二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器制造技术

本申请提供了一种二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器，该二极管分立器件用于带旁路功能的电路，该二极管分立器件包括：分立器件封装体、第一二极管与第二二极管；其中，所述第一二极管为主电路二极管，所述第二二极管为旁路二极管，所述第一二极管的第一性能优于所述第二二极管的第一性能，所述第一性能包括反向恢复电荷及反向恢复时间；所述第一二极管与所述第二二极管封装于所述分立器件封装体内，所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极相连接，或者，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连接。该二极管分立器件能够提高电路的集成度和功率密度。

【技术实现步骤摘要】
二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器
本申请涉及电路领域，并且更具体地，涉及一种二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器。
技术介绍
升压斩波(boost)电路(或称为boost升压电路)应用于光伏系统中，可以将光伏组件输出的宽范围直流电压，转换为稳定的直流电压，以满足后一级的逆变电路。当光伏组件的输出电压高于逆变电路对直流电压的等级需求时，boost升压电路的有源开关器件将不进行开关动作，此时，光伏组件的输出电流流经boost升压电路的主电感和主电路二极管，并引起损耗。由于boost升压电路的主电路二极管需要综合考虑其导通性能和开关性能，故其导通压降通常较大，相应地，电路的导通损耗也较大。此时，在boost升压电路中增加旁路功能，能够有效地降低电路的导通损耗。但是，增加旁路功能也会增加电路的面积和体积，进而降低电路的集成度及功率密度。因此，如何提高电路的集成度和功率密度，成为一个亟需解决的技术问题。
技术实现思路
本申请提供一种二极管分立器件、带旁路功能的电路及变换器，能够提高电路的集成度和功率密度。第一方面，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二极管分立器件，其特征在于，所述二极管分立器件用于带旁路功能的电路，所述二极管分立器件包括：/n分立器件封装体、第一二极管与第二二极管；/n其中，所述第一二极管为主电路二极管，所述第二二极管为旁路二极管，所述第一二极管的第一性能优于所述第二二极管的第一性能，所述第一性能包括反向恢复电荷及反向恢复时间；/n所述第一二极管与所述第二二极管封装于所述分立器件封装体内，所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极相连接，或者，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种二极管分立器件，其特征在于，所述二极管分立器件用于带旁路功能的电路，所述二极管分立器件包括：
分立器件封装体、第一二极管与第二二极管；
其中，所述第一二极管为主电路二极管，所述第二二极管为旁路二极管，所述第一二极管的第一性能优于所述第二二极管的第一性能，所述第一性能包括反向恢复电荷及反向恢复时间；
所述第一二极管与所述第二二极管封装于所述分立器件封装体内，所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极相连接，或者，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连接。


2.根据权利要求1所述的二极管分立器件，其特征在于，所述第二二极管的第二性能优于所述第一二极管的第二性能，所述第二性能包括耐压等级、导通压降及耐冲击电流等级中至少一项。


3.根据权利要求1或2所述的二极管分立器件，其特征在于，所述第一二极管为宽禁带半导体器件，所述第二二极管为硅基半导体器件。


4.根据权利要求3所述的二极管分立器件，其特征在于，所述宽禁带半导体器件为碳化硅半导体器件，或者所述宽禁带半导体器件为氮化镓半导体器件。


5.根据权利要求1或2所述的二极管分立器件，其特征在于，所述第一二极管与所述第二二极管均为硅基半导体器件。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的二极管分立器件，其特征在于，所述二极管分立器件包括至少三个电极。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的二极管分立器件，其特征在于，
所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极在所述分立器件封装体内相连接；
所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极在所述分立器件封装体内相连接；
所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极在所述分立器件封装体外相连接；或者
所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极在所述分立器件封装体外相连接。


8.根据权利要求1至7中任一项所述的二极管分立器件，其特征在于，所述分立器件封装体为TO-247系列封装、所述分立器件封装体为TO-220系列封装、所述分立器件封装体为TO-263系列封装或所述分立器件封装体为TO-252系列封装。


9.一种带旁路功能的电路，其特征在于，所述电路包括：
主电路、旁路和用于所述电路的二极管分立器件；
所述二极管分立器件包括分立器件封装体、第一二极管和第二二极管，所述第一二极管连接于所述主电路，所述第二二极管连接于所述旁路；
其中，所述第一二极管的第一性能优于所述第二二极管的第一性能，所述第一性能包括反向恢复电荷及反向恢复时间；
所述第一二极管与所述第二二极管封装于所述分立器件封装体内，所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极相连接，或者，所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极相连接。


10.根据权利要求9所述的电路，其特征在于，所述第二二极管的第二性能优于所述第一二极管的第二性能，所述第二性能包括耐压等级、导通压降及耐冲击电流等级中至少一项。


11.根据权利要求9或10所述的电路，其特征在于，所述第一二极管为宽禁带半导体器件，所述第二二极管为硅基半导体器件。


12.根据权利要求11所述的电路，其特征在于，所述宽禁带半导体器件为碳化硅半导体器件，或者所述宽禁带半导体器件为氮化镓半导体器件。


13.根据权利要求9或10所述的电路，其特征在于，所述第一二极管与所述第二二极管均为硅基半导体器件。


14.根据权利要求9至13中任一项所述的电路，其特征在于，所述二极管分立器件包括至少三个电极。


15.根据权利要求9至14中任一项所述的电路，其特征在于，
所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极在所述分立器件封装体内相连接；
所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极在所述分立器件封装体内相连接；
所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阳极在所述分立器件封装体外相连接；或者
所述第一二极管的阴极与所述第二二极管的阴极在所述分立器件封装体外相连接。


16.根据权利要求9至15中任一项所述的电路，其特征在于，所述分立器件封装体为TO-247系列封装、所述分立器件封装体为TO-220系列封装、所述分立器件封装体为TO-263系列封装或所述分立器件封装体为TO-2...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈东，石磊，王朝辉，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44