【技术实现步骤摘要】
p型掺杂材料、包含其的空穴注入材料、空穴注入层和OLED显示面板
本专利技术属于有机发光二极管制备领域，具体涉及一种p型掺杂材料、包含其的空穴注入材料、空穴注入层和OLED显示面板和电子设备。
技术介绍
OLED显示屏是利用有机电致发光二极管制成的显示屏。由于同时具备自发光，对比度高、厚度薄、响应速度快、可制成柔性面板，构造简单等优异特性，被认为是下一代的平面显示技术。OLED器件的结构一般为：阴极(Cathode)/电子注入层(EIL)/电子传输层(ETL)/发光层(EML)/空穴传输层(HTL)/空穴注入层(HIL)/阳极(Anode)。能级匹配对于有机电致发光器件至关重要，OLED器件的一般结构，大多使用ITO作为阳极，但是它的功函数较高，与大部分空穴传输材料的能级相差达到0.4eV左右。因此，如果在阳极以及空穴传输层之间加入一层空穴注入层，一方面可以增加电荷的注入，另一方面还可以提高器件的整体效率以及寿命。将某些强氧化剂掺杂到空穴传输层中作为空穴注入层也是另一种提高有机电致发光器件的空穴注入效率的途径...
【技术保护点】
1.一种p型掺杂材料，其特征在于，所述掺杂材料为具有取代或未取代的苯环稠化得到的环状结构；/n所述取代或未取代的苯环稠化得到的环状结构具有如下化学式：/n(C
【技术特征摘要】
1.一种p型掺杂材料，其特征在于，所述掺杂材料为具有取代或未取代的苯环稠化得到的环状结构；
所述取代或未取代的苯环稠化得到的环状结构具有如下化学式：
(C4RiRi+1)n，n为≥4的整数；i为2n以内的奇数；
所述Ri、Ri+1均各自独立地选自氢原子、吸电子基团，或Ri、Ri+1结合成芳环或杂芳环；所述Ri、Ri+1不同时为氢原子；
所述Ri、Ri+1结合成芳环或杂芳环，所述Ri、Ri+1结合成的芳环或杂芳环上连接有吸电子基团。
2.如权利要求1所述的p型掺杂材料，其特征在于，n为4～8。
3.如权利要求1所述的p型掺杂材料，其特征在于，所述n为4，所述取代或未取代的苯环稠化得到的环状结构的化学式为(C4R1R2)(C4R3R4)(C4R5R6)(C4R7R8)；
或者，所述n为5，所述取代或未取代的苯环稠化得到的环状结构的化学式为(C4R1R2)(C4R3R4)(C4R5R6)(C4R7R8)(C4R9R10)；
或者，所述n为6，所述取代或未取代的苯环稠化得到的环状结构的化学式为(C4R1R2)(C4R3R4)(C4R5R6)(C4R7R8)(C4R9R10)(C4R11R12)；
或者，所述n为7，所述取代或未取代的苯环稠化得到的环状结构的化学式为(C4R1R2)(C4R3R4)(C4R5R6)(C4R7R8)(C4R9R10)(C4R11R12)(C4R13R14)；
或者，所述n为8，所述取代或未取代的苯环稠化得到的环状结构的化学式为(C4R1R2)(C4R3R4)(C4R5R6)(C4R7R8)(C4R9R10)(C4R11R12)(C4R13R14)(C4R15R16)；
所述R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16均各自独立地选自氢原子、吸电子基团；或R1和R2、R3和R4、R5和R6、R7和R8、R9和R10、R11和R12、R13和R14、R15和R16分别结合成芳环或杂芳环；且所述取代或未取代的苯环稠化得到的环状结构的取代基不同时为氢原子。
4.如权利要求1所述的p型掺杂材料，其特征在于，所述吸电子基团包括含有氰基的基团、含有氟原子的基团、含有羰基的基团、含有烷氧基的基团中的任意1种或至少2种的组合。
5.如权利要求1所述的p型掺杂材料，其特征在于，所述吸电子基团为同时包含羰基和氰基的基团，或者同时包含羰基和氟原子的基团。
6.如权利要求1所述的p型掺杂材料，其特征在于，所述吸电子基团为同时包含羰基和氰基的基团，或者同时包含羰基和氟原子的基团，所述吸电子基团通过羰基与苯环稠化得到的环状结构连接。
7.如权利要求1所述的p型掺杂材料，其特征在于，所述吸电子基团具有式(I)的结构：
式(I)中，R’1、R’2、R’3、R’4、R’5均各自独立地选自氢原子、氰基、氟原子、三氟甲基、二氰基乙烯基中的任意1种，且R’1、R’2、R’3、R’4、R’5不同时为氢原子。
8.如权利要求7所述的p型掺杂材料，其特征在于，所述吸电子基团包括
中的任意1种或至少2种的组合。
9.如权利要求1所述的p型掺杂材料，其特征在于，所述n为6，所述吸电子基团为非平面吸电子取代基...
【专利技术属性】
技术研发人员：俞云海，杨红领，鄢亮亮，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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