基于反相器的差分放大器制造技术

一种电路可以包含第一电流源、第二电流源和电耦合在第一电流源和第二电流源之间的差分反相放大器。该差分反相放大器可以包含多个负载电阻器和多个二极管连接的金属氧化物半导体(MOS)钳位器，所述多个二极管连接的金属氧化物半导体(MOS)钳位器被配置为限制输出摆动并使共模干扰最小化。

Differential amplifier based on Inverter

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基于反相器的差分放大器
本公开涉及电子放大器电路，更具体地，涉及反相放大器(inverteramplifier)比较器。
技术介绍
某些先前的架构被配置用于低噪声高速差分放大器，这些放大器充当带有负载电阻器的简单差分对和差分反相放大器拓扑。对于低噪声高速应用，简单性可能很有用，因为额外的复杂性可能会使噪声性能、带宽或两者降级。对于便携式电池操作设备，有效利用电流可能是有用的。图1示出了结合了用于增益和电阻负载的金属氧化物半导体(metaloxidesemiconductor，MOS)差分对的先前拓扑100的示例。该电路提供低噪声、合理的增益和高带宽。图2示出了由图1就所示器件尺寸和技术所示的拓扑100的交流电(alternatingcurrent，AC)、噪声和瞬态性能200。虽然具有负载电阻器的差分对是低噪声拓扑，但是可以采用使用负沟道MOS(NMOS)和正沟道MOS(PMOS)差分对两者的配置的放大器拓扑。这些反相放大器拓扑可以提供性能的改善，因为偏置电流被用于在NMOS对和PMOS对两者中生成增益(gm)。图3示出了先前的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种装置，包括：/n第一电流源；/n第二电流源；以及/n差分反相放大器，电耦合在所述第一电流源和所述第二电流源之间，所述差分反相放大器包含：/n多个负载电阻器；以及/n多个二极管连接的金属氧化物半导体(MOS)钳位器，被配置为限制输出摆动并使共模干扰最小化。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170518 US 62/508,2801.一种装置，包括：
第一电流源；
第二电流源；以及
差分反相放大器，电耦合在所述第一电流源和所述第二电流源之间，所述差分反相放大器包含：
多个负载电阻器；以及
多个二极管连接的金属氧化物半导体(MOS)钳位器，被配置为限制输出摆动并使共模干扰最小化。


2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一电流源是具有电压vdd的正沟道MOS(PMOS)电流源。


3.根据权利要求2所述的装置，其中所述第二电流源是具有电压vss的负沟道MOS(NMOS)电流源。


4.根据权利要求3所述的装置，还包括多个负载电阻器，所述多个负载电阻器被配置为提供等于vdd/2的共模电压vcm。


5.根据权利要求1所述的装置，还包括差分电阻负载，以改善带宽并使共模反馈控制最小化。


6.根据权利要求4所述的装置，其中所述多个二极管连接的MOS钳位器和所述多个负载电阻器被配置为使得能够独立优化增益和带宽。


7.一种系统，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：GN林克，W李，
申请(专利权)人：爱浮诺亚股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US