【技术实现步骤摘要】
一种保护籽晶的结构
本技术涉及半导体
，具体为一种保护籽晶的结构。
技术介绍
所谓单晶，即结晶体内部的微粒在三维空间呈有规律地、周期性地排列，或者说晶体的整体在三维方向上由同一空间格子构成，整个晶体中质点在空间的排列为长程有序。单晶整个晶格是连续的，具有重要的工业应用。单晶生长制备方法大致可以分为气相生长、溶液生长、水热生长、熔盐法、熔体法。最常见的技术有提拉法、坩埚下降法、区熔法、定向凝固法等。现籽晶在引晶阶段时，模具下压籽晶容易使籽晶折断或者模具被压出凹痕，影响籽晶的处理效率。为此，本技术提出一种保护籽晶的结构用于解决上述问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种保护籽晶的结构，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种保护籽晶的结构，包括阻尼件和活塞杆，所述阻尼件顶面的中心位置焊接有螺纹颈，所述螺纹颈螺纹连接上连接件的底部，所述阻尼件顶部的外壳内开设有安装腔，所述安装腔内部安装有定位杆，所述阻尼件内部的中间位置密封焊接有隔板，所述隔板将阻尼件内部的上侧...
【技术保护点】
1.一种保护籽晶的结构，包括阻尼件(1)和活塞杆(2)，其特征在于：所述阻尼件(1)顶面的中心位置焊接有螺纹颈(6)，所述螺纹颈(6)螺纹连接上连接件(4)的底部，所述阻尼件(1)顶部的外壳内开设有安装腔(7)，所述安装腔(7)内部安装有定位杆(8)，所述阻尼件(1)内部的中间位置密封焊接有隔板(11)，所述隔板(11)将阻尼件(1)内部的上侧分隔为密封的缸体(12)，所述缸体(12)内部填充有磁流变液，所述缸体(12)内部嵌合安装有活塞片(16)，所述活塞片(16)顶面的中部安装有励磁线圈(17)，所述活塞片(16)底面的中心位置焊接于活塞杆(2)的顶端，所述活塞杆(2)...
【技术特征摘要】
1.一种保护籽晶的结构，包括阻尼件(1)和活塞杆(2)，其特征在于：所述阻尼件(1)顶面的中心位置焊接有螺纹颈(6)，所述螺纹颈(6)螺纹连接上连接件(4)的底部，所述阻尼件(1)顶部的外壳内开设有安装腔(7)，所述安装腔(7)内部安装有定位杆(8)，所述阻尼件(1)内部的中间位置密封焊接有隔板(11)，所述隔板(11)将阻尼件(1)内部的上侧分隔为密封的缸体(12)，所述缸体(12)内部填充有磁流变液，所述缸体(12)内部嵌合安装有活塞片(16)，所述活塞片(16)顶面的中部安装有励磁线圈(17)，所述活塞片(16)底面的中心位置焊接于活塞杆(2)的顶端，所述活塞杆(2)穿过隔板(11)，所述活塞杆(2)的底端连接限位座(3)顶面的中间位置，所述限位座(3)底面的中间位置螺纹连接下连接件(5)的上端。
2.根据权利要求1所述的一种保护籽晶的结构，其特征在于：所述活塞杆(2)内部在其轴线位置开设的通道内部安装有电源线(19)，所述电源线(19)的一端电性连接励磁线圈(17)的一端，所述电源线(19)的另一端连接装置外部直流电源。
3.根据权利要求1所述的一种保护籽晶的结构，其特征在于：所述阻尼件(1)内部在隔板(11)下方的两...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁会宁，杨定勇，黄辉，朱庆龙，宋江，
申请(专利权)人：扬州晶樱光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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