【技术实现步骤摘要】
一种氟化碲化锗二维材料的制备方法
本专利技术属于新型二维材料制备领域，更加具体地说，具体涉及二维材料GeTe的氟化得到GeTe-F的方法。
技术介绍
二维材料具有超高载流子迁移率、具有狄拉克锥的线性色散关系等优势而在光学、电学和催化等领域具有非常广阔的应用前景，受到了广大研究人员的青睐。继石墨烯问世之后，具有类石墨烯结构的二维Ⅳ族金属硫属化合物-GIVMCs(金属主要包括Si、Ge、Sn，硫属主要包括O、S、Se、Te)，基于其优异的电学、光学性能，同样受到科研人员的广泛关注。如目前基于SnS2制备的FET器件的载流子迁移率达到230cm2·V-1·s-1，开关比更是达到106。2018年初，Zhang等人首次实验剥离得到层状GeTe材料，单层的GeTe更是具有1.93eV的光学带隙，而随后Qiao等人对GeTe的理论计算，单层具有2.35eV带隙也相对与实验吻合。但单层的GeTe剥离困难，因此对于此类新型二维材料，需要从掺杂、异质结制备、构建器件等方面对其光学、电学性能展开研究。
技术实现思路
本专利技...
【技术保护点】
1.一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，按照下述步骤进行：按照等摩尔比将Ge、Te两种金属进行真空封装和处理以得到GeTe晶体，由20—25摄氏度在350—450min内升至1000—1100℃并维持1000—1200min再以0.5—3℃/min降温至20—25摄氏度；将GeTe晶体冲洗除杂干燥后，置于氟气气氛中进行处理得到氟化碲化锗二维材料GeTe-F，由室温20—25摄氏度在200—300min内升至200—400℃并保温20—60小时，再以0.5—3℃/min降温至常温20—25摄氏度，使用四氟胶带反复粘撕，得到二维层状半导体材料GeTe-F。/n
【技术特征摘要】
1.一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，按照下述步骤进行：按照等摩尔比将Ge、Te两种金属进行真空封装和处理以得到GeTe晶体，由20—25摄氏度在350—450min内升至1000—1100℃并维持1000—1200min再以0.5—3℃/min降温至20—25摄氏度；将GeTe晶体冲洗除杂干燥后，置于氟气气氛中进行处理得到氟化碲化锗二维材料GeTe-F，由室温20—25摄氏度在200—300min内升至200—400℃并保温20—60小时，再以0.5—3℃/min降温至常温20—25摄氏度，使用四氟胶带反复粘撕，得到二维层状半导体材料GeTe-F。
2.根据权利要求1所述的一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，将Ge、Te两种金属进行真空封装和处理时，真空度达到0.1MPa以下，并保持惰性保护气体氛围。
3.根据权利要求2所述的一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，惰性保护气体氛围为氮气、氦气或者氩气。
4.根据权利要求1所述的一种氟化碲化锗二维材料的制备方法，其特征在于，选择CVD管式炉进行程序温控。
5.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：封伟，张鑫，赵付来，王宇，冯奕钰，李瑀，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12
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