一种超宽频腔体耦合器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种超宽频腔体耦合器，包括腔体、盖板、第一连接器、第二连接器和第三连接器，腔体和盖板螺纹连接形成空腔，第一连接器、第二连接器和第三连接器分别安装在腔体的左端、右端和底端；腔体内安装有主导体、耦合导体和电阻，主导体的一端与所述第一连接器连接，主导体的另一端与第二连接器连接；耦合导体的一端与第三连接器连接，耦合导体的另一端与电阻连接；主导体和耦合导体之间平行分布，主导体为直条状导体，耦合导体包括第一阻抗部、第二阻抗部和第三阻抗部，本实用新型专利技术采用非常规波长传输，利用高精度仿真技术保障了其电性能，配合采用非50欧姆接头转接，能抵消非常规波长引起的驻波比传输影响，大大提高了传输的速度。

An ultra wideband cavity coupler

【技术实现步骤摘要】
一种超宽频腔体耦合器
本技术涉及移动通信设备
，具体涉及一种超宽频腔体耦合器。
技术介绍
随着通信行业的不断发展，室内分布系统对无源系列设备的要求越来越高，无源器件以其环保无污染、低功耗和可靠性高而被广泛使用。腔体耦合器是无源器件中十分常用的器件。三家运营商的多系统之间的合成使得在室分系统中，不断提高对传载通道的功率容量、互调特性等电性能的要求，应对即将到来的5G，普通的产品已经不能满足市场要求，对产品提出了超宽频的要求，因此需要研发一种宽频带800-6000MHz系列兼容5G要求的腔体耦合器以满足市场要求，以适应于室内分布和基站的耦合器产品对互调指标的要求。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种超宽频腔体耦合器，用于射频前端，能达到兼容5G要求具有宽频带800-6000MHz系列的耦合器，以解决现有的腔体耦合器不能兼容5G的问题。本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种超宽频腔体耦合器，包括腔体、盖板、第一连接器、第二连接器和第三连接器，所述腔体和盖板螺纹连接形成空腔，所述第一连接器安装在所述腔体的左端，所述第二连接器安装在所述腔体的右端，所述第三连接器安装在所述腔体的底端；所述腔体内安装有主导体、耦合导体和电阻，所述主导体的一端与所述第一连接器连接，所述主导体的另一端与所述第二连接器连接；所述耦合导体的一端与所述第三连接器连接，所述耦合导体的另一端与所述电阻连接；所述主导体和耦合导体之间平行分布，所述主导体为直条状导体，所述耦合导体包括第一阻抗部、第二阻抗部和第三阻抗部，所述第一阻抗部、第二阻抗部和第三阻抗部之间均通过斜接部一体连接，所述第二阻抗部的台阶面与第一阻抗部的台阶面的高度差h1大于所述第三阻抗部的台阶面与第二阻抗部的台阶面的高度差h2，所述耦合导体采用1/6波长耦合。进一步地，所述腔体的侧壁及所述盖板开设有互相配合的螺纹孔，盘头螺钉穿过所述螺纹孔将所述盖板螺纹安装在所述腔体上。进一步地，所述第一连接器、第二连接器和第三连接器均通过耦合口接头安装在腔体上。进一步地，所述主导体的两端、耦合导体与第三连接器连接的一端均具有卡槽连接角，所述腔体内壁上开设有与所述卡槽连接角配合的绝缘子卡槽。进一步地，所述电阻为5W功率电阻。进一步地，所述腔体内安装有多根绝缘支撑条，所述主导体和耦合导体支设于所述绝缘支撑条上。进一步地，所述腔体内安装有多组螺柱和挡块，所述螺柱和挡块之间形成安装槽，所述绝缘支撑条的端部安装在所述安装槽内，所述绝缘支撑条为四氟棒。进一步地，所述腔体和盖板均由铝合金材质制成。进一步地，所述主导体和耦合导体由黄铜制成。进一步地，所述腔体和盖板的内表面均设有6～7μm厚的镀银层。本技术的有益效果是：1)本技术的腔体耦合器，能替代替现有800-2700MHz系列耦合器产品能满足超宽频带800-6000MHz系列耦合器并兼容5G的要求，用于射频前端，可用于信号的隔离、分离和混合，如功率的监测、源输出功率稳幅、信号源隔离、传输及反射的扫频测试等，应用范围广。2)本技术的腔体耦合器，耦合导体采用1/6波长形式进行耦合，通过谐振腔选频方式对信号进行合成，插损小；其隔离度高节数为3阶，能实现三阶互调≤-140dBc；总带宽为5200M带宽，相比市面上采用1/4波长形式，本技术采用非常规波长传输，利用高精度仿真技术保障了其电性能，配合采用非50欧姆接头转接，能抵消非常规波长引起的驻波比传输影响，大大提高了传输的速度。3)在耦合器腔体内设置有由螺柱和挡块形成的安装槽，安装槽用以安装固定绝缘支撑条，能双向两头绝缘支撑条进行限位，缘支撑条的两端被压紧固定后，即使长久使用过后，绝缘支撑条也不容易从腔体的底壁上脱落下来，保证了安装的稳定性又确保了信号的分配稳定性，主导体和耦合导体支设于所述绝缘支撑条上，保证导体和连接器之间连接方便、可靠。附图说明图1为本技术的宽频腔体耦合器的整体结构示意图；图2为本技术的宽频腔体耦合器的盖板结构示意图；图3为本技术主导体和耦合导体的结构示意图；图4为本技术的侧视图；图中，1-腔体，2-盖板，3-第一连接器，4-第二连接器，5-第三连接器，6-主导体，7-耦合导体，701-第一阻抗部，702-第二阻抗部，703-第三阻抗部，704-斜接部，8-电阻，9-螺纹孔，10-盘头螺钉，11-耦合口接头，12-卡槽连接角，13-绝缘子卡槽，14-绝缘支撑条，15-螺柱，16-挡块，17-安装槽。具体实施方式下面将结合实施例，对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例1参阅图1-4，本技术提供一种技术方案：请参照图1，一种超宽频腔体1耦合器，包括腔体1、盖板2、第一连接器3、第二连接器4和第三连接器5，所述腔体1和盖板2螺纹连接形成空腔，所述第一连接器3安装在所述腔体1的左端，所述第二连接器4安装在所述腔体1的右端，所述第三连接器5安装在所述腔体1的底端；所述腔体1内安装有主导体6、耦合导体7和电阻8，所述主导体6的一端与所述第一连接器3连接，所述主导体6的另一端与所述第二连接器4连接；所述耦合导体7的一端与所述第三连接器5连接，所述耦合导体7的另一端与所述电阻8连接；所述主导体6和耦合导体7之间平行分布，所述主导体6为直条状导体，所述耦合导体7包括第一阻抗部701、第二阻抗部702和第三阻抗部703，所述第一阻抗部701、第二阻抗部702和第三阻抗部703之间均通过斜接部704一体连接，所述第二阻抗部702的台阶面与第一阻抗部701的台阶面的高度差h1大于所述第三阻抗部703的台阶面与第二阻抗部702的台阶面的高度差h2，所述耦合导体7采用1/6波长耦合。本技术的上述设计，将主导体6设计为直条状导体，耦合导体7分三阶阻抗部依次连接形成具有各抗部具有高度差的结构，又主导体6和耦合导体7之间平行分布，因此，耦合导体7的三个部分相对于主导体6的间距实现了三个不同等级的高度，在不增加主导体6的阻抗部数量的基础上增加腔体1耦合器的工作频率范围，能满足超宽频带800-6000MHz系列耦合器并兼容5G的要求。耦合导体7采用1/6波长形式进行耦合，通过谐振腔选频方式对信号进行合成，插损小；其隔离度高节数为3阶，能实现三阶互调≤-140dBc；总带宽为5200M带宽，相比市面上采用1/4波长形式，本技术采用非常规波长传输，利用高精度仿真技术保障了其电性能，配合采用非50欧姆接头转接，能抵消非常规波长引起的驻波比传输影响，大大提高了传输的速度。请参照图2，所述腔体1的侧壁及所述盖板2开设有互本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超宽频腔体耦合器，其特征在于：包括腔体(1)、盖板(2)、第一连接器(3)、第二连接器(4)和第三连接器(5)，所述腔体(1)和盖板(2)螺纹连接形成空腔，所述第一连接器(3)安装在所述腔体(1)的左端，所述第二连接器(4)安装在所述腔体(1)的右端，所述第三连接器(5)安装在所述腔体(1)的底端；/n所述腔体(1)内安装有主导体(6)、耦合导体(7)和电阻(8)，所述主导体(6)的一端与所述第一连接器(3)连接，所述主导体(6)的另一端与所述第二连接器(4)连接；所述耦合导体(7)的一端与所述第三连接器(5)连接，所述耦合导体(7)的另一端与所述电阻(8)连接；/n所述主导体(6)和耦合导体(7)之间平行分布，所述主导体(6)为直条状导体，所述耦合导体(7)包括第一阻抗部(701)、第二阻抗部(702)和第三阻抗部(703)，所述第一阻抗部(701)、第二阻抗部(702)和第三阻抗部(703)之间均通过斜接部(704)一体连接，所述第二阻抗部(702)的台阶面与第一阻抗部(701)的台阶面的高度差h1大于所述第三阻抗部(703)的台阶面与第二阻抗部(702)的台阶面的高度差h2，所述耦合导体(7)采用1/6波长耦合。/n...

【技术特征摘要】
1.一种超宽频腔体耦合器，其特征在于：包括腔体(1)、盖板(2)、第一连接器(3)、第二连接器(4)和第三连接器(5)，所述腔体(1)和盖板(2)螺纹连接形成空腔，所述第一连接器(3)安装在所述腔体(1)的左端，所述第二连接器(4)安装在所述腔体(1)的右端，所述第三连接器(5)安装在所述腔体(1)的底端；
所述腔体(1)内安装有主导体(6)、耦合导体(7)和电阻(8)，所述主导体(6)的一端与所述第一连接器(3)连接，所述主导体(6)的另一端与所述第二连接器(4)连接；所述耦合导体(7)的一端与所述第三连接器(5)连接，所述耦合导体(7)的另一端与所述电阻(8)连接；
所述主导体(6)和耦合导体(7)之间平行分布，所述主导体(6)为直条状导体，所述耦合导体(7)包括第一阻抗部(701)、第二阻抗部(702)和第三阻抗部(703)，所述第一阻抗部(701)、第二阻抗部(702)和第三阻抗部(703)之间均通过斜接部(704)一体连接，所述第二阻抗部(702)的台阶面与第一阻抗部(701)的台阶面的高度差h1大于所述第三阻抗部(703)的台阶面与第二阻抗部(702)的台阶面的高度差h2，所述耦合导体(7)采用1/6波长耦合。


2.根据权利要求1所述的超宽频腔体(1)耦合器，其特征在于：所述腔体(1)的侧壁及所述盖板(2)开设有互相配合的螺纹孔(9)，盘头螺钉(10)穿过所述螺纹孔(9)将所述盖板(2)螺纹安装在所述腔体(1)上。


3.根据权利要求1所述的超宽频腔体(1)耦合器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：马玉国，王勇，沈灵，
申请(专利权)人：上海鑫众通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31