一种钼方片倒角工艺制造技术

本发明专利技术属于钼加工领域，具体涉及一种钼方片倒角工艺，包括如下步骤：步骤1，将钼片进行线切割，切割形成钼方片；步骤2，将切割好的钼方片加入至涡扇式双流机内进行初步切削处理；步骤3，经上述的钼方片加入至振动机中进行二次磨料切削处理；步骤4，将上述钼方片加入至研磨机中进行研磨倒角处理，得到倒角钼方片。本发明专利技术解决了现有工艺倒角处理不佳的问题，利用切削和研磨的方式处理形成倒角，提升了倒角的圆润，不存在任何缺陷和缺角。

A chamfering technology of molybdenum square

【技术实现步骤摘要】
一种钼方片倒角工艺
本专利技术属于钼加工领域，具体涉及一种钼方片倒角工艺。
技术介绍
在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT，是目前功率电子器件里技术最先进的产品，已经全面取代了传统的PowerMOSFET，其应用非常广泛，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业，被称为电力电子行业里的“CPU”。所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点，如驱动功率小和饱和压降低等。作为IGBT芯片中导电和散热的主要元器件，钼方片在整个IGBT芯片中显得十分重要。目前，钼方片的生产工艺对钼方片的倒角处理效果不佳，局部出现毛刺现象。
技术实现思路
针对现有技术中的问题，本专利技术提供一种钼方片倒角工艺，解决了现有工艺倒角处理不佳的问题，利用切削和研磨的方式处理形成倒角，提升了倒角的圆润，不存在任何缺陷和缺角。为实现以上技术目的，本专利技术的技术方案是：一种钼方片倒角工艺，包括如下步骤：步骤1，将钼片进行线切割，切割形成钼方片；步骤2，将切割好的钼方片加入至涡扇式双流机内进行初步切削处理；步骤3，经上述的钼方片加入至振动机中进行二次磨料切削处理；步骤4，将上述钼方片加入至研磨机中进行研磨倒角处理，得到倒角钼方片。所述步骤1中的钼片采用已完成表面研磨处理的钼片。述步骤2中的涡扇式双流机的转速为25rpm，切削时间为4.5h，涡扇式双流机内的磨料的规格为10*10mm。所述步骤2中的初步切削处理后的钼方片的倒角为0.15mm。所述步骤3中的振动机的电机转速为20rpm，磨料规格为9*9mm，切削时间为2.5h。所述步骤3中的二次磨料切削后的钼方片的倒角为0.2mm。所述步骤4中的研磨机的研磨砂皮是800目专用研磨砂皮，研磨砂的规格为800目。所述步骤4中的研磨倒角处理采用双梯度研磨处理，第一梯度中的研磨机转速为20rpm，时间为15min，第二梯度的研磨机转速为50rpm，研磨时间为20min。所述步骤4中的倒角钼方片的倒角为0.2mm。本专利技术利用线切割的方式将钼片切割形成钼方片，然后利用涡扇式双流机配合磨料，实现倒角的初步切削，得到初级倒角；利用振动机与磨料实现了二级切削，将倒角研磨至略大于要求尺寸的大小，最后利用研磨砂皮和高规格磨砂形成梯度研磨，将尺寸和钼方片倒角表面精细化处理，得到无缺陷且表面光滑圆润的钼方片。从以上描述可以看出，本专利技术具备以下优点：1.本专利技术解决了现有工艺倒角处理不佳的问题，利用切削和研磨的方式处理形成倒角，提升了倒角的圆润，不存在任何缺陷和缺角。2.本专利技术加工的钼方片表面平整，边角整齐光滑无凸起，没有任何毛刺和缺陷缺角。3.本专利技术利用双梯度研磨处理，不仅利用高目数磨砂实现提升倒角面的光滑圆润性，同时利用研磨砂皮来实现小尺寸的精确控制，大大提升钼方片内的精确度。具体实施方式结合实施例详细说明本专利技术，但不对本专利技术的权利要求做任何限定。实施例1一种钼方片倒角工艺，包括如下步骤：步骤1，将钼片进行线切割，切割形成钼方片；步骤2，将切割好的钼方片加入至涡扇式双流机内进行初步切削处理；步骤3，经上述的钼方片加入至振动机中进行二次磨料切削处理；步骤4，将上述钼方片加入至研磨机中进行研磨倒角处理，得到倒角钼方片。所述步骤1中的钼片采用已完成表面研磨处理的钼片，且规格为25﹢0.01mm，切割后的钼片的边长为21.5mm。述步骤2中的涡扇式双流机的转速为25rpm，切削时间为4.5h，涡扇式双流机内的磨料的规格为10*10mm。所述步骤2中的初步切削处理后的钼方片的倒角为0.15mm。所述步骤3中的振动机的电机转速为20rpm，磨料规格为9*9mm，切削时间为2.5h。所述步骤3中的二次磨料切削后的钼方片的倒角为0.2mm。所述步骤4中的研磨机的研磨砂皮是800目专用研磨砂皮，研磨砂的规格为800目。所述步骤4中的研磨倒角处理采用双梯度研磨处理，第一梯度中的研磨机转速为20rpm，时间为15min，第二梯度的研磨机转速为50rpm，研磨时间为20min。所述步骤4中的倒角钼方片的倒角为0.2mm。得到的钼方片边长为21.5mm，倒角为0.2mm。钼方片表面平整，边角整齐光滑无凸起，没有任何毛刺和缺陷缺角，符合客户要求。实施例2一种钼方片倒角工艺，包括如下步骤：步骤1，将钼片进行线切割，切割形成钼方片；步骤2，将切割好的钼方片加入至涡扇式双流机内进行初步切削处理；步骤3，经上述的钼方片加入至振动机中进行二次磨料切削处理；步骤4，将上述钼方片加入至研磨机中进行研磨倒角处理，得到倒角钼方片。所述步骤1中的钼片采用已完成表面研磨处理的钼片，且规格为50﹢0.01mm，切割后的钼片的边长为24.3mm。述步骤2中的涡扇式双流机的转速为25rpm，切削时间为4.5h，涡扇式双流机内的磨料的规格为10*10mm。所述步骤2中的初步切削处理后的钼方片的倒角为0.1mm。所述步骤3中的振动机的电机转速为20rpm，磨料规格为9*9mm，切削时间为2.5h。所述步骤3中的二次磨料切削后的钼方片的倒角为0.18mm。所述步骤4中的研磨机的研磨砂皮是800目专用研磨砂皮，研磨砂的规格为800目。所述步骤4中的研磨倒角处理采用双梯度研磨处理，第一梯度中的研磨机转速为20rpm，时间为15min，第二梯度的研磨机转速为50rpm，研磨时间为20min。所述步骤4中的倒角钼方片的倒角为0.15mm。得到的钼方片边长为24.3mm，倒角为0.15mm。钼方片表面平整，边角整齐光滑无凸起，没有任何毛刺和缺陷缺角。实施例3一种钼方片倒角工艺，包括如下步骤：步骤1，将钼片进行线切割，切割形成钼方片；步骤2，将切割好的钼方片加入至涡扇式双流机内进行初步切削处理；步骤3，经上述的钼方片加入至振动机中进行二次磨料切削处理；步骤4，将上述钼方片加入至研磨机中进行研磨倒角处理，得到倒角钼方片。所述步骤1中的钼片采用已完成表面研磨处理的钼片，且规格为30﹢0.01mm，切割后的钼片的边长为12.5mm。述步骤2中的涡扇式双流机的转速为25rpm，切削时间为4.5h，涡扇式双流机内的磨料的规格为10*10mm。所述步骤2中的初步切削处理后的钼方片的倒角为0.1mm。所述步骤3中的振动机的电机转速为2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种钼方片倒角工艺，其特征在于：包括如下步骤：/n步骤1，将钼片进行线切割，切割形成钼方片；/n步骤2，将切割好的钼方片加入至涡扇式双流机内进行初步切削处理；/n步骤3，经上述的钼方片加入至振动机中进行二次磨料切削处理；/n步骤4，将上述钼方片加入至研磨机中进行研磨倒角处理，得到倒角钼方片。/n

【技术特征摘要】
1.一种钼方片倒角工艺，其特征在于：包括如下步骤：
步骤1，将钼片进行线切割，切割形成钼方片；
步骤2，将切割好的钼方片加入至涡扇式双流机内进行初步切削处理；
步骤3，经上述的钼方片加入至振动机中进行二次磨料切削处理；
步骤4，将上述钼方片加入至研磨机中进行研磨倒角处理，得到倒角钼方片。


2.根据权利要求1所述的钼方片倒角工艺，其特征在于：所述步骤1中的钼片采用已完成表面研磨处理的钼片。


3.根据权利要求1所述的钼方片倒角工艺，其特征在于：所述步骤2中的涡扇式双流机的转速为25rpm，切削时间为4.5h，涡扇式双流机内的磨料的规格为10*10mm。


4.根据权利要求1所述的钼方片倒角工艺，其特征在于：所述步骤2中的初步切削处理后的钼方片的倒角为0.15mm。

【专利技术属性】
技术研发人员：郭顺华，陈敏，
申请(专利权)人：江苏时代华宜电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32