一种射极耦合激发式大电流LED恒定电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种射极耦合激发式大电流LED恒定电源，包括电源控制电路、场效应管和耦合芯片，所述电源控制电路的输出端通过三相接口均分别连接有第一二极管和第二二极管，所述第一二极管和第二二极管的两端还并接有滤波电容,所述滤波电容的两端并接有场效应管和耦合芯片，所述场效应管和耦合芯片之间设置为串联连接，所述耦合芯片的控制端分别连接有第一电阻和第二电阻,所述耦合芯片的输出端分别连接有第一高频MOS管和第二高频MOS管，电路性能稳定可靠，简化了系统外部线路连接，也降低了二次回路被其他功率单元电磁干扰的可能性，满足了驱动信号高压隔离和同步驱动要求，提高了控制芯片启动的速率，降低了元器件的能量消耗。

A high current LED constant power supply with emitter coupling excitation

【技术实现步骤摘要】
一种射极耦合激发式大电流LED恒定电源
本技术涉及LED恒定电源领域，具体为一种射极耦合激发式大电流LED恒定电源。
技术介绍
LED驱动电源有不同的分类，各有不同的优缺点和适用的领域。从驱动方式上可以分为恒流驱动和恒压驱动；从功率器件工作方式上可以分为线性驱动电源和开关型驱动电源；从电气上可以分为隔离型和非隔离型；从电能变换上可以分为单级结构和多级结构。但是由于LED具有PN节的特性曲线，在工作区的指数性质使得微小的电压变化引起大的电流变化，同时批量生产的LED的导通压降有具有较大的分散性，因而恒压驱动方式不利于LED保持稳定的工作点。然而为了使LED输出的光效、色温、显色度等光源应用特性得到满足，要保证LED工作在规定的工作点上，这为设计LED恒定电源带来了新的问题。例如，申请号为201420735299.0，专利名称为一种逻辑保护射极耦合激发式大电流LED恒定电源的技术专利：其采用了电流检测放大器电路来实现电流检测，能有效提高开关电源的承载电流，使得其应用范围更为广泛。但是，现有的射极耦合激发式大电流LED恒定电源存在以下缺陷：(1)传统的LED恒定电源主要通过光耦芯片实现输入输出隔离，对于输出电压比较高的恒定电源，该反馈方式还存在不稳定性因素，因为当输出电压一旦大于参考电压时，反馈电路光耦输入侧电流将急剧变化，则光耦输出侧电压快速变化，导致控制芯片输出驱动脉冲不稳，从而影响了电源稳定性；(2)传统的恒定电源输入范围相对较窄，控制芯片启动工作时，其启动速度较慢，且损耗高。
技术实现思路
为了克服现有技术方案的不足,本技术提供一种射极耦合激发式大电流LED恒定电源，稳定可靠，简化了系统外部线路连接，也降低了二次回路被其他功率单元电磁干扰的可能性，能有效的解决
技术介绍
提出的问题。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种射极耦合激发式大电流LED恒定电源，包括电源控制电路、场效应管和耦合芯片，所述电源控制电路的输出端通过三相接口均分别连接有第一二极管和第二二极管，所述第一二极管和第二二极管之间设置为串联连接，所述第一二极管和第二二极管的两端还并接有滤波电容,所述滤波电容的两端并接有场效应管和耦合芯片，所述场效应管和耦合芯片之间设置为串联连接，所述耦合芯片的控制端分别连接有第一电阻和第二电阻,所述第一电阻的上部与第一场效应管源极相连接，所述第二电阻的另一端直接接地，所述耦合芯片的输出端分别连接有第一高频MOS管和第二高频MOS管，所述第一高频MOS管和第二高频MOS管之间并接有高频变压器，所述高频变压器的两端分别连接有第三二极管和第四二极管,所述第四二极管的导通端与第三二极管相连接，所述高频变压器的可调端与第三二极管之间串接有LED灯和电感,所述LED的两端还并接有耦合电容。进一步地，所述电源控制电路包括主控芯片和射极启动电路，所述主控芯片的控制端并接有第一电容，所述第一电容的两端并接有第一电阻，所述第一电阻的并接支路上分别连接有第二电阻和旁路电容，所述第二电阻的另一端分别连接有第一采样电阻和第二采样电阻,所述第一采样电阻的另一端与旁路电容相连接，所述第二采样电阻的另一端连接有电源，所述第一电阻的另一端反馈连接到射极启动电路的控制端，所述射极启动电路的信号端与主控芯片控制端相连接。进一步地，所述主控芯片的第四引脚和第八引脚之间还并接有第三电阻，所述第三电阻的一端通过第二电容直接接地，所述第三电阻和第二电容的两端还并接有第三电容，所述主控芯片的电源端和输出端并接有第五二极管，所述主控芯片的输出端还分别连接有第六二极管和第四电阻，所述第六二极管和第四电阻之间设置为并联连接，所述第四电阻的并接支路上连接有第四电容，所述第四电容的另一端连接有高压变频器，所述高压变频器的反馈端连接有主控芯片的接地端，所述高压变频器的两端并接有门极驱动器，所述门极驱动器的两端分别连接有第五电阻和第六电阻，所述第五电阻和第六电阻的另一端均反馈连接到高压变频器的两端，所述第五电阻和第六电阻的两端还分别并接有第一反向稳压管和第二反向稳压管。进一步地，所述主控芯片的输出端与接地端之间串接有第七二极管，所述主控芯片的控制端和输出端还并接有第五电容,所述第五电容的另一端连接有反馈电阻。进一步地，所述射极启动电路包括电源开关管，所述电源开关管的漏极连接有复位电阻，所述电源开关管的栅极分别连接有第七电阻和第一稳压管，所述第七电阻的另一端与复位电阻相连接，所述复位电阻的另一端与第一电阻相连接，所述第一稳压管的另一端直接接地，所述电源开关管的源极分别连接有第二稳压管和第六电容，所述第二稳压管和第六电容之间设置为并联连接。与现有技术相比，本技术的有益效果是：(1)本技术的射极耦合激发式大电流LED恒定电源，设计电源的反馈电路采用辅助绕组电压反馈方法实现，辅助绕组电压VCC既是控制芯片电源，又是控制芯片反馈输入，该方式有效地利用了变压器来实现输入/输出高压隔离，达到了恒定电源输入/输出高压隔离和恒定电源其输出电压在不同输入电压、不同负载时输出电压稳定目的。(2)本技术的射极耦合激发式大电流LED恒定电源，电路性能稳定可靠，简化了系统外部线路连接，也降低了二次回路被其他功率单元电磁干扰的可能性，满足了驱动信号高压隔离和同步驱动要求，提高了控制芯片启动的速率，降低了元器件的能量消耗。附图说明图1为本技术的整体电源电路图；图2为本技术的电源控制电路图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。如图1和图2所示，本技术提供了一种射极耦合激发式大电流LED恒定电源，包括电源控制电路C、场效应管Q1和耦合芯片H，所述电源控制电路C的输出端通过三相接口均分别连接有第一二极管D1和第二二极管D2，所述第一二极管D1和第二二极管D2之间设置为串联连接，所述第一二极管D1和第二二极管D2的两端还并接有滤波电容C01,所述滤波电容C01的两端并接有场效应管Q1和耦合芯片H，所述场效应管Q1和耦合芯片H之间设置为串联连接，所述耦合芯片H的控制端分别连接有第一电阻R1和第二电阻R2,所述第一电阻R1的上部与第一场效应管Q1源极相连接，所述第二电阻R2的另一端直接接地，所述耦合芯片H的输出端分别连接有第一高频MOS管M1和第二高频MOS管M2，所述第一高频MOS管M1和第二高频MOS管M2之间并接有高频变压器T1，所述高频变压器T1的两端分别连接有第三二极管D3和第四二极管D4,所述第四二极管D4的导通端与第三二极管D3相连接，所述高频变压器T1的可调端与第三二极管D3之间串接有LED灯LED和电感L,所述LED灯LED的两端还并接有耦合电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种射极耦合激发式大电流LED恒定电源，包括电源控制电路(C)、场效应管(Q1)和耦合芯片(H)，其特征在于：所述电源控制电路(C)的输出端通过三相接口均分别连接有第一二极管(D1)和第二二极管(D2)，所述第一二极管(D1)和第二二极管(D2)之间设置为串联连接，所述第一二极管(D1)和第二二极管(D2)的两端还并接有滤波电容(C01),所述滤波电容(C01)的两端并接有场效应管(Q1)和耦合芯片(H)，所述场效应管(Q1)和耦合芯片(H)之间设置为串联连接，所述耦合芯片(H)的控制端分别连接有第一电阻(R1)和第二电阻(R2),所述第一电阻(R1)的上部与第一场效应管(Q1)源极相连接，所述第二电阻(R2)的另一端直接接地，所述耦合芯片(H)的输出端分别连接有第一高频MOS管(M1)和第二高频MOS管(M2)，所述第一高频MOS管(M1)和第二高频MOS管(M2)之间并接有高频变压器(T1)，所述高频变压器(T1)的两端分别连接有第三二极管(D3)和第四二极管(D4),所述第四二极管(D4)的导通端与第三二极管(D3)相连接，所述高频变压器(T1)的可调端与第三二极管(D3)之间串接有LED灯(LED)和电感(L),所述LED灯(LED)的两端还并接有耦合电容(C02)。/n...

【技术特征摘要】
1.一种射极耦合激发式大电流LED恒定电源，包括电源控制电路(C)、场效应管(Q1)和耦合芯片(H)，其特征在于：所述电源控制电路(C)的输出端通过三相接口均分别连接有第一二极管(D1)和第二二极管(D2)，所述第一二极管(D1)和第二二极管(D2)之间设置为串联连接，所述第一二极管(D1)和第二二极管(D2)的两端还并接有滤波电容(C01),所述滤波电容(C01)的两端并接有场效应管(Q1)和耦合芯片(H)，所述场效应管(Q1)和耦合芯片(H)之间设置为串联连接，所述耦合芯片(H)的控制端分别连接有第一电阻(R1)和第二电阻(R2),所述第一电阻(R1)的上部与第一场效应管(Q1)源极相连接，所述第二电阻(R2)的另一端直接接地，所述耦合芯片(H)的输出端分别连接有第一高频MOS管(M1)和第二高频MOS管(M2)，所述第一高频MOS管(M1)和第二高频MOS管(M2)之间并接有高频变压器(T1)，所述高频变压器(T1)的两端分别连接有第三二极管(D3)和第四二极管(D4),所述第四二极管(D4)的导通端与第三二极管(D3)相连接，所述高频变压器(T1)的可调端与第三二极管(D3)之间串接有LED灯(LED)和电感(L),所述LED灯(LED)的两端还并接有耦合电容(C02)。


2.根据权利要求1所述的一种射极耦合激发式大电流LED恒定电源，其特征在于：所述电源控制电路(C)包括主控芯片(U1)和射极启动电路(S)，所述主控芯片(U1)的控制端并接有第一电容(C1)，所述第一电容(C1)的两端并接有第一电阻(R1)，所述第一电阻(R1)的并接支路上分别连接有第二电阻(R2)和旁路电容(C03)，所述第二电阻(R2)的另一端分别连接有第一采样电阻(R01)和第二采样电阻(R02),所述第一采样电阻(R01)的另一端与旁路电容(C03)相连接，所述第二采样电阻(R02)的另一端连接有电源(VCC)，所述第一电阻(R1)的另一端反馈连接到射极启动电路(S)的控制端，所述射极启动电路(S)的信号端与主控芯片(U1)控制端相连接。


3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙俊山，
申请(专利权)人：深圳市吉奥科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44