一种局部背场TOPCon太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种局部背场TOPCon太阳能电池，包括N型晶体硅基体，N型晶体硅基体的正表面从内到外包括p+掺杂区域和正面钝化减反膜，背表面从内到外包括局部隧穿氧化层、局部多晶硅层、以及背面钝化膜；N型晶体硅基体的正面钝化减反膜上印刷有正面主栅和正面副栅，背面钝化膜上印刷有背面主栅和背面副栅；其中，背面副栅落在多晶硅层区域内。其有益效果是：本实用新型专利技术的背表面非金属接触区未掺杂以及金属接触区钝化接触结构带来的低复合，使得本实用新型专利技术的局部背场TOPCon太阳能电池的总复合电流密度仅为58fA/cm2，相较于均匀背表面掺杂的常规N型PERT电池，复合电流密度有显著降低，因此，本实用新型专利技术能够将开路电压从681.5mV大幅提升至701.1mV，转换效率从22.2％提高到22.83％。

A local back field TOPCON solar cell

【技术实现步骤摘要】
一种局部背场TOPCon太阳能电池
本技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种局部背场TOPCon太阳能电池。
技术介绍
太阳能电池是一种能将太阳能转化为电能的半导体器件。目前，业界的主流产品为P型晶硅太阳能电池。该电池工艺简单，但是具有光致衰减效应，即电池的效率会随着时间的增加而逐渐衰减，这主要是由于掺入P型硅衬底中的硼原子与衬底中的氧原子相结合产生硼氧对的结果。研究表明，硼氧对起着载流子陷阱作用，使少数载流子寿命降低，从而导致了电池光电转换效率的衰减。相对于P型晶硅电池，N型晶硅电池具有光致衰减小、耐金属杂质污染性能好、少数载流子扩散长度长等优点，并且由于N型太阳能电池的正负电极都可以制作成常规的H型栅线电极结构，因此该电池不仅正面可以吸收光，其背表面也能吸收反射和散射光从而产生额外的电力。常见的N型太阳能电池为p+/n/n+结构，其中电池正表面为p+型掺杂，背表面为n+型掺杂。为了获得高的开路电压、短路电流和填充因子，我们希望降低非金属接触区的掺杂量从而减少俄歇复合，又希望提高金属接触区的掺杂量从而降低接触电阻、减少金属半导体复合。现有技术中背表面n+型掺杂是均匀的，因此会存在上述矛盾。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种局部背场TOPCon太阳能电池。本技术提供的提供的一种局部背场TOPCon太阳能电池，其技术方案为：包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的正表面从内到外包括p+掺杂区域和正面钝化减反膜，所述N型晶体硅基体的背表面从内到外包括局部隧穿氧化层、局部多晶硅层、以及背面钝化膜；所述N型晶体硅基体的正面钝化减反膜上印刷有正面主栅和正面副栅，所述N型晶体硅基体的背面钝化膜上印刷有背面主栅和背面副栅；其中，所述背面副栅落在所述多晶硅层区域内。其中，所述N型晶体硅基体的电阻率为0.5～15Ω·cm，厚度为50～300μm。其中，所述隧穿氧化层的厚度为0.5～2.5nm。其中，所述正面钝化减反膜的厚度为70～110nm，所述背面钝化膜的厚度为不低于20nm。其中，所述背面副栅线宽为40-100um，互相平行设置。其中，正面副栅线宽为40～100um，互相平行设置。本技术的实施包括以下技术效果：本技术通过在N型晶体硅基体的正表面的制绒面及N型晶体硅基体的背表面印刷进行硼扩散，以在N型晶体硅基体的正表面形成硼硅玻璃层，在N型晶体硅基体的背表面形成硼扩散层，同时在N型晶体硅基体的背表面印刷耐腐蚀浆料，作为刻蚀阻挡层，在N型晶体硅的背面形成局部钝化接触结构，后续金属化时，金属浆料仅接触局部钝化接触区域。并且，本技术中的背面主栅和背面副栅均印刷在背面钝化膜上，从而可可显著降低金属-硅之间的复合；同时，本技术的背面副栅落在所述多晶硅层区域内，从而可以降低俄歇复合率。再者，按照本技术制备的局部背场TOPCon太阳能电池同时具有较高的填充因子、开路电压和短路电流，故而具有较高的光电转换效率。附图说明图1为本技术实施例的一种局部背场TOPCon太阳能电池制备方法步骤(1)后的电池结构截面示意图。图2为本技术实施例的一种局部背场TOPCon太阳能电池制备方法步骤(2)后的电池结构截面示意图。图3为本技术实施例的一种局部背场TOPCon太阳能电池制备方法步骤(3)后的电池结构截面示意图。图4为本技术实施例的一种局部背场TOPCon太阳能电池制备方法步骤(4)后的电池结构截面示意图。图5为本技术实施例的一种局部背场TOPCon太阳能电池制备方法步骤(5)后的电池结构截面示意图。图6为本技术实施例的一种局部背场TOPCon太阳能电池制备方法步骤(6)后的电池结构截面示意图。图7为本技术实施例的一种局部背场TOPCon太阳能电池制备方法步骤(7)后的电池结构截面示意图。图中，10-N型晶体硅基体，11-隧穿氧化层，12-正面的p+掺杂层，13-多晶硅层，14-正面钝化减反膜，15-耐腐蚀浆料，16-硼硅玻璃层，18-背面钝化膜，24-正面副栅，26-背面副栅，具体实施方式下面结合实例对本技术进行详细的说明。具体实施例仅仅是对本技术的解释，并不是对本技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本技术的范围内都受到专利法的保护。本公开提供的一种局部背场TOPCon太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：(1)、选择N型晶体硅基体10，并对N型晶体硅基体10的正表面作制绒处理；N型晶体硅基体10的电阻率为0.5～10Ω·cm，优选1～5Ω·cm；N型晶体硅基体10的厚度为50～300μm，优选80～200μm；完成本步骤后的电池结构如图1所示。(2)、将步骤(1)处理后的N型晶体硅基体10放入工业用扩散炉中对制绒面进行硼扩散，形成正面的p+掺杂层12及硼硅玻璃层16，硼源采用三溴化硼，扩散温度为900～1100℃，时间为60～240分钟。硼扩散后的方阻值为60～150Ω/sqr，优选80～130Ω/sqr。硼扩散完成后，使用单面刻蚀清洗机去除背面的硼扩散层，但保留正面的p+掺杂层12及硼硅玻璃层16。完成本步骤后的电池结构如图2所示。(3)、在步骤(2)处理后的N型晶体硅基体10在背表面生长一层隧穿氧化层11，然后在低压化学气相沉积设备中沉积本征非晶硅层(含微晶相)。其中，隧穿氧化层的材料为二氧化硅或者二氧化钛，二氧化硅的制备方法为热氧化、HNO3氧化、O3氧化、原子层沉积等，二氧化钛的制备方法为原子层沉积法；隧穿氧化层的厚度为0.5～2.5nm，优选厚度为1～2nm；本征非晶硅的沉积温度为550～650℃，本征非晶硅层的厚度为150～400nm；接着对本征非晶硅层进行掺杂处理，掺杂方式为离子注入磷原子、磷扩散、或常压化学气相沉积磷硅玻璃，沉积掺杂源之后对掺杂原子进行高温激活，高温激活过程中，微晶硅相全部转变为多晶硅相，完成晶化，形成多晶硅层13。完成本步骤后的电池结构如图3所示。(4)、在步骤(3)处理后的N型晶体硅基体10的背表面印刷耐腐蚀浆料15，并烘干形成印刷副栅的掩膜。完成本步骤后的电池结构如图4所示。(5)、将步骤(4)处理后的N型晶体硅基体10放入刻蚀机中，刻蚀去除背面未被耐腐蚀浆料15保护的隧穿氧化层11及多晶硅层13，同时正表面的p+掺杂层12由于硼硅玻璃层16的保护未被去除。刻蚀完成后清洗去除耐腐蚀浆料15及硼硅玻璃层16。完成本步骤后的电池结构如图5所示。(6)、在步骤(5)处理后的N型晶体硅基体10的正表面设置正面钝化减反膜14，在N型晶体硅基体10的背表面设置背面钝化膜18，其中，正面钝化减反膜14是SiO2、SiNX或Al2O3介质膜中的一种或任几种的组合，背面钝化膜18是SiO2、或SiO2与SiNX介质膜组成的复合介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种局部背场TOPCon太阳能电池，其特征在于：包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的正表面从内到外包括p+掺杂区域和正面钝化减反膜，所述N型晶体硅基体的背表面从内到外包括局部隧穿氧化层、局部多晶硅层、以及背面钝化膜；所述N型晶体硅基体的正面钝化减反膜上印刷有正面主栅和正面副栅，所述N型晶体硅基体的背面钝化膜上印刷有背面主栅和背面副栅；其中，所述背面副栅落在所述多晶硅层区域内。/n

【技术特征摘要】
1.一种局部背场TOPCon太阳能电池，其特征在于：包括N型晶体硅基体，所述N型晶体硅基体的正表面从内到外包括p+掺杂区域和正面钝化减反膜，所述N型晶体硅基体的背表面从内到外包括局部隧穿氧化层、局部多晶硅层、以及背面钝化膜；所述N型晶体硅基体的正面钝化减反膜上印刷有正面主栅和正面副栅，所述N型晶体硅基体的背面钝化膜上印刷有背面主栅和背面副栅；其中，所述背面副栅落在所述多晶硅层区域内。


2.根据权利要求1所述的一种局部背场TOPCon太阳能电池，其特征在于：所述N型晶体硅基体的电阻率为0.5～15Ω·cm，厚度为50～300μm。


3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：林建伟，季根华，陈嘉，刘志锋，张付特，
申请(专利权)人：苏州中来光伏新材股份有限公司，泰州中来光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32