多晶硅功率电源半波检测方法技术

本发明专利技术提供了一种多晶硅功率电源半波检测方法，将半波检测功能集成在多晶硅功率电源控制器中，以减少硬件投入。利用半波前后还原电压有效值变化的特征，根据控制器当时的工作档位和触发角度，计算出此时系统正常时的输出电压有效值，记为理论值；将此理论值与实际采集到的电压有效值进行比较，当两者偏差大于某一设定值时，并且持续时间大于延时定值认为是半波故障。该方案成本低，检测精度高，实用性强。

Half wave detection method of polysilicon power supply

【技术实现步骤摘要】
多晶硅功率电源半波检测方法
本专利技术涉及电源半波检测领域，针对多晶硅生产过程中的功率电源控制系统，具体是一种多晶硅功率电源半波检测方法,使用电压叠层技术的电源控制器设计。
技术介绍
目前，生产多晶硅的主流工艺是改良西门子法，多晶硅还原炉功率电源控制系统是改良西门子法生产多晶硅的重要部分，控制系统的好坏直接影响多晶硅的生产效率。大多数多晶硅还原炉还原加热电气系统均采用晶闸管整流的交流调压加热电源。该加热电源系统设计简单，随着硅棒的还原生长，硅棒的电阻值逐渐减小，只须要通过改变电源中晶闸管的导通角来调节系统的输出电压以维持还原炉内温度的恒定。还原电气系统大都采用多档绿色叠层技术提高变压器利用率，减少谐波，提高功率因数。正常运行时电源系统输出的是两档叠层正负半周对称的交流电压，没有直流分量；当某一元器件损坏导致晶闸管有半周无法导通，就会形成半波电压，此时电源系统中会有直流分量存在。这些直流分量会造成变压器铁芯严重饱和，励磁电流高度畸变，产生大量谐波，影响多晶硅的继续生长。直流分量除了影响多晶硅生产外，对变压器器本身也有很大影响，严重的磁饱和使变压器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶硅功率电源半波检测方法，其特征在于：采用电压偏差法判别半波，设理论电压值为Ut，实际电压值为Ur，当还原电压的偏差率（Ut-Ur）/Ut大于设定值时，持续时间超过设定的延时定值判定为半波故障。/n

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅功率电源半波检测方法，其特征在于：采用电压偏差法判别半波，设理论电压值为Ut，实际电压值为Ur，当还原电压的偏差率（Ut-Ur）/Ut大于设定值时，持续时间超过设定的延时定值判定为半波故障。


2.根据权利要求1所述的多晶硅功率电源半波检测方法，其特征在于：所述的电压偏差法，设置半波检测电压门槛，当理论电压大于此门槛时投入半波检测功能。


3.根据权利要求1所述的多晶硅功率电源半波检测方法，其特征在于：所述的电压偏差率定值设置为0.04~1.0，延时时间设置为0....

【专利技术属性】
技术研发人员：张杭，高建虎，张燕，丁洁，
申请(专利权)人：南京因泰莱电器股份有限公司，南京因泰莱软件技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32