用于磁性防伪元件的检测方法及设备技术

本发明专利技术实施例提供一种用于磁性防伪元件的检测方法及设备，属于防伪领域。所述用于磁性防伪元件的检测方法包括：由磁化装置对磁性防伪元件进行磁化以使得：高矫顽力磁性区域的剩余磁矩被磁化到第一方向；低矫顽力磁性区域的剩余磁矩被磁化到第二方向，所述第二方向垂直于所述第一方向；组合磁性区域中，第一磁性材料的剩余磁矩被磁化到所述第一方向，第二磁性材料的剩余磁矩被磁化到所述第二方向，其中第一磁性材料的矫顽力的强度大于第二磁性材料的矫顽力的强度；以及通过磁性检测装置检测经磁化后的磁性防伪元件以获得高矫顽力磁性区域、低矫顽力磁性区域、组合磁性区域的磁信号。其能够更加简便的实现对磁性防伪元件中的各区域的分布进行判定。

Test method and equipment for magnetic anti-counterfeiting components

【技术实现步骤摘要】
用于磁性防伪元件的检测方法及设备
本专利技术涉及防伪领域，具体地，涉及一种用于磁性防伪元件的检测方法及设备。
技术介绍
包含有高矫顽力磁性区域、低矫顽力磁性区域和组合磁性区域的磁性防伪元件在钞票等有价证券的清分和防伪中具有重要作用，其中组合磁性区域包含有高、低矫顽力两种磁性材料，专利申请EP0428779A1和WO2009090676A1阐述了该类磁性防伪元件在钞票防伪中的功能。关于包含有高矫顽力磁性区域、低矫顽力磁性区域和组合磁性区域的磁性防伪元件的检测方法，专利EP0428779A1和WO2009103352A1公开了采用先对磁性防伪元件中的磁性区域进行饱和磁化，然后检测信号，再对低矫顽力磁性区域进行消磁磁化，然后再检测信号的方法进行检测。专利申请CN102939620A公开了采用先对磁性防伪元件中的磁性区域进行饱和磁化，然后检测信号，再对低矫顽力磁性区域进行反向磁化，然后再检测信号的方法进行检测。上述用于检测磁性防伪元件的方法均至少需要两个磁性传感器检测磁性防伪元件的信号，然后分析两个磁性传感器检测得到的信号特征，从而实现对高矫顽力磁性区域、低矫顽力磁性区域和组合磁性区域进行判定，因此在通常情况下，上述用于检测磁性防伪元件的方法和装置较为复杂且成本高。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种用于磁性防伪元件的检测方法及设备，其能够更加简便的实现对磁性防伪元件中的高矫顽力磁性区域、低矫顽力磁性区域、组合磁性区域的进行判定。为了实现上述目的，本专利技术实施例提供一种用于磁性防伪元件的检测方法，所述磁性防伪元件包括至少一个高矫顽力磁性区域、至少一个低矫顽力磁性区域、至少一个组合磁性区域，所述高矫顽力磁性区域由具有第一矫顽力的第一磁性材料构成，所述低矫顽力磁性区域由具有第二矫顽力的第二磁性材料构成，所述组合磁性区域由所述第一磁性材料和所述第二磁性材料组合构成，其中，所述第一矫顽力的强度大于所述第二矫顽力的强度，所述用于磁性防伪元件的检测方法包括：由磁化装置对所述磁性防伪元件进行磁化以使得：所述高矫顽力磁性区域的剩余磁矩被磁化到第一方向；所述低矫顽力磁性区域的剩余磁矩被磁化到第二方向，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述组合磁性区域中，所述第一磁性材料的剩余磁矩被磁化到所述第一方向，所述第二磁性材料的剩余磁矩被磁化到所述第二方向；以及通过磁性检测装置检测经磁化后的所述磁性防伪元件以获得所述高矫顽力磁性区域、所述低矫顽力磁性区域、所述组合磁性区域的磁信号。可选的，所述第一方向为与所述磁性防伪元件所在平面垂直的方向，所述第二方向为与所述磁性防伪元件的各磁性区域的排列方向平行。可选的，所述磁化装置为永磁铁，在进行磁化时所述永磁铁的N极和S极与所述磁性防伪元件的检测方向平行，其中所述永磁铁产生的磁力线中对所述磁性防伪元件进行磁化的第一部分磁力线的磁力线强度在所述第一方向的分量大于所述第一矫顽力的强度，所述永磁铁产生的磁力线中对所述磁性防伪元件进行磁化的第二部分磁力线的磁力线强度在所述第二方向的分量小于所述第一矫顽力的强度而大于所述第二矫顽力的强度，所述磁性防伪元件依次经由所述第一部分磁力线和所述第二部分磁力线磁化后，由所述磁性检测装置进行检测，其中所述第一部分磁力线的磁力线强度在所述第一方向的分量大于在所述第二方向的分量，所述第二部分磁力线的磁力线强度在所述第二方向的分量大于在所述第一方向的分量。可选的，所述永磁铁为长方体，所述永磁铁的构成材料是以下一者或多者：钕铁硼、钐钴、或铁氧体。可选的，所述磁性检测装置为磁性传感器，所述磁性传感器的磁头由以下一者或多者构成：线圈型磁头、TMR型磁头、AMR磁头、或MR磁头。相应的，本专利技术实施例还提供一种用于磁性防伪元件的检测设备，所述磁性防伪元件包括至少一个高矫顽力磁性区域、至少一个低矫顽力磁性区域、至少一个组合磁性区域，所述高矫顽力磁性区域由具有第一矫顽力的第一磁性材料构成，所述低矫顽力磁性区域由具有第二矫顽力的第二磁性材料构成，所述组合磁性区域由所述第一磁性材料和所述第二磁性材料组合构成，其中，所述第一矫顽力的强度大于所述第二矫顽力的强度，所述用于磁性防伪元件的检测设备包括：磁化装置，用于对所述磁性防伪元件进行磁化以使得：所述高矫顽力磁性区域的剩余磁矩被磁化到第一方向；所述低矫顽力磁性区域的剩余磁矩被磁化到第二方向，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述组合磁性区域中，所述第一磁性材料的剩余磁矩被磁化到所述第一方向，所述第二磁性材料的剩余磁矩被磁化到所述第二方向；以及磁性检测装置，用于检测经磁化后的所述磁性防伪元件以获得所述高矫顽力磁性区域、所述低矫顽力磁性区域、所述组合磁性区域的磁信号。可选的，所述第一方向为与所述磁性防伪元件所在平面垂直的方向，所述第二方向为与所述磁性防伪元件的各磁性区域的排列方向平行。可选的，所述磁化装置为永磁铁，在进行磁化时所述永磁铁的N极和S极与所述磁性防伪元件的检测方向平行，其中所述永磁铁产生的磁力线中对所述磁性防伪元件进行磁化的第一部分磁力线的磁力线强度在所述第一方向的分量大于所述第一矫顽力的强度，所述永磁铁产生的磁力线中对所述磁性防伪元件进行磁化的第二部分磁力线的磁力线强度在所述第二方向的分量小于所述第一矫顽力的强度而大于所述第二矫顽力的强度，所述磁性防伪元件依次经由所述第一部分磁力线和所述第二部分磁力线磁化后，由所述磁性检测装置进行检测，其中所述第一部分磁力线的磁力线强度在所述第一方向的分量大于在所述第二方向的分量，所述第二部分磁力线的磁力线强度在所述第二方向的分量大于在所述第一方向的分量。可选的，所述永磁铁为长方体，所述永磁铁的构成材料是以下一者或多者：钕铁硼、钐钴、或铁氧体。可选的，所述磁性检测装置为磁性传感器，所述磁性传感器由以下一者或多者构成：线圈型磁头、TMR型磁头、AMR磁头、或MR磁头。本专利技术实施例提供的用于磁性防伪元件的检测方法及设备，采用磁化装置对磁性防伪元件进行一次磁化而使得不同磁性区域的剩余磁矩被磁化到不同的方向，并可以通过一个磁性检测装置对磁化后的磁性防伪元件进行一次检测就可以得到不同磁性区域的不同的磁信号，从而使得对磁性防伪元件中高矫顽力磁性区域、低矫顽力磁性区域、组合磁性区域的判定更加简便。本专利技术实施例的其它特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术实施例，但并不构成对本专利技术实施例的限制。在附图中：图1示出了一实施例中对磁性防伪元件进行磁化的示意图；图2(a)至图2(c)分别示出了一实施例中经磁化后的磁性防伪元件的高矫顽力磁性区域、低矫顽力磁性区域、组合磁性区域的剩余磁矩的排列分布；以及图3示出了一实施例中磁性检测装置检测到的经磁化后的磁性防伪元件的高矫顽力磁性区域、低矫顽力磁性区域、组合磁性区域的磁信号的示意图。具体实施方式以下结合附图对本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于磁性防伪元件的检测方法，其特征在于，所述磁性防伪元件包括至少一个高矫顽力磁性区域、至少一个低矫顽力磁性区域、至少一个组合磁性区域，所述高矫顽力磁性区域由具有第一矫顽力的第一磁性材料构成，所述低矫顽力磁性区域由具有第二矫顽力的第二磁性材料构成，所述组合磁性区域由所述第一磁性材料和所述第二磁性材料组合构成，其中，所述第一矫顽力的强度大于所述第二矫顽力的强度，所述用于磁性防伪元件的检测方法包括：/n由磁化装置对所述磁性防伪元件进行磁化以使得：/n所述高矫顽力磁性区域的剩余磁矩被磁化到第一方向；/n所述低矫顽力磁性区域的剩余磁矩被磁化到第二方向，所述第二方向垂直于所述第一方向；/n所述组合磁性区域中，所述第一磁性材料的剩余磁矩被磁化到所述第一方向，所述第二磁性材料的剩余磁矩被磁化到所述第二方向；以及/n通过磁性检测装置检测经磁化后的所述磁性防伪元件以获得所述高矫顽力磁性区域、所述低矫顽力磁性区域、所述组合磁性区域的磁信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于磁性防伪元件的检测方法，其特征在于，所述磁性防伪元件包括至少一个高矫顽力磁性区域、至少一个低矫顽力磁性区域、至少一个组合磁性区域，所述高矫顽力磁性区域由具有第一矫顽力的第一磁性材料构成，所述低矫顽力磁性区域由具有第二矫顽力的第二磁性材料构成，所述组合磁性区域由所述第一磁性材料和所述第二磁性材料组合构成，其中，所述第一矫顽力的强度大于所述第二矫顽力的强度，所述用于磁性防伪元件的检测方法包括：
由磁化装置对所述磁性防伪元件进行磁化以使得：
所述高矫顽力磁性区域的剩余磁矩被磁化到第一方向；
所述低矫顽力磁性区域的剩余磁矩被磁化到第二方向，所述第二方向垂直于所述第一方向；
所述组合磁性区域中，所述第一磁性材料的剩余磁矩被磁化到所述第一方向，所述第二磁性材料的剩余磁矩被磁化到所述第二方向；以及
通过磁性检测装置检测经磁化后的所述磁性防伪元件以获得所述高矫顽力磁性区域、所述低矫顽力磁性区域、所述组合磁性区域的磁信号。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一方向为与所述磁性防伪元件所在平面垂直的方向，所述第二方向为与所述磁性防伪元件的各磁性区域的排列方向平行。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述磁化装置为永磁铁，在进行磁化时所述永磁铁的N极和S极与所述磁性防伪元件的检测方向平行，
其中所述永磁铁产生的磁力线中对所述磁性防伪元件进行磁化的第一部分磁力线的磁力线强度在所述第一方向的分量大于所述第一矫顽力的强度，所述永磁铁产生的磁力线中对所述磁性防伪元件进行磁化的第二部分磁力线的磁力线强度在所述第二方向的分量小于所述第一矫顽力的强度而大于所述第二矫顽力的强度，所述磁性防伪元件依次经由所述第一部分磁力线和所述第二部分磁力线磁化后，由所述磁性检测装置进行检测，
其中所述第一部分磁力线的磁力线强度在所述第一方向的分量大于在所述第二方向的分量，所述第二部分磁力线的磁力线强度在所述第二方向的分量大于在所述第一方向的分量。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述永磁铁为长方体，所述永磁铁的构成材料是以下一者或多者：钕铁硼、钐钴、或铁氧体。


5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述磁性检测装置为磁性传感器，所述磁性传感器的磁头由以下一者或多者构成：线圈型磁头、TMR型磁头、AMR磁头、或MR磁头。

【专利技术属性】
技术研发人员：张岩，田子纯，周晓辉，
申请(专利权)人：中钞特种防伪科技有限公司，中国印钞造币总公司，
类型：发明
国别省市：北京;11