噪声滤波器制造技术

本发明专利技术的噪声滤波器包括由第一电容器和第二电容器构成的滤波器电路，第一及第二电容器通过第一布线和第二布线并联连接，该第一布线使第一电容器的一个端子与第二电容器的一个端子相连，该第二布线使第一电容器的另一个端子与第二电容器的另一个端子相连，第一布线与第二布线配置成交叉奇数次。

Noise filter

【技术实现步骤摘要】
噪声滤波器本申请是申请日为“2013年9月17日”、申请号为“201380079626.X”、题为“噪声滤波器”的申请的分案申请。
本专利技术涉及噪声滤波器。
技术介绍
作为现有的噪声滤波器，已知有非专利文献1所公开的技术。该现有的噪声滤波器由两个线圈、以及两个跨线电容器(AcrosstheLineCondenser；以下称为X电容器)构成，两个X电容器的一个端子之间以及另一端子之间分别连接有线圈，两个X电容器的其中一个设置有与流过X电容器的电流方向相反的电流路径。在如上述那样构成的现有的噪声滤波器中，当电流流过一个X电容器时，在另一路径中流过反方向的电流，因此各路径中流过的电流所产生的磁通相互抵消，从而抑制了与所述另一个X电容器的磁耦合。由此，大幅改善了常规模式下噪声滤波器的衰减量。此外，作为能用于滤波器的电路技术，专利文献1公开了利用各电容器的配置方式来抑制电容器彼此的磁耦合的方法。该方法中，对并联连接的多个电容器分别进行配置，使得流过其中一个电容器的电流的矢量不与流过另一个电容器的电流的矢量平行，从而抑制了电容器彼此的磁耦合。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2001-23849号公报非专利文献非专利文献1：ImprovementofEMIFilterPerformanceWithparasiticCouplingCancellation(IEEETRANSACTIONSONPOWERELECTRONICS,VOL.20,NO.5,SEPTEMBER2005)
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题然而，在上述非专利文献1所记载的现有的噪声滤波器中，存在无法使用通常的X电容器而必须使用具有特殊结构的X电容器的问题。此外，在上述专利文献1所记载的能用于滤波器的电路技术中，存在电路的元器件配置和布线受到电容器配置的限制、从而电路面积随着电容器的数量增多而大型化的问题。本专利技术为了解决现有噪声滤波器等存在的上述问题而完成，其目的在于提供一种噪声滤波器，能使用通常的电容器，并能抑制电容器彼此的磁耦合而与电容器的配置方法无关。解决技术问题所采用的技术手段本专利技术的噪声滤波器在于，包括第一薄膜电容器和第二薄膜电容器，其特征在于，所述第一薄膜电容器与所述第二薄膜电容器配置在彼此进行磁耦合的距离，且通过第一布线和第二布线并联连接，该第一布线使所述第一薄膜电容器的一个端子与所述第二薄膜电容器的一个端子相连，该第二布线使所述第一薄膜电容器的另一个端子与所述第二薄膜电容器的另一个端子相连，所述第一布线与所述第二布线配置成交叉奇数次。此外，本专利技术的噪声滤波器在于，包括第一薄膜电容器、第二薄膜电容器、第一线圈、以及第二线圈，其特征在于，所述第一薄膜电容器与所述第二薄膜电容器配置在彼此进行磁耦合的距离，该噪声滤波器包括：使所述第一薄膜电容器的一个端子与所述第二线圈的一个端子相连的第一布线；以及使所述第一薄膜电容器的另一个端子与所述第一线圈的一个端子相连的第二布线，所述第二薄膜电容器的一个端子与所述第二线圈的另一个端子相连，所述第二薄膜电容器的另一个端子与所述第一线圈的另一个端子相连，所述第一布线与所述第二布线配置成交叉奇数次。此外，本专利技术的噪声滤波器在于，包括包含第一薄膜电容器和第二薄膜电容器在内的三个以上的薄膜电容器，其特征在于，所述第一薄膜电容器与所述第二薄膜电容器配置在彼此进行磁耦合的距离，所述第一薄膜电容器与所述第二薄膜电容器通过第一布线和第二布线并联连接，该第一布线使所述第一薄膜电容器的一个端子与所述第二薄膜电容器的一个端子相连，该第二布线使所述第一薄膜电容器的另一个端子与所述第二薄膜电容器的另一个端子相连，所述第一薄膜电容器和第二薄膜电容器以外的薄膜电容器分别与所述第一薄膜电容器和所述第二薄膜电容器并联连接，所述第一布线与所述第二布线配置成交叉奇数次。此外，本专利技术的噪声滤波器在于，包括包含第一薄膜电容器和第二薄膜电容器在内的三个以上的薄膜电容器、第一线圈、以及第二线圈，其特征在于，所述第一薄膜电容器与所述第二薄膜电容器配置在彼此进行磁耦合的距离，该噪声滤波器包括：使所述第一薄膜电容器的一个端子与所述第二线圈的一个端子相连的第一布线；以及使所述第一薄膜电容器的另一个端子与所述第一线圈的一个端子相连的第二布线，所述第二薄膜电容器的一个端子与所述第二线圈的另一个端子相连，所述第二薄膜电容器的另一个端子与所述第一线圈的另一个端子相连，所述第一薄膜电容器和第二薄膜电容器以外的薄膜电容器分别与所述第一薄膜电容器和所述第二薄膜电容器并联连接，所述第一布线、所述第二布线、以及将电容器彼此并联连接的布线中，至少一个部位的布线彼此交叉奇数次。此外，本专利技术的噪声滤波器在于，包括第一薄膜电容器、第二薄膜电容器、第三薄膜电容器、第一线圈、第二线圈、第三线圈、以及第四线圈，其特征在于，所述第一薄膜电容器、所述第二薄膜电容器及所述第三薄膜电容器分别配置在彼此进行磁耦合的距离，该噪声滤波器包括：使所述第一薄膜电容器的一个端子与所述第一线圈的一个端子相连的第一布线；使所述第一薄膜电容器的另一个端子与所述第二线圈的一个端子相连的第二布线；使所述第三薄膜电容器的一个端子与所述第一线圈的另一个端子相连的第三布线；使所述第三薄膜电容器的另一个端子与所述第二线圈的另一个端子相连的第四布线；使所述第三薄膜电容器的一个端子与所述第三线圈的一个端子相连的第五布线；使所述第三薄膜电容器的另一个端子与所述第四线圈的一个端子相连的第六布线；使所述第二薄膜电容器的一个端子与所述第三线圈的另一个端子相连的第七布线；以及使所述第二薄膜电容器的另一个端子与所述第四线圈的另一个端子相连的第八布线，所述第一布线与所述第二布线的布线部位、所述第三布线与所述第四布线的布线部位、所述第五布线与所述第六布线的布线部位、所述第七布线与所述第八布线的布线部位中的至少一处布线部位上的布线彼此交叉奇数次。专利技术效果根据本专利技术的噪声滤波器，能抑制电容器彼此的磁耦合，能提高常规模式下噪声滤波器的衰减特性。附图说明图1是用于说明本专利技术实施方式1的噪声滤波器的电路图。图2是示意性示出本专利技术实施方式1的噪声滤波器的立体图。图3是用于说明现有噪声滤波器的电路图。图4是示意性示出现有噪声滤波器的立体图。图5是示出现有噪声滤波器中，常规模式噪声电流旁通流过X电容器的电流路径的说明图。图6是示意性示出现有噪声滤波器中，常规模式噪声电流旁通流过X电容器的电流路径、以及由该电流产生的磁通的立体图。图7是示出本专利技术实施方式1的噪本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种噪声滤波器，包括包含第一薄膜电容器、第二薄膜电容器及第三薄膜电容器在内的三个以上的薄膜电容器、第一线圈、以及第二线圈，其特征在于，/n所述第一薄膜电容器的两端与所述第一线圈及第二线圈的一个端子通过不交叉的布线连接，/n所述第二薄膜电容器的两端与所述第一线圈及第二线圈的另一个端子通过不交叉的布线连接，/n所述第一薄膜电容器与所述第三薄膜电容器配置在彼此进行磁耦合的距离，且通过第一布线和第二布线并联连接，/n该第一布线使所述第一薄膜电容器的一个端子与所述第三薄膜电容器的一个端子直接相连，该第二布线使所述第一薄膜电容器的另一个端子与所述第三薄膜电容器的另一个端子直接相连，/n所述第一布线与所述第二布线配置成交叉奇数次。/n

【技术特征摘要】
1.一种噪声滤波器，包括包含第一薄膜电容器、第二薄膜电容器及第三薄膜电容器在内的三个以上的薄膜电容器、第一线圈、以及第二线圈，其特征在于，
所述第一薄膜电容器的两端与所述第一线圈及第二线圈的一个端子通过不交叉的布线连接，
所述第二薄膜电容器的两端与所述第一线圈及第二线圈的另一个端子通过不交叉的布线连接，
所述第一薄膜电容器与所述第三薄膜电容器配置在彼此进行磁耦合的距离，且通过第一布线和第二布线并联连接，
该第一布线使所述第一薄膜电容器的一个端子与所述第三薄膜电容器的一个端子直接相连，该第二布线使所述第一薄膜电容器的另一个端子与所述第三薄膜电容器的另一个端子直接相连，
所述第一布线与所述第二布线配置成交叉奇数次。


2.如权利要求1所述的噪声滤波器，其特征在于，所述第一薄膜电容器、第二薄膜电容器及第三薄膜电容器以外的薄膜电容器通过交叉奇数次的布线与所述第二薄膜电容器和所述第三薄膜电容器并联连接。


3.如权利要求1或2所述的噪声滤波器，其特征在于，所述第一线圈和所述第二线圈分别由常规模式扼流线圈构成。


4.如权利要求1或2所述的噪声滤波器，其特征在于，利用所述第一线圈和所述第二线圈构成共模扼流线圈。


5.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：椿友介，川村真央，泷北守，广濑健二，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP