【技术实现步骤摘要】
半导体芯片的封装结构及其制作方法与射频模组
本专利技术涉及一种半导体芯片的封装结构,特别是涉及一种声滤波器芯片的封装结构、其制作方法及射频模组,属于芯片封装领域。
技术介绍
声滤波器市场的迅猛发展带动了相关封装行业的迅速发展。目前CSP(ChipScalePackage)封装技术已经广泛应用于声滤波器芯片的封装。传统CSP声滤波器由声滤波器管芯、封装树脂和芯片载板构成。典型的声滤波器芯片、芯片载板厚度分别为0.2mm、0.15mm,加上封装树脂层厚度,最终产品厚度至少为0.5mm,在声滤波器小型化方面已经走到极限。然而在电子产品高密度、高性能、高集成度和低成本的发展趋势下,对声滤波器的尺寸和厚度提出了更高的要求,同时也对新型声滤波器的集成度和兼容性提出了更高的要求。为此,众多研究人员进行了深入研究并提出了多种解决方案,但其均存在一些不足。例如,图1示出了现有的一种声滤波器WLP(晶圆级封装,WaferLevelPackage)封装结构,其主要是在衬底101上制备芯片的功能区102和电极103后,采用双层有机物材料结构 ...
【技术保护点】
1.一种半导体芯片的封装结构,包括半导体芯片和与半导体芯片配合的芯片载板,其特征在于:所述半导体芯片表面形成有密封圈,所述密封圈与所述芯片载板及所述半导体芯片配合形成密封空腔,所述半导体芯片的功能区被所述密封圈环绕且位于所述密封空腔内。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片的封装结构,包括半导体芯片和与半导体芯片配合的芯片载板,其特征在于:所述半导体芯片表面形成有密封圈,所述密封圈与所述芯片载板及所述半导体芯片配合形成密封空腔,所述半导体芯片的功能区被所述密封圈环绕且位于所述密封空腔内。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述半导体芯片的电极层上形成有导电凸点,所述半导体芯片经所述导电凸点与芯片载板的电极电性焊接结合,芯片载板内部设有布线层。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述密封圈的厚度为1μm至50μm;和/或,所述密封圈由光刻材料形成;和/或,所述半导体芯片包括衬底以及形成在衬底上的叉指结构和电极层,所述叉指结构与电极层电连接且均分布在功能区;和/或,所述半导体芯片为声滤波器芯片。
4.一种半导体芯片的封装方法,其特征在于包括:
采用光刻材料在半导体芯片表面形成密封圈,并使所述密封圈环绕所述半导体芯片的功能区设置;
将所述半导体芯片与相配合的芯片载板结合,并使所述半导体芯片与所述芯片载板及所述密封圈配合形成密封空腔,且使所述半导体芯片的功能区被封装于所述密封空腔内。
5.根据权利要求4所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于具体包括:在所述半导体芯片表面形成光刻材料层,之后进行曝光、显影,从而在所述半...
【专利技术属性】
技术研发人员:周冲,
申请(专利权)人:苏州宙讯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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