【技术实现步骤摘要】
一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器
本专利技术涉及压控振荡器
，特别是涉及一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器。
技术介绍
在射频通信技术中，压控振荡器VCO是为芯片提供本地稳定的本振信号的电路，是锁相环模块中的重要组成部分，可以产生所需要的时钟信号，其功耗、调节灵敏度、相位噪声时刻影响着收发机的性能，如何有效改善压控振荡器的性能是射频通信技术的关键之一。目前常用的VCO类型为环形VCO和LCVCO两种。环路VCO反馈环节不包含电容和电感器件可以有效的节省芯片空间，但是其相位噪声较差并且会消耗更大的功耗。LCVCO的调谐范围没有环路VCO的大，但是其噪声性能表现更加好，以及功耗更加低，被广泛应用于射频技术中。VCO相位噪声严重影响着系统性能表现，因此射频电路设计中关于如何提高相位噪声是一直是技术难题，电路不同拓补结构对其性能有着不同的影响。采用CMOS交叉耦合对结构的LCVCO，可通过提高品质因数来减少其相位噪声，但会增加电路功耗。但在应用电源电压下降、功耗降低的电路时，电路起振速度会变慢，同时电...
【技术保护点】
1.一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器，其特征在于，包括提供负阻弥补谐振腔振荡时的功率损耗的CMOS交叉耦合对、用于产生压控振荡器的谐振信号的LC谐振腔，采用电容分压技术来实现动态阈值电压的电容分压动态阈值模块；CMOS交叉耦合对的两个差分输出端口分别与LC谐振腔的两个输入端口并联，且将该两个差分输出端口作为LC压控振荡器的输出端口；/nCMOS交叉耦合对为NMOS及PMOS互补交叉耦合管，包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第二PMOS管M4；第一NMOS管M1的漏极和第一PMOS管M3的漏极相连，第二NMOS管M2的漏极和第二PMOS管M...
【技术特征摘要】
1.一种基于动态阈值技术的低功耗压控振荡器，其特征在于，包括提供负阻弥补谐振腔振荡时的功率损耗的CMOS交叉耦合对、用于产生压控振荡器的谐振信号的LC谐振腔，采用电容分压技术来实现动态阈值电压的电容分压动态阈值模块；CMOS交叉耦合对的两个差分输出端口分别与LC谐振腔的两个输入端口并联，且将该两个差分输出端口作为LC压控振荡器的输出端口；
CMOS交叉耦合对为NMOS及PMOS互补交叉耦合管，包括第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第一PMOS管M3、第二PMOS管M4；第一NMOS管M1的漏极和第一PMOS管M3的漏极相连，第二NMOS管M2的漏极和第二PMOS管M4的漏极相连，第一NMOS管M1和第一PMOS管M3的栅极连接至第二NMOS管M2和第二PMOS管M4的漏极，第二NMOS管M2和第二PMOS管M4的栅极连接至第一NMOS管M1和第一PMOS管M3的漏极；第一NMOS管M1和第一PMOS管M3的漏极以及第二NMOS管M2和第二PMOS管M4的漏极为压控振荡器的差分输出端口；
LC谐振腔包括第一电容C1、第二电容C2、第一变容管Cvar1、第二变容管Cvar2和电感L；第一电容C1和第二电容C2串联后两端与第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：高静，殷嘉程，徐江涛，聂凯明，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。