一种提高甘薯脱毒组培苗移栽成活率的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高甘薯脱毒组培苗移栽成活率的方法，包括配制培育壮苗培养基配方、水培炼苗与适时移栽、设置移栽环境、适时移栽和移栽后管理。本发明专利技术在组培苗阶段，培养基中添加了多效唑使苗生产更健壮；在炼苗阶段采用水培方式，使其环境处于组培与室外生长的中间过渡环境；在移栽后，控制适宜的环境湿度和温度；这样可以培育组培苗壮苗，促进组培苗长根，提高组培苗移栽成活率。

A method to improve the survival rate of transplanting virus-free tissue culture seedlings of sweet potato

【技术实现步骤摘要】
一种提高甘薯脱毒组培苗移栽成活率的方法
本专利技术属于作物栽培与生物
，尤其涉及一种提高甘薯脱毒组培苗移栽成活率的方法。
技术介绍
甘薯是我国重要的粮食、饲料、工业原料作物。栽培面积和总产均占世界第一位。然而，甘薯的生产面临着各种病毒病的威胁，特别是近年来可能导致绝收的甘薯病毒病（SPVD）已经传入我国，并有逐渐扩散的可能。生产上预防病毒病最好的办法是推广应用脱毒苗。但目前，生产上应用的脱毒苗只占很小的比例。因此，需要大力推广应用脱毒苗，以保障甘薯产业的安全。目前，组培脱毒苗移栽前，一般并没有特别培育壮苗，移栽前的炼苗，一般采用打开组培的瓶盖炼苗几天后，洗掉培养基，组培苗带根移栽到基质中。在培养基中的根，一般没有根毛，很难适应基质土壤的新环境中，从而影响组培苗移栽的成活率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种提高脱毒组培苗移栽成活率的方法，以提高甘薯脱毒苗繁殖速度，为生产上提供健康康良种种苗，保障生产安全。一种提高甘薯脱毒组培苗移栽成活率的方法，包括如下步骤：（1）配制甘薯脱毒苗壮苗培养基配方并组培；（2）水培炼苗，适时移栽；（3）设置移栽环境，保持较高的环境湿度和疏松的土壤；（4）移栽；（5）移栽后管理。上述步骤具体包括以下步骤：1）配制甘薯脱毒苗壮苗培养基配方，MS+0.6mg/L多效唑+0.15mg/L6-苄氨基腺嘌呤+0.15mg/L萘乙酸，pH5.8，经高压灭菌后备用；2）选择生长正常的脱毒组培苗，剪取带2片叶茎段，插入于组培瓶的培养基中；组培苗在光照1600Lx，光照/黑暗时间为16/8小时，温度为26℃的环境中进行壮苗培养。3）制作炼苗水培装置：选用长度60cm，宽度20cm，高度20cm的水培槽，槽中保持10cm深度的纯水，准备厚度为0.5cm的泡沫板，长度与宽度略小于水培槽中部切面，在泡沫板中间钻两排定植孔，两排间距为10cm，孔间距为5cm。水培槽上方覆盖透明保鲜膜。4）水培炼苗：选取在组培瓶中生长大约30天、带有6-8片叶、植株高度约为10cm的甘薯组培苗，剪掉根系，将组培苗插入泡沫板中，使组培苗下端露出2cm茎段，浸于水培槽的纯水中。在炼苗期间，保持水培槽水面高度10cm，环境温度25-28℃，炼苗时间为10天。5）设置甘薯组培苗移栽环境：在大田，利用钢管或竹片建立塑料棚，棚上可以覆盖塑料膜和遮阳网，使棚内湿度保持90%-95%，温度保持在25-30℃之间；6）配置疏松土壤：采用河沙与菜园土1:1配制疏松土壤。7）移栽组培苗，将甘薯组培苗基部两片叶片向下弯，与组培苗根系一起埋入土壤中，稍压实，组培苗种植深度为3cm，移栽后立即浇定根水。8）组培苗移栽后，需要在棚上覆盖遮阳网，防止强光照射；移栽后连续7天需要喷水，保持湿度，促进组培苗长根成活。本专利技术的显著优点：1、经过壮苗培养后，组培苗比对照具有更强的抗逆性。2、水培炼苗设置简单，操作容易。3、经过炼苗处理，甘薯脱毒组培苗移栽成活率可达100%。具体实施方式实施例1（1）配制甘薯脱毒苗壮苗配方，MS+0.6mg/L多效唑+0.15mg/L6-苄氨基腺嘌呤+0.15mg/L萘乙酸，pH5.8，经121℃高压灭菌15分钟后备用；（2）选择生长正常的甘薯“金薯17”脱毒组培苗，剪取带2片叶茎段，插入于上述经过灭菌的组培瓶培养基中；组培苗在光照1600Lx，光照黑暗时间为16/8小时，温度为26℃的环境中进行壮苗培养。（3）选用长度60cm，宽度20cm，高度20cm的水培槽，槽中保持10cm深度的纯水，准备厚度为0.5cm的泡沫板，长度与宽度略小于水培槽中部切面，在泡沫板中间钻两排定植孔，两排间距为10cm，孔间距为5cm。水培槽上方覆盖透明保鲜膜。（4）选取在组培瓶中生长大约30天、带有6-8片叶、植株高度约为10cm的组培苗壮苗，剪掉根系，将植株插入于钻有小孔的泡沫板中，使苗下端露出2cm茎段，浸于水培槽的纯水中。在炼苗期间，保持水面高度10cm，环境温度25-28℃，炼苗时间为10天。（5）在钢管塑料大棚，棚上覆盖塑料膜，使棚内湿度保持90%-95%，温度控制在25-30℃之间。（6）采用河沙与菜园土1:1配制疏松土壤。（7）移栽经过炼苗的组培苗，将基部两片叶片向下弯，与组培苗根系一起埋入土壤中，稍压实，培苗种植深度为3cm，移栽后立即浇定根水。（8）组培苗移栽后，在棚上覆盖遮阳网，移栽后连续7天需要喷水。采用本专利技术一种脱毒组培苗提高移栽成活率的方法，通过“金薯17”脱毒组培苗进行壮苗培养、水培炼苗后移栽，移栽成活率达到了100%。而使用传统方法，“金薯17”脱毒组培苗移栽成活率为75%。以上实例及其结果说明本方法的可靠性和有效性。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例，凡依本专利技术申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本专利技术的涵盖范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高甘薯脱毒组培苗移栽成活率的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n（1）配制甘薯脱毒组培苗壮苗培养基配方并组培；/n（2）水培炼苗；/n（3）设置移栽环境，保持较高的环境湿度和疏松的土壤；/n（4）移栽；/n（5）移栽后管理。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高甘薯脱毒组培苗移栽成活率的方法，其特征在于，包括如下步骤：
（1）配制甘薯脱毒组培苗壮苗培养基配方并组培；
（2）水培炼苗；
（3）设置移栽环境，保持较高的环境湿度和疏松的土壤；
（4）移栽；
（5）移栽后管理。


2.根据权利要求1所述的提高甘薯脱毒组培苗移栽成活率的方法，其特征在于，所述步骤(1)具体包括如下步骤：
1)配制甘薯脱毒组培苗壮苗培养基配方:：MS+0.6mg/L多效唑+0.15mg/L6-苄氨基腺嘌呤+0.15mg/L萘乙酸，pH5.8；
2）培养甘薯组培苗：选择生长正常的脱毒组培苗，剪取带2片叶茎段，插入于组培瓶的培养基中；然后在光照1600Lx，光照/黑暗时间为16/8小时，温度为26℃的环境中培养。


3.根据权利要求1所述的提高甘薯脱毒组培苗移栽成活率的方法，其特征在于，所述步骤(2)具体包括如下步骤：
1）制作炼苗水培装置：选用长度60cm，宽度20cm，高度20cm的水培槽，槽中保持10cm深度的纯水，准备厚度为0.5cm的泡沫板，长度与宽度略小于水培槽中部切面，在泡沫板中间钻两排定植孔，两排间距为10cm，孔间距为5cm；并在水培槽上方覆盖透明保鲜膜；
2）水培组培苗：选取所述步骤（1）在组培瓶中生长...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈选阳，陈杏婷，陈国太，尼加提·努尔拉，黄小芳，毕楚韵，杨志坚，林世强，
申请(专利权)人：福建农林大学，
类型：发明
国别省市：福建;35