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一种自支持SnO制造技术

技术编号:23142405 阅读:48 留言:0更新日期:2020-01-18 10:57
本发明专利技术公开了一种自支持SnO

A self supporting SnO

【技术实现步骤摘要】
一种自支持SnO2纳米棒有序阵列材料的制备方法与应用
本专利技术涉及一种自支持SnO2纳米棒有序阵列材料的制备方法与应用,属于材料

技术介绍
一维纳米材料如纳米线、纳米棒、纳米带、纳米管、纳米丝以及多级的纳米线、纳米棒、纳米管阵列,由于材料维度的降低和结构特征尺寸的减小,具有显著的表面效应、小尺寸效应、量子尺寸效应,呈现出不同于块体材料的电、光、热、磁等独特的物理、化学特性,在光电材料、传感器和催化剂等领域有广泛的应用前景。SnO2纳米线、纳米棒、纳米管等一维纳米结构具有高的比表面积、良好的表面吸附特性和更多的活性位点,使其表现出良好的导电性、氧化还原、气体敏感等特性。然而,这些一维的纳米材料由于其松散和无序性难以构建纳米器件,发挥其性能优势。纳米有序阵列作为纳米多级结构中典型的一种形式,不仅具有一维的纳米线、纳米棒等的结构特点,且阵列结构具有定向的取向性、较高的有序度以及大量有序的空间孔道,从而获得比表面积大、吸附性强、扩散系数大等优点。但目前,关于一维纳米有序阵列的研究依旧较为缓慢,其主要的难题在于如何制备出维度、形貌、成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自支持SnO

【技术特征摘要】
1.一种自支持SnO2纳米棒有序阵列材料,其特征在于:SnO2纳米棒直径为6~50nm,长度为100~800nm。


2.根据权利要求1所述自支持SnO2纳米棒有序阵列材料,其特征在于:自支持SnO2纳米棒有序阵列材料中掺杂有贵金属或稀土金属,贵金属或稀土金属的掺杂量为0.5~10at%。


3.权利要求1所述自支持SnO2纳米棒有序阵列材料的制备方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)以SnCl4·5H2O为锡源,将SnCl4·5H2O加入到硝酸溶液中,在搅拌条件下反应20~30min得到溶液A;
(2)以尿素CO(NH2)2为燃料,将尿素CO(NH2)2加入到步骤(1)溶液A中,在搅拌条件下反应20~30min得到溶液B;
(3)将棉纤维加入到步骤(2)溶液B中混合均匀得到反应前驱体;
(4)将步骤(3)反应前驱体匀速升温至温度为500~800℃,恒温反应30~120min,冷却至室温即得自支持SnO2纳米棒有序阵列材料。


4.根据权利要求3所述自支持SnO2纳米棒有序阵列材料的制备方法,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵鹤云万文静
申请(专利权)人:云南大学
类型:发明
国别省市:云南;53

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