电池片制造技术

本实用新型专利技术涉及电池片，该电池片包括硅片，所述硅片的受光面和/或背光面包括抛光区域和非抛光区域，所述硅片的受光侧和/或背光侧由内至外依次设置有钝化介质层、掺杂的多晶硅薄膜层以及金属电极，所述硅片的抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度大于所述非抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度，所述金属电极与所述硅片的抛光区域相对应。根据本实用新型专利技术实施例的电池片，降低了金属接触复合对钝化介质层的破坏，且降低了掺杂的多晶硅薄膜层对光的吸收，从而提高了该电池片的开路电压和短路电流，进而提升了该电池片的性能。

Battery sheet

【技术实现步骤摘要】
电池片
本技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种电池片。
技术介绍
晶体硅太阳能电池要想获得高效率，其晶体硅基体表面必须具有良好的钝化将少数载流子的表面复合速率控制到最小，从而获得较高的开压、电流和填充因子。近几年来，钝化接触在晶体硅太阳能电池领域逐渐得以实施应用，其基本方法是将钝化与电接触分开，采用在硅基体的背面生长一层超薄的氧化层，并在氧化层上制备一层掺杂的多晶硅薄膜层作为金属电接触的缓冲层，利用隧道效应电子穿过超薄的氧化层进入掺杂的多晶硅薄膜层，然后被金属电极收集到外电路。但是，大规模工业生产都用丝网印刷银浆料或银铝浆料，再通过高温烧结的方法来实现金属电接触。在高温烧结过程中，金属浆料会穿透掺杂的多晶硅薄膜层对介于硅基体与掺杂的多晶硅薄膜层之间的氧化层具有一定的破坏作用，对其钝化效果产生一定的影响，造成开路电压降低。为了减少此金属复合的影响以提升电池片的效率，增加掺杂的多晶硅薄膜层的厚度是不错的选择，但掺杂的多晶硅薄膜层有个缺点就是对光具有一定的吸收作用，而且掺杂的多晶薄膜层随着厚度的增加吸收作用变得更为严重。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术的一个目的在于提供一种电池片，该电池片降低了金属接触复合对钝化介质层的破坏，且降低了掺杂的多晶硅薄膜层对光的吸收，从而提高了该电池片的开路电压和短路电流，进而提升了该电池片的性能。本技术的另一个目的在于提供一种上述电池片的制备方法。为达到上述目的，本技术采用如下技术方案：根据本技术第一方面实施例的电池片，包括硅片，所述硅片的受光面和/或背光面包括抛光区域和非抛光区域，所述硅片的受光侧和/或背光侧由内至外依次设置有钝化介质层、掺杂的多晶硅薄膜层以及金属电极，所述硅片的抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度大于所述非抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度，所述金属电极与所述硅片的抛光区域相对应。优选地，所述硅片的受光面和/或背光面包括多个所述抛光区域和非抛光区域，多个所述抛光区域和所述非抛光区域均匀地交替分布。优选地，所述非抛光区域为制绒面或湿刻面。优选地，所述掺杂的多晶硅薄膜层的外侧还设置有钝化层。优选地，所述钝化介质层为SiOx层、TiOx层和SiOXN1-X层中的一种或多种。优选地，所述钝化介质层的厚度为0.5-2.5nm。优选地，所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度为5-300nm。根据本技术第二方面实施例的电池片的制备方法，包括如下步骤：步骤S1，提供硅片，在所述硅片的受光面和/或背光面设置抛光区域和非抛光区域；步骤S2，于所述硅片的受光侧和/或背光侧由内到外依次设置钝化介质层和掺杂的多晶硅薄膜层，其中，所述硅片的抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度大于所述非抛光区域对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层的厚度；步骤S3，于所述硅片的受光侧和/或背光侧设置金属电极，且所述金属电极与所述硅片的抛光区域相对应。优选地，所述步骤S1具体包括：步骤S11，提供硅片，于所述硅片的受光侧和/或背光侧设置掩膜；步骤S12，对所述掩膜的指定区域进行开膜使所述硅片的受光面和/或背光面的部分区域暴露；步骤S13，对所述硅片的受光面和/或背光面的暴露的部分区域进行抛光处理，以形成抛光区域；步骤S14，去除所述硅片的受光面和/或背光面的暴露的部分区域以外的其它区域的掩膜，形成非抛光区域。优选地，所述步骤S2还包括：于所述掺杂的多晶硅薄膜层的外侧设置钝化层。优选地，所述步骤S2还包括：于所述硅片的受光侧和/或背光侧由内到外依次设置所述钝化介质层和所述掺杂的多晶硅薄膜层后，对所述硅片进行退火处理。优选地，所述步骤S2包括：步骤S21，于所述硅片的受光侧和/或背光侧由内到外依次设置钝化介质层和未经掺杂的多晶硅薄膜层；步骤S22，于所述未经掺杂的多晶硅薄膜层的表面进行离子注入掺杂或扩散掺杂以形成掺杂的多晶硅薄膜层。本技术的有益效果在于：通过用以形成电池片的硅片的受光面和/或背光面包括抛光区域和非抛光区域，在镀膜时，使硅片的抛光区域对应的掺杂的多晶硅薄膜层沉积的厚度大于非抛光区域对应的掺杂的多晶硅薄膜层沉积的厚度，且金属电极与硅片的抛光区域相对应，即掺杂的多晶硅薄膜层的金属接触区域较厚，而非金属接触区域较薄，从而该电池片降低了金属接触复合对钝化介质层的破坏，提高了该电池片的开路电压，且降低了掺杂的多晶硅薄膜层对光的吸收，提高了该电池片的短路电流，进而提升了该电池片的性能。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。附图说明图1为本技术一实施例的电池片的局部侧视图；图2为本技术另一实施例的电池片的局部侧视图；图3为本技术实施例的电池片的制备方法的流程图；图4为本技术实施例的硅片的受光面和/或背光面设置抛光区域和非抛光区域的制备方法的流程图；图5为本技术实施例的硅片的局部侧视图；图6为图5中的硅片的背光侧设置有掩膜的局部侧视图；图7为图6中设置于硅片的背光侧的掩膜的指定区域进行开膜使硅片的背光面的部分区域暴露的局部侧视图；图8为图7中的硅片的背光面的暴露的部分区域进行抛光处理形成抛光区域的局部侧视图；图9为本技术实施例的背光面设置有抛光区域和非抛光区域的硅片的局部侧视图；图10为本技术实施例1的硅片的设置有抛光区域和非抛光区域的背光面的形貌分布图；图11为本技术实施例2的硅片的设置有抛光区域和非抛光区域的背光面的形貌分布图；图12为本技术实施例3的硅片的设置有抛光区域和非抛光区域的背光面的形貌分布图；图13为本技术实施例4的硅片的设置有抛光区域和非抛光区域的背光面的形貌分布图；图14为本技术实施例的硅片的背光侧设置有钝化介质层的局部侧视图；图15为图14中的硅片的背光侧设置有掺杂的多晶硅薄膜层的局部侧视图；图16为图15中的硅片的背光侧设置有钝化层的局部侧视图。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本技术，但不用来限制本技术的范围。如图1所示，根据本技术实施例的电池片10，包括硅片20，硅片20的受光面和/或背光面包括抛光区域21和非抛光区域22，硅片20的受光侧和/或背光侧由内至外依次设置有钝化介质层30、掺杂的多晶硅薄膜层40以及金属电极50，硅片20的抛光区域21对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度大于非抛光区域22对应的掺杂的多晶硅薄膜层40的厚度，金属电极50与硅片20的抛光区域21相对应。其中，掺杂的多晶硅薄膜层40的掺杂属性可为空穴掺杂或电子掺杂。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电池片(10)，其特征在于，包括硅片(20)，所述硅片(20)的受光面和/或背光面包括抛光区域(21)和非抛光区域(22)，所述硅片(20)的受光侧和/或背光侧由内至外依次设置有钝化介质层(30)、掺杂的多晶硅薄膜层(40)以及金属电极(50)，所述硅片(20)的抛光区域(21)对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的厚度大于所述非抛光区域(22)对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的厚度，所述金属电极(50)与所述硅片(20)的抛光区域(21)相对应。/n

【技术特征摘要】
1.一种电池片(10)，其特征在于，包括硅片(20)，所述硅片(20)的受光面和/或背光面包括抛光区域(21)和非抛光区域(22)，所述硅片(20)的受光侧和/或背光侧由内至外依次设置有钝化介质层(30)、掺杂的多晶硅薄膜层(40)以及金属电极(50)，所述硅片(20)的抛光区域(21)对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的厚度大于所述非抛光区域(22)对应的所述掺杂的多晶硅薄膜层(40)的厚度，所述金属电极(50)与所述硅片(20)的抛光区域(21)相对应。


2.根据权利要求1所述的电池片(10)，其特征在于，所述硅片(20)的受光面和/或背光面包括多个所述抛光区域(21)和非抛光区域(22)，多个所述抛光区域(21)和所述非抛光区域(22)均匀...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊兵，尹海鹏，唐文帅，
申请(专利权)人：合肥晶澳太阳能科技有限公司，晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34