调节圣约翰草生长的方法技术

一种调节圣约翰草生长的方法，是利用种植圣约翰草时添加远红外线陶瓷纳米粉体来达到调节生长的作用。包含利用直接添加远红外线陶瓷纳米粉体在培养介质中，或间接将远红外线陶瓷纳米粉体添加在培养介质与种植容器间的空间的方式，将圣约翰草种植在培养介质中，可调节圣约翰草的生长及性状。

【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种调节圣约翰草生长的方法，且特别是有关于一种应用远 红外线陶瓷纳米粉体调节圣约翰草生长的方法。(2〉背彔技术太阳光线中约有80%的红外线，其波长介于0.76 1000微米之间，称为红外 光。其中4 400微米波长的范围称为远红外光。远红外光中，有90%的波长是介 于8 14微米之间，其每一秒钟能震动1012次方的频率，是地球上一切生物赖以 生长发育的光线。目前，远红外光的效用也得到证实，近年来关于远红外线的许多 研究中，已广泛地应用在医学、工业、生物、军事等相关领域上。远红外线对于生物体的影响目前已有一些研究，包括其振动效应、热效应、 磁场能量等，也已被广泛的报导。研究显示，许多自然界物质运动现象所释放或吸 收的辐射能量恰巧落在红外线能量区域，且远红外线具有较强的辐射穿透力，可以 深入人体皮下，对人体有益。然而，目前远红外线对植物可能产生效应的相关研究仍十分缺乏。由于远红 外线是一种波长较长的电磁波，因此具有光的传播特性。植物对光的生理反应十分 复杂， 一般来说，光对植物最直接的影响是光可作为能量的来源，植物经由光合作 用将光转换成化学能，供给自然界的能量输入。此外，光可调节植物在生长发育过 程中的许多步骤，例如光型态发生(photomorphogenesis)、向光性(phototropism) 和光周期性(photoperiodism)。因此，可将光应用于调节植物生长的研究领域。(3)
技术实现思路
因此本专利技术的目的就是在提供一种应用远红外线陶瓷纳米粉体调节圣约 翰草生长的方法，藉由添加远红外线陶瓷纳米粉体的方式，可影响圣约翰草的生长并调节其发育速度。根据本专利技术的上述目的，提出一种直接添加远红外线陶瓷纳米粉体以调节 圣约翰草生长的方法。依照本专利技术的实施例，在一培养介质中加入适当浓度的 远红外线陶瓷纳米粉体，并混合均匀以形成一含远红外线陶瓷纳米粉体的培养 介质，再将圣约翰草种植于此含远红外线陶瓷纳米粉体的培养介质中，圣约翰 草的根部可与部分混合在培养介质中的远红外线陶瓷纳米粉体接触，产生生长 调节的作用。根据本专利技术的目的，提出一种间接添加远红外线陶瓷纳米粉体以调节圣约 翰草生长的方法。依照本专利技术的实施例，将培养介质放置在一容器中，培养介 质与容器之间可具有一空间，用以容纳远红外线陶瓷纳米粉体。因此，远红外 线陶瓷纳米粉体可添加在培养介质与该容器之间，使远红外线陶瓷纳米粉体不 直接与植物接触，而达到调节圣约翰草的生长目的。根据上述可知，本专利技术的应用远红外线陶瓷纳米粉体调节圣约翰草生长的 方法是利用远红外线对生物体具有产生能量的作用，及远红外线对植物产生的 光效应来调节圣约翰草生长，并依需要搭配直接添加及间接添加的方式来达到 所需的生长增进或抑制功能，调节圣约翰草的生长发育情形。为了使本专利技术的构成特征、操作方法、目的及优点更加容易了解，所以在 下文中配合图示及文字叙述，说明本专利技术的实施例。(4)附圉说明为让本专利技术的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图 示的详细说明如下-附图说明图1为不同远红外线陶瓷纳米粉体对圣约翰草生长的影响效应。 图2为远红外线陶瓷纳米粉体间接添加(A)及直接添加(B)对圣约翰草开花时 间影响的效果。(5〉具体实旌方式圣约翰草(Hypericum perforatum, St. John's wort)为金丝桃属的多年生草本植物，是舒缓轻到中度忧郁症的重要天然药草。本专利技术以圣约翰草为例， 观察远红外线陶瓷纳米粉体对植物生长的影响。所有试验材料都于2(TC左右(15-25'C)的环境、光周期设定在D/L = 6h/18h的温室中生长，实验进行约八个月，记录调査各处理组与对照组的圣约 翰草生长特性、开花时间等性状差异。依照本专利技术的实施例，在圣约翰草种植时分别在培养介质中添加三种不同 的远红外线陶瓷纳米粉体FIR Y、 FIR J或FIR P，并各以5%、 10%、 20%的浓 度和对照组(无添加任何远红外线陶瓷纳米粉体)处理，每一种处理方式都进行 3次重复试验。其中，远红外线陶瓷纳米粉体的粒径为纳米级。依照本专利技术的实施例，培养介质的组成至少包含培养土、珍珠石、蛭石或 上述的任意组合。例如，可将3号培养土(农友公司)珍珠石蛭石以3: 1:1的比例混合，并将此培养介质放入种植容器内，以直接添加处理或间接接触 的方式添加所需浓度的远红外线陶瓷纳米粉体，在温室中进行实验。其中，直 接添加处理是以不同浓度的远红外线陶瓷纳米粉体与培养介质混合，使其直接 与植物根部接触。间接接触处理则将培养介质放置于一容器中，培养介质与容 器之间可预留空间，用以容纳远红外线陶瓷纳米粉体，再将不同浓度的远红外 线陶瓷纳米粉体分别添加在此预留空间中，使远红外线陶瓷纳米粉体不直接与 植物接触，而达到调节圣约翰草生长的目的。请参照图1，为不同远红外线陶瓷纳米粉体对圣约翰草生长的影响效应。 实验中所使用的三种远红外线陶瓷纳米粉体对圣约翰草的生长(包括植株生长高度、茎宽及分支数目)依其处理及浓度上的差异，呈现显著不同的影响。(注 *符号表示植株死亡)。实验结果显示，远红外线陶瓷纳米粉体FIR P对植株的茎宽及分支数目皆 有显著的影响。其中，与对照组相比，以5%FIR P粉体直接添加在培养土或 以5X及20X的FIRP粉体与植株间接接触的方式都可增加植株的茎宽。此外， 以5%及10X浓度的FIRP粉体与植株间接接触，更具有增加分支数目的效果， 显示远红外线陶瓷纳米粉体FIR P可显著增进植株的生长。对于植株生长高度的影响方面，以5%浓度的FIR Y粉体与植株间接接触 的方式可使植株高度达到41.3±12. 1公分，相较于对照组，具有明显促进生长的效果。远红外线陶瓷纳米粉体FIR J则可增加植株的茎宽度，其中，以5。％及10^浓度的FIR J粉体与植株间接接触，其植株茎宽相较于对照组都有显著的增 加。此外，以10%浓度的FIR J粉体与植株间接接触更可促进植株的生长高度。请参照图2，为远红外线陶瓷纳米粉体间接添加(A)及直接添加(B)对圣约 翰草开花时间影响的效果。由图2可得知，在对开花时间的调节上，不论是以 直接添加或间接接触的方式，远红外线陶瓷纳米粉体FIR J的处理都能非常有 效地加速圣约翰草的开花时间。其中，以5% FIR J粉体间接接触的处理组的 开花时间为65天，而对照组平均的开花时间约为135天，其对于圣约翰草开 花时间的效应为促进的效果。此外，远红外线陶瓷纳米粉体FIR Y及FIR P则能有效地延迟开花时间。 其中，尤以5% FIR Y粉体间接接触的处理组将开花时间延长至198天最为显 著。相较于对照组平均的开花时间约为135天，FIR Y及FIR P对于圣约翰草 开花时间的效应为抑制的效果。因此，由上述本专利技术的实施例可知，远红外线陶瓷纳米粉体在其材质、组 成和尺度上可发挥特殊的物理化学特性来达到影响圣约翰草的生长及调节其 发育速度，未来将有极大潜力可应用在中草药、经济作物、观赏植物栽培的产 期调节，增加产品的市场需求竞争性和其价值。虽然本专利技术已以一较佳实施例揭露如上，但是它并非用以限定本专利技术，任 何熟习此技艺者，在不脱离本专利技术的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰， 因此本本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种调节圣约翰草生长的方法，该方法至少包含：提供一培养介质；加入远红外线陶瓷纳米粉体在该培养介质中，并混合均匀以形成一含远红外线陶瓷纳米粉体的培养介质；以及种植一圣约翰草在该含远红外线陶瓷纳米粉体的培养介质中，用以调节该圣约翰草的生长。

【技术特征摘要】
1.一种调节圣约翰草生长的方法，该方法至少包含提供一培养介质；加入远红外线陶瓷纳米粉体在该培养介质中，并混合均匀以形成一含远红外线陶瓷纳米粉体的培养介质；以及种植一圣约翰草在该含远红外线陶瓷纳米粉体的培养介质中，用以调节该圣约翰草的生长。2. 如权利要求1所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该培养 介质至少包含培养土、珍珠石、蛭石或上述的任意组合。3. 如权利要求2所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该培养 介质中包含5% 20%的远红外线陶瓷纳米粉体。4. 如权利要求1所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该圣约 翰草的种植温度为15-25 'C之间。5. 如权利要求1所述的调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，该圣约 翰草种植的光周期设定在D/L = 6h/18h。6. —种调节圣约翰草生长的方法，其特征在于，所述的方...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓资新，张家纶，陈联泰，
申请(专利权)人：邓资新，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]