一种电子雷管起爆电容充放电电路制造技术

本发明专利技术提供一种电子雷管起爆电容充放电电路，包括：电源端、MCU端、控制端、第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电容，本发明专利技术提供一种电子雷管起爆电容充放电电路，可以实现电子雷管起爆电容的充电和放电，保障电子雷管的安全使用。

A capacitor charge discharge circuit for detonating electronic detonator

【技术实现步骤摘要】
一种电子雷管起爆电容充放电电路
本专利技术涉及电子雷管的起爆电容充放电电路，属于电子雷管

技术介绍
电子雷管起爆的能量，是从二线总线获取，常规电子雷管使用时，总线上挂接的雷管数量1~1000个，如果不使用低电流充电，多个电子雷管快速充电，可能会把二线Ⅰ/O(带供电)总线的电压拉低，时间如超过电子雷管的电容储能，则会造成线上电子雷管失联。电子雷管用于无人机投掷降雨弹或灭火弹时，则要求快速充电，用较短的时间，把单个电子雷管的起爆电容充满。为了安全，充好电的电子雷管，如放弃起爆，应在很短的时间内，将充好电的起爆电能，释放到安全电压值以下。
技术实现思路
本专利技术提供一种电子雷管起爆电容充放电电路，可以实现电子雷管起爆电容的充电和放电，保障电子雷管的安全使用。本专利技术通过以下方式实现：一种电子雷管起爆电容充放电电路，其特征在于，包括：电源端、MCU端、控制端、第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电容，其中：电源端，为电路输入电压；第一电阻，其一端与电源端连接，另一端与第一晶体管的第三管脚、第二晶体管的第一管脚连接；第一晶体管，其第一管脚与MCU端连接，第二管脚与第二电阻连接；第三管脚与第一电阻连接同时与第二晶体管的第一管脚连接，第二晶体管，其第一管脚与第一电阻、第一晶体管的第三管脚连接，第二管脚与电源端Vcc连接，第三管脚与电容正极连接；第二电阻，其一端与第一晶体管第二管脚连接，另一端与控制端、第三晶体管的第一管脚连接；第三晶体管，其第一管脚与控制端、第二电阻连接，第二管脚接地，第三管脚与第二晶体管的第三管脚、电容正极连接；电容，其负极接地。进一步的，第一晶体管采用NPN管；第二晶体管采用PNP管；第三晶体管采用NMOS管。进一步的，所述第一晶体管采用9013晶体管；第二晶体管采用9012晶体管，第三晶体管采用AO3400晶体管。进一步的，所述第一晶体管第一管脚为基极，第二管脚为发射极，第三管脚为集电极；第二晶体管第一管脚为基极，第二管脚为发射极，第三管脚为集电极；第三晶体管第一管脚为栅极，第二管脚为源极，第三管脚为漏极。进一步的，所述第一晶体管采用NPN管，第二晶体管采用PMOS管；第三晶体管采用NMOS管。进一步的，所述第一晶体管采用9013晶体管；第二晶体管采用AO3401晶体管；第三晶体管采用AO3400晶体管。进一步的，所述第一晶体管第一管脚为基极，第二管脚为发射极，第三管脚为集电极；第二晶体管第一管脚为栅极，第二管脚为源极，第三管脚为漏极；第三晶体管第一管脚为栅极，第二管脚为源极，第三管脚为漏极。本专利技术的有益效果是：提供一种电子雷管起爆电容充放电电路，过控制端输出高低不同的电平，实现对电子雷管起爆电容的充放电，满足雷管引爆需求的同时，也可以保障雷管的安全使用。附图说明图1为实施例1电路示意图；图2为实施例2电路示意图。具体实施方式实施例1一种电子雷管起爆电容充放电电路，包括：电源端Vcc、MCU端V+、控制端V、第一电阻R1、第二电阻R2、第一晶体管B1、第二晶体管B2、第三晶体管B3和电容C1，其中：电源端Vcc，为电路输入电压；第一电阻R1，其一端与电源端Vcc连接，另一端与第一晶体管B1的第三管脚、第二晶体管的第一管脚连接；第一晶体管B1，其第一管脚与MCU端V+连接，第二管脚与第二电阻R2连接；第三管脚与第一电阻R1连接同时与第二晶体管B2的第一管脚连接，第二晶体管B2，其第一管脚与第一电阻R1、第一晶体管的第三管脚连接，第二管脚与电源端Vcc连接，第三管脚与电容正极连接；第二电阻R2，其一端与第一晶体管B1第二管脚连接，另一端与控制端V、第三晶体管B3的第一管脚连接；第三晶体管B3，其第一管脚与控制端V、第二电阻R2连接，第二管脚接地，第三管脚与第二晶体管B2的第三管脚、电容C1正极连接；电容C1，其负极接地。第一晶体管B1采用NPN管；第二晶体管B2采用PNP管；第三晶体管B3采用NMOS管。所述第一晶体管B1采用9013晶体管；第二晶体管B2采用9012晶体管，第三晶体管B3采用AO3400晶体管。所述第一晶体管B1第一管脚为基极，第二管脚为发射极，第三管脚为集电极；第二晶体管B2第一管脚为基极，第二管脚为发射极，第三管脚为集电极；第三晶体管B3第一管脚为栅极，第二管脚为源极，第三管脚为漏极。本实施例中，当控制端V输入高电平时，第一晶体管B1和第二晶体管B2截止，第三晶体管B3导通，电容C1进入低阻快速放电状态；当控制端V输入低电平时，第一晶体管B1和第二晶体管B2导通，第三晶体管B3截止，电容C1进入充电状态。第二晶体管B2采用PNP管，受基极电流和电流放大系数β的限制，只能以受限低电流对起爆电容C1充电。MCU端V+可以用于控制电路，当MCU端V+为低电平时，第一晶体管B1和第二晶体管B2都截止，电路无法进入充电状态，起爆电容C1无法充电。为了保护第三晶体管B3，可在第三晶体管B3源极和漏极之间增加一个二极管。实施例2在其他结构与实施例1相同的情况下，实施例2中所述第一晶体管B1采用NPN管，第二晶体管B2采用PMOS管；第三晶体管B3采用NMOS管。所述第一晶体管B1采用9013晶体管；第二晶体管B2采用AO3401晶体管；第三晶体管B3采用AO3400晶体管。所述第一晶体管B1第一管脚为基极，第二管脚为发射极，第三管脚为集电极；第二晶体管B2第一管脚为栅极，第二管脚为源极，第三管脚为漏极；第三晶体管B3第一管脚为栅极，第二管脚为源极，第三管脚为漏极。本实施例中，当控制端V输入高电平时，第一晶体管B1和第二晶体管B2截止，第三晶体管B3导通，电容C1进入低阻快速放电状态；当控制端V输入低电平时，第一晶体管B1和第二晶体管B2导通，第三晶体管B3截止，电容C1进入充电状态。第二晶体管B2采用PMOS管，导通内阻很小，可快速完成电容C1充电。MCU端V+可以用于控制电路，当MCU端V+为低电平时，第一晶体管B1和第二晶体管B2都截止，电路无法进入充电状态，起爆电容C1无法充电。为了保护第二晶体管B2和第三晶体管B3，可在第二晶体管B2和第三晶体管B3源极和漏极之间增加一个二极管。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子雷管起爆电容充放电电路，其特征在于，包括：电源端、MCU端、控制端、第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电容，其中：/n电源端Vcc，为电路输入电压；/n第一电阻，其一端与电源端连接，另一端与第一晶体管的第三管脚、第二晶体管的第一管脚连接；/n第一晶体管，其第一管脚与MCU端连接，第二管脚与第二电阻连接；第三管脚与第一电阻连接同时与第二晶体管的第一管脚连接，/n第二晶体管，其第一管脚与第一电阻、第一晶体管的第三管脚连接，第二管脚与电源端Vcc连接，第三管脚与电容正极连接；/n第二电阻，其一端与第一晶体管第二管脚连接，另一端与控制端、第三晶体管的第一管脚连接；/n第三晶体管，其第一管脚与控制端、第二电阻连接，第二管脚接地，第三管脚与第二晶体管的第三管脚、电容正极连接；/n电容，其负极接地。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子雷管起爆电容充放电电路，其特征在于，包括：电源端、MCU端、控制端、第一电阻、第二电阻、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和电容，其中：
电源端Vcc，为电路输入电压；
第一电阻，其一端与电源端连接，另一端与第一晶体管的第三管脚、第二晶体管的第一管脚连接；
第一晶体管，其第一管脚与MCU端连接，第二管脚与第二电阻连接；第三管脚与第一电阻连接同时与第二晶体管的第一管脚连接，
第二晶体管，其第一管脚与第一电阻、第一晶体管的第三管脚连接，第二管脚与电源端Vcc连接，第三管脚与电容正极连接；
第二电阻，其一端与第一晶体管第二管脚连接，另一端与控制端、第三晶体管的第一管脚连接；
第三晶体管，其第一管脚与控制端、第二电阻连接，第二管脚接地，第三管脚与第二晶体管的第三管脚、电容正极连接；
电容，其负极接地。


2.根据权利要求1所述电路，其特征在于，第一晶体管采用NPN管；第二晶体管采用PNP管；第三晶体管采用NMOS管。


3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘华，付加强，王兴忠，
申请(专利权)人：深圳市中安利业科技技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44