一种低互调射频连接器制造技术

技术编号:23152132 阅读:52 留言:0更新日期:2020-01-18 14:37
本发明专利技术公开了一种低互调射频连接器,包括第一组件,第一组件设置第一外导体,所述的第一外导体的连接端设置径向膨大凸环;还包括与第一组件电接触的第二组件,第二组件设置第二外导体;第一外导体与第二外导体仅通过径向膨大凸环电接触;径向膨大凸环与第二外导体的内壁仅进行径向线触接。本公开结构的设置避免了第一外导体倾斜后和第二外导体产生不确定的间隙,从而影响产品互调,通过对部件结构的合理设置,使得外导体在进行插接电接触时轴向悬空、仅在一定位置进行径向线接触,不产生多余接触点。

A low intermodulation RF connector

【技术实现步骤摘要】
一种低互调射频连接器
本专利技术属于射频连接器领域,具体涉及一种低互调射频连接器。
技术介绍
现有盲插式产品,如SMP型射频连接器,分三部分:擒纵端,中间转接连杆,光孔端;中间转接连杆部分装入擒纵端后,由于加工和装配公差的影响,导致转接连杆会有一定的偏斜,偏斜后转接连杆外导体会和擒纵端外导体出现不确定的间隙,大量的试验结果表明,该状态下互调不好,或者在振动状态下互调不稳定。该专利技术产品消除了转接连杆外导体会和擒纵端外导体配合后产生的间隙问题,提高了盲插式产品的互调指标及互调稳定性。
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术的目的是提供一种低互调射频连接器,通过对部件结构的合理设置,使得外导体进行插接电接触时轴向悬空、仅在一定位置进行径向线接触,不产生多余接触点。为实现上述目的,本专利技术采取的技术方案包括:一种低互调射频连接器,包括第一组件,第一组件设置第一外导体,所述的第一外导体的连接端设置径向膨大凸环;还包括与第一组件电接触的第二组件,第二组件设置第二外导体;第一外导体与第二外导体仅通过径向膨大凸环电接触;径向膨大凸环与第二外导体的内壁仅进行径向线触接。可选的,第一外导体与第二外导体轴向或径向偏转对接后仅通过径向膨大凸环电接触。可选的,于端部,在所述的第二外导体内壁上同轴嵌设绝缘体或在第二外导体端部同轴接设绝缘体;沿同轴,第二外导体内卡设第二介质,在第二介质轴向穿设第二内导体;位于绝缘体与第二介质之间的第二外导体与径向膨大凸环径向线触接。可选的,所述的第二介质为环盘构件,在所述环盘构件的一端设置围绕第二内导体的第二介质凸台。可选的,所述的第一外导体于连接端沿周向设置多个外导体径向变形件,外导体径向变形件的端部外周设置径向膨大凸环。可选的,沿同轴,在第一外导体内依次套设第一介质和第一内导体;第一外导体于连接端与第一介质形成环形间隙。进一步的,所述的第一内导体于连接端沿周向设置多个内导体径向变形件。进一步的,所述的第一介质于连接端形成径向收缩段。进一步的,所述的第一外导体于连接端沿周向设置多个外导体径向变形件,外导体径向变形件的端部外周设置径向膨大凸环。进一步的,于端部,在所述的第二外导体内壁上同轴嵌设绝缘体或在第二外导体端部同轴接设绝缘体;沿同轴,第二外导体内卡设第二介质,在第二介质轴向穿设第二内导体;位于绝缘体与第二介质之间的第二外导体与径向膨大凸环径向线触接。本专利技术的低互调射频连接器,通过对部件结构的合理设置,使得外导体在进行插接电接触时轴向悬空、仅在一定位置进行径向线接触,不产生多余接触点。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术,但并不构成对本专利技术的限制。在附图中:图1为本专利技术的低互调射频连接器的结构示意图;图2为图1中第二组件的结构示意图;图3为图1中第一组件的结构示意图;图4为本专利技术的第一种方案下低互调射频连接器径向偏转后的结构示意图;图5为本专利技术的第二种方案下低互调射频连接器径向偏转后的结构示意图;图中各标号表示为:1-第一组件、11-第一外导体、11a-外导体径向变形件、11b-径向膨大凸环、12-第一内导体、12a-内导体径向变形体、13-第一介质、13a-径向收缩段、2-第二组件、21(21’)-绝缘体、22(’)-第二外导体、23-第二介质、23a-第二介质凸台、24-第二内导体。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明,所述是对本专利技术的解释而不是限定。在本公开中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上、下”通常是指以相应附图的图面为基准定义的,“内、外”是指相应部件轮廓的内和外。结合图1-5,本专利技术的低互调射频连接器,包括第一组件1,第一组件1设置第一外导体11,第一外导体11的连接端设置径向膨大凸环11b;还包括与第一组件1电接触的第二组件2,第二组件2设置第二外导体22;第一外导体11与第二外导体22仅通过径向膨大凸环11b电接触;径向膨大凸环11b与第二外导体22的内壁仅进行径向线触接。即表明,无论第一组件1与第二组件2以何种状态接触,比如轴向直插、比如径向偏转,都能保证第一外导体11和第二外导体22仅在径向膨大凸环11b处电连接,且此处的膨大凸环最好为外表光滑的圆弧环,保证径向线接触,尽量减少不必要的多余触点的出现,且发生偏转时,第一外导体11与第二外导体22不会出现其他部位的接触或电连接,比如第一外导体11轴向插接入第二外导体22内,径向膨大凸环11b仅与特定位置的第二外导体22内壁进行电接触,而其他未膨大的部位,在径向偏转时,可以通过其他绝缘介质将第一外导体11和第二外导体22隔离分开。使得外导体进行插接电接触时轴向悬空、仅在一定位置进行径向线接触,不产生多余接触点,大大提高了盲插式产品互调性能以及稳定性,更利于生产和市场推广。经评测,提高了盲插式产品互调性能以及稳定性。在本公开的实施例中,第一外导体11与第二外导体22轴向或径向偏转对接后仅通过径向膨大凸环11b电接触,即本公开的结构至少要保证,第一外导体11与第二外导体22无论在何种状态下,比如轴向插接时会出现轴向直插、径向偏转插接等状态,均能实现径向膨大凸环11b仅与特定位置的第二外导体22内壁进行电接触,而其他未膨大的部位,在径向偏转时,可以通过其他绝缘介质将第一外导体11和第二外导体22隔离分开。在本公开的实施例中,于端部,在第二外导体22内壁上同轴嵌设绝缘体21或在第二外导体22’端部同轴接设绝缘体21’,这里的两种形式均可以满足将第一外导体11和第二外导体22隔离分开,径向膨大凸环11b仅与特定位置的第二外导体22内壁进行电接触;沿同轴,第二外导体22内卡设第二介质23,在第二介质23轴向穿设第二内导体24;位于绝缘体21与第二介质23之间的第二外导体22与径向膨大凸环11b径向线触接。还比如,可以通过对第二介质23的结构设计,实现第一外导体11在轴向悬空,不与其他部件的任何部位接触。在本公开的实施例中,比如第二介质23为环盘构件,在环盘构件的一端设置围绕第二内导体24的第二介质凸台23a,这样在第二介质23靠近第二外导体22的边缘出现轴向凹陷空间,可以实现第一外导体11与第二外导体22轴向插接时的轴向悬空,使第二介质凸台23a与第一组件1的介质顶接。在本公开的实施例中,第一外导体11于连接端沿周向设置多个外导体径向变形件11a,外导体径向变形件11a的端部外周设置径向膨大凸环11b。本专利技术的径向膨大凸环11b最好设置在外导体径向变形件11a上,这样在进行第一外导体11与第二外导体22插接时,还能允许径向的弹性变形,使得第一外导体11与第二外导体22径向线接触的同时,保证两者的稳定信号传输。实施例一:结合图1-5,本专利技术的低互调射频连接器,设置第一组件1,第一组件1设置第一外导体11,第一外本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低互调射频连接器,其特征在于,包括第一组件(1),第一组件(1)设置第一外导体(11),所述的第一外导体(11)的连接端设置径向膨大凸环(11b);/n还包括与第一组件(1)电接触的第二组件(2),第二组件(2)设置第二外导体(22);/n第一外导体(11)与第二外导体(22)仅通过径向膨大凸环(11b)电接触;径向膨大凸环(11b)与第二外导体(22)的内壁仅进行径向线触接。/n

【技术特征摘要】
20190926 CN 20192162140131.一种低互调射频连接器,其特征在于,包括第一组件(1),第一组件(1)设置第一外导体(11),所述的第一外导体(11)的连接端设置径向膨大凸环(11b);
还包括与第一组件(1)电接触的第二组件(2),第二组件(2)设置第二外导体(22);
第一外导体(11)与第二外导体(22)仅通过径向膨大凸环(11b)电接触;径向膨大凸环(11b)与第二外导体(22)的内壁仅进行径向线触接。


2.根据权利要求1所述的低互调射频连接器,其特征在于,第一外导体(11)与第二外导体(22)轴向或径向偏转对接后仅通过径向膨大凸环(11b)电接触。


3.根据权利要求1或2所述的低互调射频连接器,其特征在于,于端部,在所述的第二外导体(22)内壁上同轴嵌设绝缘体(21)或在第二外导体(22’)端部同轴接设绝缘体(21’);
沿同轴,第二外导体(22)内卡设第二介质(23),在第二介质(23)轴向穿设第二内导体(24);
位于绝缘体(21)与第二介质(23)之间的第二外导体(22)与径向膨大凸环(11b)径向线触接。


4.根据权利要求3所述的低互调射频连接器,其特征在于,所述的第二介质(23)为环盘构件,在所述环盘构件的一端设置围绕第二内导体(24)的第二介质凸台(23a)。


5.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:孔浩王升锋孙宝亮党作红金凡钟宁张伟
申请(专利权)人:华为技术有限公司中航富士达科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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