太赫兹倍频器制造技术

本发明专利技术提供了一种太赫兹倍频器，属于太赫兹器件领域，包括金属外壳、设于金属外壳内腔中的电路基板、设于电路基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，金属外壳上与电路基板对应的第二类压点处设有第二热膨胀适配层，第二热膨胀适配层包括与金属外壳一体设置的适配基板及设于适配基板上且开口方向平行于电路基板板面的多个适配通孔，适配基板还与电路基板连接。本发明专利技术提供的太赫兹倍频器通过多空板状结构能有效释放电路基板与金属外壳之间的应力，可以有效改善电路基板与金属外壳之间的热膨胀失配，进而使电路基板的使用稳定性得到有效提升。

Terahertz frequency multiplier

【技术实现步骤摘要】
太赫兹倍频器
本专利技术属于太赫兹器件
，更具体地说，是涉及一种太赫兹倍频器。
技术介绍
太赫兹波是指频率范围在0.1THz-10THz内的电磁波，具有非常优秀的特性，能够广泛应用在安检、医疗、航天、检测等领域。太赫兹倍频器可以将低频的电磁波进行倍频形成太赫兹波，是获得太赫兹波的核心器件。由于太赫兹倍频器中的电路基板与金属外壳内腔之间存在较大的热膨胀系数失配，导致电路基板的使用性能不稳定。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种太赫兹倍频器，以解决现有技术中存在的电路基板与金属外壳内腔之间存在较大的热膨胀系数失配，导致电路基板的使用性能不稳定的技术问题。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：提供一种太赫兹倍频器，包括：金属外壳、设于所述金属外壳内腔中的电路基板、设于所述电路基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，所述金属外壳上与所述电路基板对应的第二类压点处设有第二热膨胀适配层，所述第二热膨胀适配层包括与所述金属外壳一体设置的适配基板及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.太赫兹倍频器，其特征在于：包括金属外壳、设于所述金属外壳内腔中的电路基板、设于所述电路基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，所述金属外壳上与所述电路基板对应的第二类压点处设有第二热膨胀适配层，所述第二热膨胀适配层包括与所述金属外壳一体设置的适配基板及设于所述适配基板上且开口方向平行于所述电路基板板面的多个适配通孔，所述适配基板还与所述电路基板连接。/n

【技术特征摘要】
1.太赫兹倍频器，其特征在于：包括金属外壳、设于所述金属外壳内腔中的电路基板、设于所述电路基板上且依次连接的输入波导结构、滤波电路结构、第一匹配电路结构、倍频芯片、第二匹配电路结构及输出波导结构，所述金属外壳上与所述电路基板对应的第二类压点处设有第二热膨胀适配层，所述第二热膨胀适配层包括与所述金属外壳一体设置的适配基板及设于所述适配基板上且开口方向平行于所述电路基板板面的多个适配通孔，所述适配基板还与所述电路基板连接。


2.如权利要求1所述的太赫兹倍频器，其特征在于：所述适配通孔包括圆孔、椭圆孔、多边形孔中的一种或多种的组合。


3.如权利要求1所述的太赫兹倍频器，其特征在于：多个所述适配通孔的分布方式包括矩形阵列式分布、环形阵列式分布或不规则分布中的一种或多种的组合。


4.如权利要求1所述的太赫兹倍频器，其特征在于：所述适配通孔的内径为10nm-10μm，所述适配通孔的深度大于1μm。


5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋旭波，梁士雄，冯志红，杨大宝，张立森，吕元杰，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第十三研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13