【技术实现步骤摘要】
一种强吸收的外尔半金属光电探测器
本技术涉及光电探测领域，具体涉及一种强吸收的外尔半金属光电探测器。
技术介绍
基于外尔半金属的光电探测器能够实现300K温度以下的响应，而不需要运行在低温的环境，这一特性使得外尔半金属在光电探测领域具有很好的应用前景。专利技术专利CN107068785B公布了一种基于外尔半金属的光电探测结构，但是，光与外尔半金属的作用面积下，对光的吸收少，进而光的利用效率低。
技术实现思路
为提高外尔半金属材料对光的吸收能力，从而提高探测灵敏度，本技术提供了一种强吸收的外尔半金属光电探测器，该探测器包括电极、外尔半金属材料、电压源、电流表，外尔半金属材料置于两电极间，并与两电极欧姆接触，电压源、电流表、电极、外尔半金属材料通过导线连接成回路，在外尔半金属材料的顶部设有凹槽。更进一步地，外尔半金属材料为TaAs或NbAs。更进一步地，电极材料为铜、金、银、铂。更进一步地，凹槽为矩形。更进一步地，凹槽为楔形。更进一步地，凹槽的深度大于1微米。更进一步地，在外尔半金属材料的内部设有多于一个的空腔，空腔与凹槽连接。更进一步地，空腔的尺寸不一致。更进一步地，空腔的深度不一致。更进一步地，空腔的底部为粗糙的。本技术的有益效果：本技术提供了一种强吸收的外尔半金属光电探测器，外尔半金属材料上的凹槽扩大了其与光的接触面积，光会被耦合到凹槽中，提高了外尔半金属材料对光的吸收效率，进而提高了探测灵敏度。以下将结合附...
【技术保护点】
1.一种强吸收的外尔半金属光电探测器，包括电极、外尔半金属材料、电压源、电流表，外尔半金属材料置于两电极间，并与两电极欧姆接触，电压源、电流表、电极、外尔半金属材料通过导线连接成回路，其特征在于：在所述外尔半金属材料的顶部设有凹槽。/n
【技术特征摘要】
1.一种强吸收的外尔半金属光电探测器，包括电极、外尔半金属材料、电压源、电流表，外尔半金属材料置于两电极间，并与两电极欧姆接触，电压源、电流表、电极、外尔半金属材料通过导线连接成回路，其特征在于：在所述外尔半金属材料的顶部设有凹槽。
2.如权利要求1所述的强吸收的外尔半金属光电探测器，其特征在于：所述外尔半金属材料为TaAs或NbAs。
3.如权利要求2所述的强吸收的外尔半金属光电探测器，其特征在于：所述电极材料为铜、金、银、铂。
4.如权利要求3所述的强吸收的外尔半金属光电探测器，其特征在于：所述凹槽为矩形。
5.如权利要求3所述的强吸收的外尔半金属光电探...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：金华伏安光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33
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