白光量子点发光二极管器件及其制备方法技术

一种白光量子点发光二极管器件,包括:一基板；一阳极层,形成在所述基板上；一空穴注入层,形成在所述阳极层上；一空穴传输层,形成在所述空穴注入层上；多个量子点层,形成在所述空穴注入层上,所述多个量子点层包括蓝光量子点层、绿光量子点层、以及红光量子点层；多个间隔层,每一个所述间隔层形成在所述多个量子点层中的任意二个量子点层之间；一电子传输层,形成在所述多个量子点层之上；以及一阴极层,形成在所述电子传输层之上。

White quantum dot light-emitting diode and its preparation

【技术实现步骤摘要】
白光量子点发光二极管器件及其制备方法
本专利技术涉及显示
,具体涉及白光量子点发光二极管器件及其制备方法。
技术介绍
量子点发光二极管(quantumdotlightemittingdiode,QD-LED)是使用量子点作为发光层的一种新型显示器件。由于量子点的发射光谱半峰宽狭窄,且随着量子点尺寸的改变,光谱范围也会发生位移,因此QD-LED器件不仅发光效率高,而且发光范围可包含整个可见光谱范围。因而,近年来,QD-LED器件的研究受到广泛关注。现今量子点发光二极管的性能相对于单色光量子点发光二极管是较低的,例如采用叠层式量子点发光层,上层量子点将会对下层量子点产生溶解或是渗透。目前提高量子点发光二极管的性能主要通过优化量子点的量子效率来实现,该方法难度大且成本高。
技术实现思路
为解决上述问题,本专利技术提出一种白光量子点发光二极管器件,包括:一基板；形成在所述基板上的阳极层；形成在所述阳极层上的空穴注入层；形成在所述空穴注入层上的空穴传输层；<br>形成在所述空穴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种白光量子点发光二极管器件,其特征在于,包括:/n一基板；/n一阳极层,形成在所述基板上；/n一空穴注入层,形成在所述阳极层上；/n一空穴传输层,形成在所述空穴注入层上；/n多个量子点层,形成在所述空穴注入层上,所述多个量子点层包括蓝光量子点层、绿光量子点层、以及红光量子点层；/n多个间隔层,每一个所述间隔层形成在所述多个量子点层中的任意二个量子点层之间；/n一电子传输层,形成在所述多个量子点层之上；以及/n一阴极层,形成在所述电子传输层之上。/n

【技术特征摘要】
1.一种白光量子点发光二极管器件,其特征在于,包括:
一基板；
一阳极层,形成在所述基板上；
一空穴注入层,形成在所述阳极层上；
一空穴传输层,形成在所述空穴注入层上；
多个量子点层,形成在所述空穴注入层上,所述多个量子点层包括蓝光量子点层、绿光量子点层、以及红光量子点层；
多个间隔层,每一个所述间隔层形成在所述多个量子点层中的任意二个量子点层之间；
一电子传输层,形成在所述多个量子点层之上；以及
一阴极层,形成在所述电子传输层之上。


2.如权利要求1所述的白光量子点发光二极管器件,其特征在于,所述基板为玻璃基板。


3.如权利要求1所述的白光量子点发光二极管器件,其特征在于,所述空穴注入层的厚度为10nm；所述空穴传输层的厚度为30nm；所述电子传输层的厚度为50nm。


4.如权利要求1所述的白光量子点发光二极管器件,其特征在于,所述蓝光量子点层、绿光量子点层以及红光量子点层的厚度为30nm。


5.如权利要求1所述的白光量子点发光二极管器件,其特征在于,所述间隔层由氧化锌(ZnO)或二氧化钛(Ti...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴元均，矫士博，袁伟，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44