一种全桥高频并联功率单元制造技术

本实用新型专利技术公开了一种全桥高频并联功率单元，包括结构相同的两个逆变半桥，逆变半桥的水冷板竖直的固定在绝缘的安装板上，驱动板与MOSFET器件电连。水冷板的一侧面上固定有MOSFET器件，驱动板与水冷板平行，两个水冷板之间设置有滤波电容和阻容吸收。滤波电容的两端分别与两个水冷板固定连接，阻容吸收的一端与水冷板固定连接，阻容吸收的另一端与MOSFET器件连接。MOSFET器件与输出汇流排连接输出，输入汇流排与水冷板连接。输出汇流排的表面设置有绝缘层，两个逆变半桥的输出汇流排压紧并排输出。本实用新型专利技术采用上述结构的全桥高频并联功率单元，能够解决输出汇流排对其他器件干扰大、均流性差、易损坏的问题，具有结构紧凑、更易于集成在较小空间内的优点。

A full bridge high frequency parallel power unit

【技术实现步骤摘要】
一种全桥高频并联功率单元
本技术涉及高频逆变功率单元
，尤其是涉及一种全桥高频并联功率单元。
技术介绍
高频感应加热设备是金属焊接、金属熔炼、热处理、热成型等工艺过程中广泛采用的加热方式，多用于金属直缝管材焊接、半导体单晶生长、各种金属制品的钎焊、有色金属熔炼的加热过程。基于MOSFET功率器件构成的高频逆变功率单元是高频感应加热设备中的重要组成部分，直接影响高频感应加热设备的电气性能，进而影响加高频感应加热设备的运行安全可靠性及工作效率。实际生产中大部分高频感应加热设备是由MOSFET功率器件组成的高频逆变功率单元，实现了电能的传输与变换。目前市场上的基于功率器件MOSFET高频逆变功率单元一般由功率器件MOSFET、水冷板、驱动板、汇流排、阻容吸收及滤波电容等部分组成。其中功率器件MOSFET固定在水冷板的一侧，阻容吸收固定在水冷板的另一侧，滤波电容连接在正负极板间。多只功率器件MOSFET与汇流排并联连接汇流输出构成逆变桥的半桥，两个半桥在空间上组成全桥。逆变半桥的输出汇流排独立输出电流，电流频率高，电流密度大，周围本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种全桥高频并联功率单元，包括结构相同的两个逆变半桥，所述逆变半桥包括水冷板(4)、驱动板(2)、MOSFET器件(3)、阻容吸收(9)、滤波电容(8)和输出汇流排(6)，水冷板(4)固定在绝缘的安装板(1)上，驱动板(2)通过绝缘支柱(10)固定在水冷板(4)上，驱动板(2)与MOSFET器件(3)电连，其特征在于：安装板(1)上竖直的固定有两个水冷板(4)，水冷板(4)的一侧面上固定有MOSFET器件(3)，驱动板(2)与水冷板(4)平行，两个水冷板(4)之间设置有滤波电容(8)和阻容吸收(9)，滤波电容(8)的两端分别与两个水冷板(4)固定连接，阻容吸收(9)的一端与水冷板(4)固定...

【技术特征摘要】
1.一种全桥高频并联功率单元，包括结构相同的两个逆变半桥，所述逆变半桥包括水冷板(4)、驱动板(2)、MOSFET器件(3)、阻容吸收(9)、滤波电容(8)和输出汇流排(6)，水冷板(4)固定在绝缘的安装板(1)上，驱动板(2)通过绝缘支柱(10)固定在水冷板(4)上，驱动板(2)与MOSFET器件(3)电连，其特征在于：安装板(1)上竖直的固定有两个水冷板(4)，水冷板(4)的一侧面上固定有MOSFET器件(3)，驱动板(2)与水冷板(4)平行，两个水冷板(4)之间设置有滤波电容(8)和阻容吸收(9)，滤波电容(8)的两端分别与两个水冷板(4)固定连接，阻容吸收(9)的一端与水冷板(4)固定连接，阻容吸收(9)的另一端与MOSFET器...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑国民，
申请(专利权)人：保定三正电气设备有限公司，
类型：新型
国别省市：河北;13