一种宽高频漏缆制造技术

本发明专利技术提供了一种宽高频漏缆，包括由内向外依次同轴嵌套的内导体1、绝缘层2、外导体3以及护套4，所述外导体3沿轴向开设以节距P为周期排列的多个槽孔组5；所述槽孔组5包括沿轴向错位重叠排列的多个阵列组6；所述阵列组6包括左阵列7和右阵列8，所述左阵列7和右阵列8呈“八”字形沿轴线排列，且相对于轴线的倾角互补；所述左阵列7和右阵列8沿二者连线的中垂线对称；所述左阵列7和右阵列8中心之间的距离为P/2。本发明专利技术提增加了低频的辐射性能和高频的传输性能，以250m的综合损耗评估，将使用频段内综合损耗差异控制在5dB内，从而使得其更适合在2G/3G/4G/5G合路中使用。

A wide high frequency leaky cable

【技术实现步骤摘要】
一种宽高频漏缆
本专利技术涉及射频同轴电缆的
，具体为一种5G适用的宽高频异形八字槽漏泄同轴电缆。
技术介绍
隧道，主要包括公路隧道、铁路隧道、地铁隧道等，是移动通信网络部署中的重要场景，由于隧道结构封闭，沿线呈带状分布，且不同的隧道具有不同的形状结构、横向尺寸，其修建材料、成分、比例也不尽相同，这些都会对无线信号的反射、吸收产生不同程度的影响，同时受到不同车体、隧道横向尺寸、电磁环境等因素的影响，信号穿透车体的损耗也会存在差异。隧道场景覆盖也就成为移动通信网络覆盖的难点。漏泄同轴电缆作为一种具有传输线和天线双重功能的特殊同轴电缆，能在隧道内沿壁敷设且可随着隧道弯曲，在隧道内均匀地将无线信号释放出来，不受隧道形状、弯曲、坡度等因素的影响，是目前隧道场景无线覆盖的最佳选择。传统的辐射型漏缆不支持5G系统的应用，而5G适用的新型漏缆也很难兼顾800～3600MHz各个频段的性能而满足系统频段的大跨度合路应用。现阶段5G适用的漏缆，要么是在系统选择上妥协——放弃2G(CDMA800&GSM900)而针对5G专频开发的专用漏缆，要么就是在性能上妥协——以大幅度较低设备覆盖半径为代价而满足2G、3G、4G、5G覆盖的伪全频漏缆，这给5G隧道覆盖方案的确定和5G的共建共享设计带来了巨大的挑战。若要实现2G、3G、4G、5G合用一根漏缆，需要兼顾2G、3G、4G、5G的承载频段，使用频段需涵盖800-3600MHz，使用频率需要跨度超2800MHz，电磁波波长需要跨度相差超4.5倍，还需要平衡各频率的电磁波辐射量等。现有专利CN201310090200.6公开了一种漏泄同轴电缆，是一种宽高频低损耗均匀辐射漏泄同轴电缆，其由内到外依次包括内导体、绝缘层、外导体和护套，外导体上沿电缆轴线方向间隔均匀开有若干相同的槽缝组，槽缝组中的相对应的槽缝呈八字排列；每个槽缝组包括相邻的第一槽缝分组和第二槽缝分组，第一槽缝分组包括8条相同的第一槽缝，第二槽缝分组包括8条相同的第二槽缝，第一槽缝的长度大于第二槽缝的长度。本专利技术通过设计2组相同节距而不同槽孔长度的四八字槽槽孔，使得漏缆在800-2700MHZ频段内的耦合损耗和衰减性能处于一个更为均匀较为理想的范围内。虽然现有专利CN201310090200.6解决了一部分问题，但是实现2G、3G、4G、5G合用一根漏缆，提供更好的专门针对宽频、高频优化设计的漏缆，是亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术需要解决的问题是，提供一种漏缆，使其具有以下特性：使用频段满足800MHz～3600MHz的范围，各频段的辐射性能均匀、稳定，耦合损耗波动小，能够平衡使用频段内的传输性能和辐射性能，在实际应用中综合损耗相差控制在5dB内，有利于2G/3G/4G/5G漏缆开断的统一。为解决上述问题，本专利技术提供了一种宽高频漏缆，包括由内向外依次同轴嵌套的内导体1、绝缘层2、外导体3以及护套4，所述外导体3沿轴向开设以节距P为周期排列的多个槽孔组5；所述槽孔组5包括沿轴向错位重叠排列的多个阵列组6；所述阵列组6包括左阵列7和右阵列8，所述左阵列7和右阵列8呈“八”字形沿轴线排列，且相对于轴线的倾角互补；所述左阵列7和右阵列8沿二者连线的中垂线对称；所述左阵列7和右阵列8中心之间的距离为P/2；所述左阵列7包括沿左阵列7倾角方向排列的左上槽孔71和左下槽孔72，所述左上槽孔71和左下槽孔72在长度上沿左阵列7倾角方向延伸，所述左上槽孔71的下长边与所述左下槽孔72的上长边位于同一直线上，或，所述左上槽孔71的上长边与所述左下槽孔72的下长边位于同一直线上；所述右阵列8包括沿右阵列8倾角方向排列的右上槽孔81和右下槽孔82，所述右上槽孔81和右下槽孔82在长度上沿右阵列8倾角方向延伸，所述右上槽孔81的下长边与所述右下槽孔82的上长边位于同一直线上，或，所述右上槽孔81的上长边与所述右下槽孔82的下长边位于同一直线上。根据本专利技术的一个实施方式，所述左上槽孔71最低点高于所述左下槽孔72的最高点，或，所述左上槽孔71最低点与所述左下槽孔72的最高点共点；所述右上槽孔81最低点高于所述右下槽孔82的最高点，或，所述右上槽孔81最低点与所述右下槽孔82的最高点共点。根据本专利技术的一个实施方式，P的取值范围为200～250mm。根据本专利技术的一个实施方式，所述左上槽孔71和所述左下槽孔72结构尺寸上完全一致，并且以外导体3上某一点成中心对称。根据本专利技术的一个实施方式，所述左阵列7相对于轴线的倾角为15°至30°。根据本专利技术的一个实施方式，所述槽孔组5包括依次沿轴向错位重叠排列的四个阵列组6，分别是第一阵列组61、第二阵列组62、第三阵列组63、第四阵列组64，所述第一阵列组61与所述第二阵列组62中心点的距离为D1；所述第二阵列组62与所述第三阵列组63中心点的距离为D2；所述第三阵列组63与所述第四阵列组64中心点的距离为D3；所述第四阵列组64的左阵列7与所述第一阵列组61的右阵列8中心点的距离为D4；其中，D1＝D2＝D3＝P/12，D4＝P/4；或，D1＝D3＝P/10，D2＝P/15，D4＝7*P/30。根据本专利技术的一个实施方式，所述第一阵列组61的左阵列7与轴线的夹角为α1；所述第二阵列组62的左阵列7与轴线的夹角为α2；所述第三阵列组63的左阵列7与轴线的夹角为α3；所述第四阵列组64的左阵列7与轴线的夹角为α4；其中，α1＝α2＝α3＝α4；或，α1＝α3，α2＝α4。根据本专利技术的一个实施方式，所述第一阵列组61中槽孔形状和大小与所述第三阵列组63中槽孔形状和大小相同；所述第二阵列组62槽孔形状和大小与所述第四阵列组64槽孔形状和大小相同。根据本专利技术的一个实施方式，所述左阵列7和右阵列8中的槽孔的长度范围为10mm-20mm，宽度范围为2mm-4mm。根据本专利技术的一个实施方式，所述左阵列7和右阵列8的长度范围为20mm-40mm；所述左阵列7中左上槽孔71和所述左下槽孔72之间的距离范围为0mm-10mm。根据本专利技术的一个实施方式，所述槽孔组5中的槽孔形状选择以下任一种：矩形、菱形、椭圆。本专利技术既满足了低频(800MHz)辐射要求的槽长下限，同时规避了由于最高使用频段(3700MHz)限制的槽长上限，成功增强了低频辐射性能，减弱了槽长过长而对高频传输性能造成的影响，均衡了整根漏缆的辐射特性和传输特性。本专利技术增加了低频的辐射性能和高频的传输性能，以250m的综合损耗评估，将使用频段内综合损耗差异控制在5dB内，从而使得其更适合在2G/3G/4G/5G合路中使用。附图说明图1是一种宽高频漏缆的示意图；图2是槽孔组和阵列组的示意图；图3是左阵列和右阵列的示意图；图4是左阵列的两种构成方式的示意图；图5是包含四个阵列组的槽孔组的示意图；以及图6是列阵组倾斜角的示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽高频漏缆，其特征在于，包括由内向外依次同轴嵌套的内导体(1)、绝缘层(2)、外导体(3)以及护套(4)，/n所述外导体(3)沿轴向开设以节距P为周期排列的多个槽孔组(5)；/n所述槽孔组(5)包括沿轴向错位重叠排列的多个阵列组(6)；/n所述阵列组(6)包括左阵列(7)和右阵列(8)，所述左阵列(7)和右阵列(8)呈“八”字形沿轴线排列，且相对于轴线的倾角互补；/n所述左阵列(7)和右阵列(8)沿二者连线的中垂线对称；/n所述左阵列(7)和右阵列(8)中心之间的距离为P/2；/n所述左阵列(7)包括沿左阵列(7)倾角方向排列的左上槽孔(71)和左下槽孔(72)，所述左上槽孔(71)和左下槽孔(72)在长度上沿左阵列(7)倾角方向延伸，所述左上槽孔(71)的下长边与所述左下槽孔(72)的上长边位于同一直线上，或，所述左上槽孔(71)的上长边与所述左下槽孔(72)的下长边位于同一直线上；/n所述右阵列(8)包括沿右阵列(8)倾角方向排列的右上槽孔(81)和右下槽孔(82)，所述右上槽孔(81)和右下槽孔82)在长度上沿右阵列(8)倾角方向延伸，所述右上槽孔(81)的下长边与所述右下槽孔(82)的上长边位于同一直线上，或，所述右上槽孔(81)的上长边与所述右下槽孔82)的下长边位于同一直线上。/n...

【技术特征摘要】
1.一种宽高频漏缆，其特征在于，包括由内向外依次同轴嵌套的内导体(1)、绝缘层(2)、外导体(3)以及护套(4)，
所述外导体(3)沿轴向开设以节距P为周期排列的多个槽孔组(5)；
所述槽孔组(5)包括沿轴向错位重叠排列的多个阵列组(6)；
所述阵列组(6)包括左阵列(7)和右阵列(8)，所述左阵列(7)和右阵列(8)呈“八”字形沿轴线排列，且相对于轴线的倾角互补；
所述左阵列(7)和右阵列(8)沿二者连线的中垂线对称；
所述左阵列(7)和右阵列(8)中心之间的距离为P/2；
所述左阵列(7)包括沿左阵列(7)倾角方向排列的左上槽孔(71)和左下槽孔(72)，所述左上槽孔(71)和左下槽孔(72)在长度上沿左阵列(7)倾角方向延伸，所述左上槽孔(71)的下长边与所述左下槽孔(72)的上长边位于同一直线上，或，所述左上槽孔(71)的上长边与所述左下槽孔(72)的下长边位于同一直线上；
所述右阵列(8)包括沿右阵列(8)倾角方向排列的右上槽孔(81)和右下槽孔(82)，所述右上槽孔(81)和右下槽孔82)在长度上沿右阵列(8)倾角方向延伸，所述右上槽孔(81)的下长边与所述右下槽孔(82)的上长边位于同一直线上，或，所述右上槽孔(81)的上长边与所述右下槽孔82)的下长边位于同一直线上。


2.根据权利要求1所述的漏缆，其特征在于，P的取值范围为200～250mm。


3.根据权利要求1所述的漏缆，其特征在于，所述左上槽孔(71)和所述左下槽孔(72)结构尺寸上完全一致，并且以外导体(3)上某一点成中心对称。


4.根据权利要求1所述的漏缆，其特征在于，所述左阵列(7)相对于轴线的倾角为15°至30°。


5.根据权利要求1所述的漏缆，其特征在于，所述槽孔组(5)包括依次沿轴向错位重叠排列的四个阵列组(6)，分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志行，刘中华，卫伟，吕岑佳，
申请(专利权)人：江苏亨鑫科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32