【技术实现步骤摘要】
一种IGBT模块寿命监测方法
本专利技术涉及IGBT模块领域，尤其涉及一种IGBT模块寿命监测方法。
技术介绍
目前，IGBT模块在实际应用中，受各种工况的影响，存在频繁的功率循环。工作过程中，芯片被不断地加热和冷却，导致芯片表面金属覆层结构发生变化，重复性的微变化逐渐累积，导致与芯片连接的绑定线发生断裂、位移或脱落等现象，最终IGBT模块因寿命终止而失效，进而造成非预期的设备停机或引发更大的事故。因此监测IGBT模块的老化情况，并在其寿命终止前发出警示，显得非常重要，也是在该领域中的技术难题。在现有技术中，对于IGBT的寿命检测一种方法是通过建模计算实现。该方法需要应用条件下功率循坏数据、损耗和结温计算模型及寿命模型，存在数据获取困难、建模要求高和计算复杂等问题。针对功率循坏导致寿命终止的一个表征参数是IGBT饱和压降Vcesat或二极管正向压降Vf的变化超过允许值，有的方法也会通过直接检测Vcesat或Vf实现寿命检测，但该方法会存在以下问题：例如检测在有高压电时进行，若此时上管IGBT本已存在短路，再开...
【技术保护点】
1.一种IGBT模块寿命监测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n对IGBT模块的样本进行离线标定，得到标定样本；/n对所述标定样本进行数据分析，得到参考数据并确定预设偏差值；/n在所述IGBT模块运行前，对所述IGBT模块进行检测，并得到检测数据；/n比较所述检测数据与所述参考数据，并判断所述检测数据和所述参考数据的偏差值是否大于所述预设偏差值，若是，则判断所述IGBT模块的寿命即将终止。/n
【技术特征摘要】
1.一种IGBT模块寿命监测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
对IGBT模块的样本进行离线标定，得到标定样本；
对所述标定样本进行数据分析，得到参考数据并确定预设偏差值；
在所述IGBT模块运行前，对所述IGBT模块进行检测，并得到检测数据；
比较所述检测数据与所述参考数据，并判断所述检测数据和所述参考数据的偏差值是否大于所述预设偏差值，若是，则判断所述IGBT模块的寿命即将终止。
2.如权利要求1所述的一种IGBT模块寿命监测方法，其特征在于，对IGBT模块的样本进行离线标定，得到标定样本具体为：
对所述IGBT模块样本的第一饱和压降Vcesat随第一结温Tj的变化曲线及其二极管的第一正向电压Vf随第一结温Tj的变化曲线进行离线标定，得到所述IGBT模块样本的标定曲线做为所述标定样本。
3.如权利要求1所述的一种IGBT模块寿命监测方法，其特征在于，对所述标定样本进行数据分析，得到参考数据并确定预设偏差值具体为：统计所述标定样本分别在第一结温Tj下第一饱和压降Vcesat及第一正向电压Vf的平均值、偏差范围及分布规律，并根据统计结果建立参考曲线及设定预设偏差值。
4.如权利要求3所述的一种IGBT模块寿命监测方法，其特征在于，在所述IGBT模块运行前，对所述IGBT模块进行检测，并得到检测数据具体为：在所...
【专利技术属性】
技术研发人员：李帆远，沈捷，
申请(专利权)人：臻驱科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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