【技术实现步骤摘要】
一种双面减粘膜及其制备方法
本专利技术涉及保护膜
,特别是涉及一种双面减粘膜及其制备方法。
技术介绍
在大规模集成电路的制造和半导体器件的制造加工过程中,必不可少的基础材料是半导体芯片,半导体芯片是以单晶硅片加工而成的。单晶硅片简称晶圆。在对晶圆材料进行切割、磨削加工时,需要用一种特殊的压敏胶带进行粘结固定起到保护和支撑的作用。加工完毕后,需要把加工好的晶圆切片从固定胶上能轻易的完全剥离下来,且不能影响晶圆材料本身。使用时具有高粘结强度而通过处理照后又可以迅速彻底的失去粘性的特殊胶带称为减粘胶带。现有技术中的减粘胶带在剥离过程中还存在一定的残胶现象,不利于后续加工工艺的进行。
技术实现思路
为了克服传统的双面胶带易出现残胶现象的问题,本专利技术实施方式主要解决的技术问题是提供一种双面减粘膜,通过加热和紫外光照射的方式即可轻易剥离,无残胶,且不会对粘附体造成损伤。为解决上述技术问题,本专利技术实施方式采用的一个技术方案是:提供一种双面减粘膜,所述双面减粘膜依次包括:第一离型膜层、紫外减 ...
【技术保护点】
1.一种双面减粘膜,其特征在于,所述双面减粘膜依次包括:第一离型膜层、紫外减粘丙烯酸胶黏剂层、柔性基材层、热减粘胶黏层和第二离型膜层,所述热减粘胶黏剂中各组分按重量份计为:/n
【技术特征摘要】
1.一种双面减粘膜,其特征在于,所述双面减粘膜依次包括:第一离型膜层、紫外减粘丙烯酸胶黏剂层、柔性基材层、热减粘胶黏层和第二离型膜层,所述热减粘胶黏剂中各组分按重量份计为:
2.根据权利要求1所述的双面减粘膜,其特征在于,所述紫外减粘丙烯酸胶黏剂中各组分按重量份计为:
3.根据权利要求1或2所述的双面减粘膜,其特征在于,所述树脂为丙烯酸树脂、醇酸树脂、合成脂肪酸树脂、酚醛树脂、聚氯乙烯树脂中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的双面减粘膜,其特征在于,所述柔性基材层的厚度为50-100μm;
所述第一离型膜层和所述第二离型膜层的厚度为50-75μm;
所述紫外失粘丙烯酸胶黏剂层和所述高温失粘胶黏剂层的厚度为10-20μm。
5.根据权利要求3所述的双面减粘膜,其特征在于,所述有机溶剂为乙酸乙酯、乙酸正丁酯、甲苯、乙二胺、乙醇、苯乙烯、全氯乙烯、三氯乙烯、乙烯乙二醇醚和三乙醇胺中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的双面减粘膜,其特征在于,所述热致失粘微球为聚胺脂、聚酯、聚丙烯氰中的一种。
7.根据权利要求6所述的双面减粘膜,其特征在于,所述固化剂为TDI、IPDI、MDI封闭型异氰酸酯固化剂、HDI和IPDI异氰脲酸酯固化剂中的至少一种。
8.一种双面减粘膜的制备方法,用于制备权利要求1-7任意一项所述的双面减粘膜,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:
S201:对所述柔性基材的表面进行电晕处理,使所述柔性基材的表面张力增大,所述电晕处理的功率为1.0-5.0...
【专利技术属性】
技术研发人员:高山,席忠飞,黄韬,齐东东,
申请(专利权)人:深圳市摩码科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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