一种低内阻MOS封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种低内阻MOS封装结构，包括塑封体、引线框架和clip铜片；塑封体包裹在引线框架和铜片的外侧；引线框架包括载片岛、载片岛一侧的第一引线脚、第二引线脚、第三引线脚和第四引线脚；引线框架还包括载片岛另一侧的第五引线脚、第六引线脚、第七引线脚和第八引线脚；第一引线脚、第二引线脚和第三引线脚相连；MOS管芯片通过焊料安装在载片岛之上；clip铜片通过焊料和MOS管芯片的源极相连接，且通过焊料依次和第一引线脚、第二引线脚和第三引线脚相连；第四引线脚通过键合线或clip铜片夹扣的方式与MOS管芯片的栅极相连；一侧引线脚开设圆孔。本实用新型专利技术可以增加clip铜片和MOS管芯片的接触面积，从而降低接触电阻，增加电流承载能力。

A low internal resistance MOS package structure

【技术实现步骤摘要】
一种低内阻MOS封装结构
本技术涉及集成电路封装领域，特别涉及一种低内阻MOS封装结构。
技术介绍
MOS管的英文全称叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。MOSFET芯片在制作完成之后，需要给MOSFET芯片加上一个外壳，即MOS管封装。MOSFET芯片的外壳具有支撑、保护、冷却的作用，同时还为芯片提供电气连接和隔离，以便MOSFET器件与其它元件构成完整的电路。按照安装在PCB方式来区分，MOS管封装主要有两大类：插入式(ThroughHole)和表面贴装式(SurfaceMount)。插入式就是MOSFET的管脚穿过PCB的安装孔焊接在PCB上。表面贴装则是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB表面的焊盘上。当今大多数电子产品设计都要求高能源效率，包括非消费型电子设备在内，例如工业马达驱动器和电信网络基础本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低内阻MOS封装结构，其特征在于：包括塑封体(1)、引线框架(2)和clip铜片(3)；塑封体(1)包裹在引线框架(2)和铜片(3)的外侧；引线框架(2)包括载片岛(4)、载片岛(4)一侧的第一引线脚(51)、第二引线脚(52)、第三引线脚(53)和第四引线脚(54)；引线框架(2)还包括载片岛(4)另一侧的第五引线脚(61)、第六引线脚(62)、第七引线脚(63)和第八引线脚(64)；第一引线脚(51)、第二引线脚(52)和第三引线脚(53)相连；载片岛(4)的另一侧和单排的第五引线脚(61)、第六引线脚(62)、第七引线脚(63)和第八引线脚(64)相连；MOS管芯片(7)通过焊料...

【技术特征摘要】
1.一种低内阻MOS封装结构，其特征在于：包括塑封体(1)、引线框架(2)和clip铜片(3)；塑封体(1)包裹在引线框架(2)和铜片(3)的外侧；引线框架(2)包括载片岛(4)、载片岛(4)一侧的第一引线脚(51)、第二引线脚(52)、第三引线脚(53)和第四引线脚(54)；引线框架(2)还包括载片岛(4)另一侧的第五引线脚(61)、第六引线脚(62)、第七引线脚(63)和第八引线脚(64)；第一引线脚(51)、第二引线脚(52)和第三引线脚(53)相连；载片岛(4)的另一侧和单排的第五引线脚(61)、第六引线脚(62)、第七引线脚(63)和第八引线脚(64)相连；MOS管芯片(7)通过焊料安装在所述载片岛(4)之上；clip铜片通过焊料和MOS管芯片(7)的源极相连接，且通过焊料依次和所述第一引线脚(51)、第二引线脚(52)和第三引线脚(53)相连；所述第四引线脚(54)通过键合线或cl...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁宏承，
申请(专利权)人：无锡市宏湖微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32