用于产生多个低噪声参考电压的技术制造技术

本发明专利技术涉及用于产生多个低噪声参考电压的技术。技术用于产生两个独立的温度非依赖性参考电压。可以使用ΔV

Techniques for generating multiple low noise reference voltages

【技术实现步骤摘要】
用于产生多个低噪声参考电压的技术
该文件通常涉及但不限于集成电路，更具体地说，涉及电压参考电路。
技术介绍
在半导体电路领域中，某些类别的电路需要在一定温度范围内可靠地操作。可用于提供恒定参考源的一个电路是带隙电压参考。带隙电压参考电路设计用于对具有相反温度斜率的两个电压求和。其中一个电压是通常由正向偏置双极晶体管的基极-发射极电压(VBE)提供的互补-绝对温度(CTAT)电压。另一个是与相对温度成比例(PTAT)电压，其通常源自在不同集电极电流密度下操作的两个双极晶体管的基极-发射极电压差。当PTAT电压和CTAT电压相加在一起时，总和电压处于一阶温度不敏感。
技术实现思路
本公开描述用于可产生两个独立的温度非依赖性参考电压的技术。可以使用ΔVBE单元链产生参考电压。基于交叉四极ΔVBE-单元的带隙电压参考可以通过强制它们相关来抵消相关电流源的噪声。可以将几个ΔVBE级级联在一起以产生可观的PTAT组件，其可以从VBE中消除CTAT组件。在一些示例配置中，只使用BJT而不需要使用放大器来产生带隙电压；以这种方式，可以产生极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压参考电路，用于产生至少第一参考电压和第二参考电压，该电路包括：/n多个级联基极-发射极电压差级，每个级包括以交叉四极配置连接的四个双极结型晶体管(BJT)，每个级被布置为产生与绝对温度(PTAT)电压成比例，所述多个级被级联为使得它们的PTAT电压相加；/n在所述多个级内级联的第一参考电压级，所述第一参考电压被布置为以PTAT电压的第一和来补偿互补绝对温度(CTAT)电压，从而提供第一参考电压；和/n在所述多个级内级联的第二参考电压级，所述第二参考电压级耦合到相加的PTAT电压，所述第二参考电压级被布置成产生多个V

【技术特征摘要】
20180730 US 16/048,8601.一种电压参考电路，用于产生至少第一参考电压和第二参考电压，该电路包括：
多个级联基极-发射极电压差级，每个级包括以交叉四极配置连接的四个双极结型晶体管(BJT)，每个级被布置为产生与绝对温度(PTAT)电压成比例，所述多个级被级联为使得它们的PTAT电压相加；
在所述多个级内级联的第一参考电压级，所述第一参考电压被布置为以PTAT电压的第一和来补偿互补绝对温度(CTAT)电压，从而提供第一参考电压；和
在所述多个级内级联的第二参考电压级，所述第二参考电压级耦合到相加的PTAT电压，所述第二参考电压级被布置成产生多个VBE电压，与PTAT电压的第二和相加以提供第二参考电压。


2.权利要求1所述的电压参考电路，其中所述级中的至少一些还包括交叉耦合BJT的另外对，其中形成另外对的BJT具有大于1的发射极区域的第一比率。


3.权利要求2所述的电压参考电路，其中以交叉四边形配置连接的BJT具有大于1的发射极区域的第二比率。


4.权利要求3所述的电压参考电路，其中所述第一和第二比率是不同的。


5.权利要求1所述的电压参考电路，其中在所述多个级中的一个中以交叉四边形配置连接的BJT具有大于1的发射极区域的第一比率，并且其中在所述多个级中的另一个中以交叉四边形配置连接的BJT具有大于1的发射极区域的第二比率，其中所述第一和第二比率是不同的。


6.权利要求1所述的电压参考电路，其中所述第一参考电压级包括：
电阻元件，耦合在一对级联级之间，所述电阻元件具有以PTAT的第一和补偿CTAT电压的电阻，以提供第一参考电压。


7.权利要求1所述的电压参考电路，其中所述电阻元件的电阻是可调的。


8.权利要求1所述的电压参考电路，其中所述电压参考电路被布置成使得所述第一参考电压和所述第二参考电压中的每一个具有零的一阶温度系数。


9.权利要求1所述的电压参考电路，其中所述多个级包括五个级联级，并且其中所述电阻元件耦合在所述第一和第二级联级之间。


10.权利要求1所述的电压参考电路，组合：
第一通道电路，包括第一通道缓冲电路，用于接收所述第一参考电压并提供第一通道参考电压；和
第二通道电路，包括第二通道缓冲电路，用于接收所述第二参考电压并提供第二通道参考电压。


11.权利要求10所述的电压参考电路，其中所述第一通道缓冲电路是基于FET的缓冲电路，并且其中所述第二通道缓冲电路是基于BJT的缓冲电路。


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【专利技术属性】
技术研发人员：G·谷帕特，A·J·卡尔布，
申请(专利权)人：亚德诺半导体无限责任公司，
类型：发明
国别省市：百慕大;BM