；
第二时钟信号线；以及
输出端子；
其中所述第一时钟信号线和所述输出端子交叉；其中所述第二时钟信号线和所述输出端子交叉；其中所述第一时钟信号线和所述第二时钟信号线包括第一导电层，并且其中所述输出端子包括第二导电层。
6.如权利要求5所述的半导体器件，
其中所述第二导电层是透明的。
7.一种半导体器件，其包括电路：
所述电路包括：
晶体管；
第一时钟信号线；
第二时钟信号线；以及
输出端子；
其中所述第一时钟信号线关于所述晶体管定位在所述输出端子的相对侧，
其中所述第二时钟信号线关于所述晶体管定位在所述输出端子的相对侧，
其中所述第一时钟信号线和所述第二时钟信号线的纵向方向与所述电路延伸的方向平行，并且
其中所述输出端子的纵向方向和所述电路延伸的方向正交。
8.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述第一时钟信号线、所述第二时钟信号线和所述输出端子未交叉。
9.一种半导体器件，其包括：
输入端子；
输出端子；
第一端子；
第二端子；
第三端子；
第四端子；
第一晶体管，用于将所述第一端子的电势传送到所述输出端子；
第二晶体管，其通过根据所述第四端子的电势在所述输出端子与所述第二端子之间导电来固定所述输出端子的电势；以及
第三晶体管，其通过根据所述第四端子的所述电势在所述第三端子与所述第二端子之间导电来固定所述第三端子的电势，
其中第一脉冲配置成从所述输入端子来输入，并且
其中与所述第一脉冲相反的第二脉冲配置成从所述第四端子来输入。
10.一种半导体器件，其包括：
输入端子；
输出端子；
第一端子；
第二端子；
第三端子；
第四端子；
第五端子；
第一晶体管，用于将所述第一端子的电势传送到所述输出端子；
整流元件，其根据所述输入端子的电势使所述第一晶体管导通；
第二晶体管，其通过根据所述第五端子的电势在所述输出端子与所述第二端子之间导电来固定所述输出端子的电势；
第三晶体管，其通过根据所述第四端子的电势在所述第三端子与所述第二端子之间导电来固定所述第三端子的电势；以及
电路，其使所述第三端子的所述电势反转并且向所述第五端子输出所述电势，
其中第一脉冲配置成从所述输入端子来输入，并且
其中与所述第一脉冲相反的第二脉冲配置成从所述第四端子来输入。
11.一种半导体器件，其包括：
输入端子；
输出端子；
第一端子；
第二端子；
第三端子；
第四端子；
第五端子；
第六端子；
第一晶体管，用于将所述第一端子的电势传送到所述输出端子；
第一整流元件，其根据所述输入端子的电势使所述第一晶体管导通；
第二晶体管，其通过根据所述第四端子的电势在所述输出端子与所述第二端子之间导电来固定所述输出端子的电势；
第三晶体管，其通过根据所述第四端子的所述电势在所述第三端子与所述第二端子之间导电来固定所述第三端子的电势；
第二整流元件，用于根据所述输出端子的所述电势来提高所述第五端子的电势；以及
第四晶体管，用于通过在所述第二端子与所述第六端子之间导电来降低所述第六端子的电势，
其中所述第四端子电连接到第五晶体管的源极和漏极其中之一。
12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述第一、第二、第三和第四晶体管具有相同极性。
13.如权利要求12所述的半导体器件，其进一步包括：
电路，其包含包括所述第一、第二、第三和第四晶体管的所有晶体管...
【专利技术属性】
技术研发人员：吉田泰则，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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