一种Micro LED巨量转移方法、装置及封装结构、显示装置制造方法及图纸

技术编号:23163296 阅读:21 留言:0更新日期:2020-01-21 22:17
本发明专利技术涉及一种Micro LED巨量转移方法、装置及封装结构、显示装置,Micro LED巨量转移方法包括设置驱动电路基板,设置第一载物板及第二载物板,向所述第二载物板倾倒Micro LED元件,向所述第一载物板及第二载物板施加振动力,将驱动电路基板上的电极与Micro LED元件键合;Micro LED巨量转移装置包括上述方法中的部件,封装结构由上述转移方法制备而成;显示装置包括封装结构。在本发明专利技术中,通过向第二载物板批量倾倒Micro LED元件,在振动力的作用下,Micro LED元件落入第一载物板内,在进行Micro LED元件与电极的键合后实现Micro LED元件的巨量转移,本发明专利技术中的巨量转移方法操作较为简单,具有较高的转移效率。

A huge transfer method, device, package structure and display device of micro LED

【技术实现步骤摘要】
一种MicroLED巨量转移方法、装置及封装结构、显示装置
本专利技术涉及半导体显示制造
,尤其涉及一种MicroLED巨量转移方法、装置及封装结构、显示装置。
技术介绍
MicroLED(微型发光二极管)作为新一代的显示技术,比现有的OLED(有机发光二极管)的亮度更高、发光效率更好。功率更低,具有较高的研发价值及使用价值。MicroLED的优势来自于微米等级的间距,传统的LED的封装主要采用真空吸取的方式进行转移,但由于真空管在物理极限下只能做到80um,MicroLED的尺寸基本小于50um,所以真空吸附的方式不再适用MicroLED的转移。
技术实现思路
本专利技术的目的,在于提供一种MicroLED巨量转移方法、装置及封装结构、显示装置,以克服MicroLED巨量转移效率低的缺陷。本专利技术解决上述技术问题所采用的技术方案是:一种MicroLED巨量转移方法,包括,S1,设置驱动电路基板,所述驱动电路基板上设有电极阵列;S2,设置第一载物板及第二载物板,所述第一载物板与第二载物板从下到上依次排列于所述驱动电路基板的上方,所述第一载物板与第二载物板上均设有用于容置MicroLED元件的载物槽;S3,对所述第一载物板及第二载物板进行定位;S4,向所述第二载物板倾倒MicroLED元件;S5,向所述第一载物板及第二载物板施加振动力,第二载物板内的MicroLED元件落入匹配的第一载物板的载物槽内;S6,将驱动电路基板上的电极与对应的第一载物板内的MicroLED元件键合。在一种优选的实施方式中,所述MicroLED元件至少包括两种类型,不同类型的所述MicroLED元件发射的光线颜色不同,针对不同类型的MicroLED元件依次执行S3、S4、S5步骤。在一种优选的实施方式中,所述MicroLED元件包括三种类型,分别为发射红光的MicroLED元件、发射绿光的MicroLED元件、发射蓝光的MicroLED元件。在一种优选的实施方式中,执行所述S3步骤时,移动所述第二载物板,使所述第二载物板与第一载物板中用于容置同一类型MicroLED元件的区域对准。在一种优选的实施方式中,执行所述S1步骤时,设置电磁体,所述电磁体向所述第一载物槽和第二载物槽施加吸附力。在一种优选的实施方式中,所述S3步骤包括,调节电磁体的磁吸力,第一载物板固定,移动第二载物板,使第二载物板与第一载物板中用于容置下一类型的MicroLED元件的区域对准。在一种优选的实施方式中,在S7步骤执行完成后,还包括,S7,检测第一载物板的载物槽内是否存在空置点,若存在,向所述空置点补添MicroLED元件。在一种优选的实施方式中,所述S6步骤包括,所述电极与所述MicroLED元件焊接。本专利技术还提供了一种MicroLED巨量转移装置,包括驱动电路基板、第一载物板、第二载物板,所述第一载物板及第二载物板从上到下依次排列于所述驱动电路基板的上方,所述第一载物板及第二载物板上均设有用于容置MicroLED元件的载物槽,所述驱动电路基板包括电极阵列。在一种优选的实施方式中,所述第二载物板包括载物区与非载物区,所述第一载物板至少两个载物槽区,所述载物槽区与所述载物区的形状相同。在一种优选的实施方式中,还包括治具及电磁体,所述治具置于所述电磁体的上方,所述电磁体用于向所述治具、第一载物板、第二载物板施加吸附力,所述治具上设有用于容置所述第一载物板的凹槽。在一种优选的实施方式中,还包括光学检测装置及用于向所述治具施加振动力的振动装置。本专利技术还提供了一种封装结构,采用上述的MicroLED巨量转移方法制备而成,包括驱动电路基板及与驱动电路基板结合的MicroLED元件。本专利技术还提供了一种显示装置,包括上述的封装结构。本专利技术至少具有如下有益效果:在本专利技术中,通过向第二载物板批量倾倒MicroLED元件,在振动力的作用下,MicroLED元件落入第一载物板内,在进行MicroLED元件与电极的键合后实现MicroLED元件的巨量转移,本专利技术中的巨量转移方法操作较为简单,具有较高的转移效率。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1是MicroLED巨量转移方法一个实施例的流程图;图2是MicroLED巨量转移装置一个实施例结构示意图;图3是MicroLED巨量转移装置另一方向的结构示意图;图4是第一载物板一个实施例的结构示意图;图5是第二载物板一个实施例的结构示意图。具体实施方式以下将结合实施例和附图对本专利技术的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述,以充分地理解本专利技术的目的、特征和效果。显然,所描述的实施例只是本专利技术的一部分实施例,而不是全部实施例,基于本专利技术的实施例,本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例,均属于本专利技术保护的范围。另外,专利中涉及到的所有联接/连接关系,并非单指构件直接相接,而是指可根据具体实施情况,通过添加或减少联接辅件,来组成更优的联接结构。本专利技术中的各个技术特征,在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。参照图1及图2,本实施例中的MicroLED巨量转移方法包括如下步骤,S1,设置驱动电路基板30,所述驱动电路基板30上设有电极阵列;S2,设置第一载物板10及第二载物板20,所述第一载物板10与第二载物板20依次排列于所述驱动电路基板30的上方,第一载物板10与第二载物板20上均设有容置MicroLED元件的载物槽100;S3,将所述第一载物板10对准所述第二载物板20;S4,向所述第二载物板20倾倒MicroLED元件;S5,向所述第一载物板10与第二载物板20施加振动力,第二载物板20内的MicroLED元件落入匹配的第一载物板10的载物槽100内;S6,将驱动电路基板30上的电极与对应的第一载物板10内的MicroLED元件键合。具体的,第一载物板10上的载物槽100同样呈阵列式分布,第一载物板10上的载物槽100与驱动电路基板30上的电极位置对应,且第一载物板10的载物槽100形状、第二载物板20的载物槽100形状与电极的形状匹配;向第二载物板20施加振动力时,倾倒于第二载物板20内的MicroLED元件,落入相应的第一载物板10的载物槽100内,实现自动匹配;第一载物板10内的MicroLED元件与驱动电路基板30上的电极位置对应,在进行MicroLED元件与电极的键合后,完成MicroLED元件的巨量转移过程。本实施例中的巨量转移方法操作较为简单,具有较高的转移效率。优选的,待转移的MicroLED元件包括至少两种类型,不同类型的MicroLED元件所发出的光线颜色不同,不同类型的MicroLED元件分批次进行倾倒和转移,每一类型的MicroLED元件依次执行上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Micro LED巨量转移方法,其特征在于,包括,/nS1,设置驱动电路基板,所述驱动电路基板上设有电极阵列;/nS2,设置第一载物板及第二载物板,所述第一载物板与第二载物板从下到上依次排列于所述驱动电路基板的上方,所述第一载物板与第二载物板上均设有用于容置Micro LED元件的载物槽;/nS3,对所述第一载物板及第二载物板进行定位;/nS4,向所述第二载物板倾倒Micro LED元件;/nS5,向所述第一载物板及第二载物板施加振动力,第二载物板内的Micro LED元件落入匹配的第一载物板的载物槽内;/nS6,将驱动电路基板上的电极与对应的第一载物板内的Micro LED元件键合。/n

【技术特征摘要】
1.一种MicroLED巨量转移方法,其特征在于,包括,
S1,设置驱动电路基板,所述驱动电路基板上设有电极阵列;
S2,设置第一载物板及第二载物板,所述第一载物板与第二载物板从下到上依次排列于所述驱动电路基板的上方,所述第一载物板与第二载物板上均设有用于容置MicroLED元件的载物槽;
S3,对所述第一载物板及第二载物板进行定位;
S4,向所述第二载物板倾倒MicroLED元件;
S5,向所述第一载物板及第二载物板施加振动力,第二载物板内的MicroLED元件落入匹配的第一载物板的载物槽内;
S6,将驱动电路基板上的电极与对应的第一载物板内的MicroLED元件键合。


2.根据权利要求1所述的MicroLED巨量转移方法,其特征在于,所述MicroLED元件至少包括两种类型,不同类型的所述MicroLED元件发射的光线颜色不同,针对不同类型的MicroLED元件依次执行S3、S4、S5步骤。


3.根据权利要求2所述的MicroLED巨量转移方法,其特征在于,所述MicroLED元件包括三种类型,分别为发射红光的MicroLED元件、发射绿光的MicroLED元件、发射蓝光的MicroLED元件。


4.根据权利要求2所述的MicroLED巨量转移方法,其特征在于,执行所述S3步骤时,移动所述第二载物板,使所述第二载物板与第一载物板中用于容置同一类型MicroLED元件的区域对准。


5.根据权利要求1至4任一项所述的MicroLED巨量转移方法,其特征在于,执行所述S1步骤时,设置电磁体,所述电磁体向所述第一载物槽和第二载物槽施加吸附力。


6.根据权利要求5所述的MicroLED巨量转移方法,其特征在于,所述S3步骤包括,调节电磁体的磁吸力,第一载...

【专利技术属性】
技术研发人员:龚杰朱启滔段四才吴达豪黄杰
申请(专利权)人:深圳市科伦特电子有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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