半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置。是一种半导体装置，具有：第1导电型的半导体基板（10）；设置在半导体基板（10）上的纵向霍尔元件（100）；以及经由绝缘膜（30）设置在纵向霍尔元件（100）的正上方的、励磁导体（200），其中，纵向霍尔元件（100）具备：设置在半导体基板（10）上的、第2导电型的半导体层（101）；以及在半导体层（101）的表面在一条直线上设置的、由高浓度的第2导电型的杂质区域构成的多个电极（111）~（115），励磁导体（200）的宽度W

Semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术涉及半导体装置，特别是涉及包括对水平方向的磁场进行感测的纵向霍尔元件的半导体装置。
技术介绍
霍尔元件能够作为磁传感器进行非接触下的位置感测或角度感测，因此，被用于各种用途。在其中，通常较多知晓使用了对与半导体基板表面垂直的磁场分量进行检测的横向霍尔元件的磁传感器。而且，也提出了各种使用了对与半导体基板的表面平行的磁场分量进行检测的纵向霍尔元件的磁传感器。进而，还提出了将横向霍尔元件和纵向霍尔元件组合来2维、3维地检测磁场的磁传感器。可是，纵向霍尔元件与横向霍尔元件相比，灵敏度或偏移电压特性容易受到由制造偏差造成的影响，因此，特性偏差较大。为了校正这样的特性偏差，在专利文献1中公开了以下方法：通过使电流在配置在纵向霍尔元件的附近的励磁导体中流动，从而在霍尔元件的位置产生具有规定的磁通量密度的校正磁场来估计霍尔元件的灵敏度。即，使校正磁场的磁通量密度发生变化，测定从被施加校正磁场时的霍尔元件输出的霍尔电压的变化，由此，估计霍尔元件的实际的灵敏度。此外，在专利文献1的图1中，采用了将励磁导体的中心与纵向本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，具有：/n第1导电型的半导体基板；/n设置在所述半导体基板上的纵向霍尔元件；以及/n经由绝缘膜设置在所述纵向霍尔元件的正上方的、励磁导体，/n所述半导体装置的特征在于，/n所述纵向霍尔元件具备：/n设置在所述半导体基板上的、第2导电型的半导体层；以及/n在所述半导体层的表面在一条直线上设置的、由高浓度的第2导电型的杂质区域构成的多个电极，/n所述励磁导体的宽度W

【技术特征摘要】
20180703 JP 2018-1266831.一种半导体装置，具有：
第1导电型的半导体基板；
设置在所述半导体基板上的纵向霍尔元件；以及
经由绝缘膜设置在所述纵向霍尔元件的正上方的、励磁导体，
所述半导体装置的特征在于，
所述纵向霍尔元件具备：
设置在所述半导体基板上的、第2导电型的半导体层；以及
在所述半导体层的表面在一条直线上设置的、由高浓度的第2导电型的杂质区域构成的多个电极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：飞冈孝明，上村纮崇，
申请(专利权)人：艾普凌科有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP