用于降低氯硅烷中硼、磷杂质含量的吸附设备制造技术

本发明专利技术公开了用于降低氯硅烷中硼、磷杂质含量的吸附设备，属于多晶硅制造技术领域，其主要通过设置多个吸附单元构成吸附柱，以使实施人员能依据氯硅烷的流量，而对其吸附柱筒身本体内的吸附单元的个数进行调整，优化吸附剂使用效率。

Adsorption equipment for reducing boron and phosphorus impurities in chlorosilane

【技术实现步骤摘要】
用于降低氯硅烷中硼、磷杂质含量的吸附设备
本专利技术涉及多晶硅制造
，具体而言，尤其涉及用于降低氯硅烷中硼、磷杂质含量的吸附设备。
技术介绍
随着全球清洁能源需求日益增大，太阳能资源的利用率逐步提升。而多晶硅作太阳能发电板的关键原料，其纯度直接影响了太阳发电板的转换效率和寿命。而目前，多晶硅生产中的主要杂质有：B、P、C、O、Fe、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、Cr等。其中，硼、磷杂质的去除难度较大、成本高。如何除去多晶硅中的硼、磷杂质成为一个亟待解决的技术问题。公开日为2016年7月6日，申请号为CN201610112604.4的中国专利技术专利文献公开了一种氯硅烷固定床化学吸附反应法除硼磷的方法和设备，其主要利用承载于固定床上的吸附剂对氯硅烷中的硼、磷杂质进行清除，而在此技术方案当中，由于固定床采用了传统结构，无法依据氯硅烷的流量，而对吸附剂的量进行调整，吸附剂使用起来有所浪费，且其在使用了一段时间后，必须停机等待吸附剂活化后，才能继续使用，处理起来效率较低。
技术实现思路
综上所述，本专利技术所解决的技术问题是：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于降低氯硅烷中硼、磷杂质含量的吸附设备，包括有沿氯硅烷行进方向依次串接的换热器，吸附柱和缓冲罐，其特征在于：所述吸附柱主要由筒身本体，以及多个沿从上至下的方向以依次垒置的形式收容于筒身本体的内腔中的吸附单元所构成，所述吸附单元与筒身本体的内腔相连通，且可相对于筒身本体沿垂向滑动，任一吸附单元均包括有同轴线套设在一起的内环和外环，所述内环和外环之间留有环状间隙，且环状间隙的两端由滤网所封闭，从而围合出收容空间，所述收容空间内填充有硼磷吸附剂，相邻两个吸附单元的收容空间相互连通；所述筒身本体的内腔的顶端由顶座所封闭，而其内腔的底端则由与筒身本体可拆卸连接的底座所封闭；顶座中构成有用于连通缓冲...

【技术特征摘要】
1.用于降低氯硅烷中硼、磷杂质含量的吸附设备，包括有沿氯硅烷行进方向依次串接的换热器，吸附柱和缓冲罐，其特征在于：所述吸附柱主要由筒身本体，以及多个沿从上至下的方向以依次垒置的形式收容于筒身本体的内腔中的吸附单元所构成，所述吸附单元与筒身本体的内腔相连通，且可相对于筒身本体沿垂向滑动，任一吸附单元均包括有同轴线套设在一起的内环和外环，所述内环和外环之间留有环状间隙，且环状间隙的两端由滤网所封闭，从而围合出收容空间，所述收容空间内填充有硼磷吸附剂，相邻两个吸附单元的收容空间相互连通；所述筒身本体的内腔的顶端由顶座所封闭，而其内腔的底端则由与筒身本体可拆卸连接的底座所封闭；顶座中构成有用于连通缓冲罐和其内腔的出料通道，而底座中则构成有用于连通换热器和其内腔的进料通道，所述出料通道与缓冲罐之间通过挠性管相连通；所述吸附柱还包括有沿垂向延伸并穿过任一吸附单元内环内孔的换热管，所述换热管的外周与任一内环的内孔内周之间可滑动的换热接触，所述吸附柱与缓冲罐之间通过挠性管相连通。


2.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：易军，唐东昌，简凤宁，赵小飞，
申请(专利权)人：新疆东方希望新能源有限公司，
类型：发明
国别省市：新疆;65