引线框架、引线框架的制造方法和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供引线框架、引线框架的制造方法和半导体装置的制造方法，能够容易地将残留在模具浇道中的模制树脂从引线框架剥离。所述引线框架具有安装半导体芯片的正面和与正面相反侧的背面，在所述引线框架上并列设有多个包括芯片垫和多个引线的单位引线框架，背面包括设有单位引线框架的第一部位和作为第一部位以外的部位的第二部位。此外，第一部位具有比正面小的表面粗糙度，此外，第二部位具有比第一部位小的表面粗糙度。

Manufacturing method of lead frame, lead frame and semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】引线框架、引线框架的制造方法和半导体装置的制造方法
本专利技术涉及引线框架、引线框架的制造方法和半导体装置的制造方法。
技术介绍
以往，通过使引线框架的表面粗糙化来提高引线框架和模制树脂(moldresin)之间的结合强度的技术已被公众所知(例如参照专利文献1)。现有技术文献专利文献1：日本专利公开公报特开平3-295262号可是，当模具成型时，在作为树脂流道的模具浇道中会残留模制树脂。在将引线框架的表面整体粗糙化的情况下，在模具成型后，难以将残留在所述模具浇道中的模制树脂从引线框架剥离。
技术实现思路
鉴于所述的问题，本专利技术的目的是提供能够容易地将残留在模具浇道中的模制树脂从引线框架剥离的引线框架、所述引线框架的制造方法和半导体装置的制造方法。本专利技术的一个方式的引线框架，其具有安装半导体芯片的正面和与所述正面相反侧的背面，在所述引线框架上并列设有多个单位引线框架，所述单位引线框架包括芯片垫和多个引线，所述背面包括：第一部位，设有所述单位引线框架；以及第二部位，是所述第一部位以外的部位，所述第一部位具有比所述正面小的表面粗糙度，所述第二部位具有比所述第一部位小的表面粗糙度。按照本专利技术的一个方式，能够容易地从引线框架剥离残留在模具浇道中的模制树脂。附图说明图1A是实施方式的引线框架的正面的俯视图。图1B是实施方式的引线框架的背面的俯视图。图2A是用于说明实施方式的粗糙化处理装置的图。图2B是实施方式的粗糙化处理后的引线框架的放大断面图。图3A是用于说明实施方式的成型工序的放大断面图。图3B是用于说明实施方式的成型工序的俯视图。图4是实施方式的半导体装置的断面图。图5A是用于说明实施方式的变形例的粗糙化处理装置的概要的图。图5B是实施方式的变形例的粗糙化处理后的引线框架的放大断面图。图中：1－引线框架，2－正面，3－背面，3a－第一部位，3b－第二部位，4－狭缝，5－导孔，6－氧化膜，7－镀膜，10－单位引线框架，11－芯片垫，12－引线，13－芯片垫支承部，20－通孔，30－粗糙化处理装置，31－处理槽，32－阳极，33－阴极，34、35－直流电源，36－电解液，41－上部模具，42－下部模具，43－模具浇道，100－半导体装置，101－半导体芯片，102－模制树脂。具体实施方式以下，参照附图，说明本专利技术公开的引线框架、引线框架的制造方法和半导体装置的制造方法。另外，本专利技术不限于以下所示的实施方式。<引线框架的概要>首先，参照图1A和图1B，说明实施方式的引线框架1的概要。图1A是实施方式的引线框架1的正面2的俯视图。图1B是实施方式的引线框架1的背面3的俯视图。图1A和图1B所示的引线框架1是用于小型无引线封装(SON：SmallOutlineNon-leadedpackage)类型的半导体装置的制造的引线框架。另外，在实施方式中，说明了用于SON类型的半导体装置的制造的引线框架。但是，本实施方式也可以应用于用于例如方形扁平无引线封装(QFN：QuadFlatNon-leadedpackage)、小型封装(SOP：SmallOutlinePackage)或者方形扁平封装(QFP：QuadFlatPackage)等其它类型的半导体装置的制造的引线框架。按照实施方式的引线框架1，在包含铜、铜合金或者铁镍合金等的金属板上，实施蚀刻加工或冲压加工等。通过这样做，形成规定的图案。引线框架1具有图1A所示的正面2和图1B所示的背面3。此外，引线框架1在俯视的情况下为矩形形状。在引线框架1上并列形成有多个单位引线框架10。单位引线框架10是与使用引线框架1制造的半导体装置100(参照图4)一一对应的部位。如图1A所示，单位引线框架10包括芯片垫11、多个引线12和芯片垫支承部13。芯片垫11设在单位引线框架10的中央部分。在所述芯片垫11的正面2一侧，能安装半导体芯片101(参照图3A)。多个引线12并列配置在芯片垫11的周围。引线12的各个前端部从单位引线框架10的外缘部朝向芯片垫11延伸。所述引线12通过键合线(bondingwire)等与配置在芯片垫11上的半导体芯片101的电极电连接。由此，引线12作为半导体装置100的外部端子发挥功能。芯片垫支承部13将芯片垫11与单位引线框架10的外缘部连接。通过这样做，芯片垫11由单位引线框架10支承。芯片垫支承部13例如分别设置在芯片垫11的两侧。另外，在单位引线框架10上形成有用于划分芯片垫11、多个引线12、芯片垫支承部13的通孔14。在引线框架1上还形成有狭缝4、导孔5和通孔20等。狭缝4形成为划分包含多个(图中为6个)单位引线框架10的一组与相邻的一组之间。所述狭缝4形成为用于抑制相邻的一组彼此间的热干扰。导孔5并列形成在引线框架1的两侧。导孔5用于各种处理中的引线框架1的定位。此外，通孔20形成在引线框架1的规定的位置。所述通孔20的具体内容将在后面叙述。此外，如图1B所示，引线框架1在背面3具有第一部位3a和第二部位3b。第一部位3a是背面3中的配置有所述的单位引线框架10的部位。第二部位3b是背面3中的第一部位3a以外的部位。在此，在实施方式中，背面3的第二部位3b的表面粗糙度R1小于背面3的第一部位3a的表面粗糙度R2。此外，背面3的第一部位3a的表面粗糙度R2小于正面2的表面粗糙度R3。另外，所述表面粗糙度为算术平均粗糙度Ra，以下的记述也相同。由此，在将模具浇道43(参照图3A)配置于背面3的第二部位3b的情况下，由于背面3的第二部位3b的表面粗糙度R1小，所以能够抑制所谓的锚固效应。因此，按照实施方式，能够容易地将残留在模具浇道43中的模制树脂102(参照图4)从引线框架1剥离。此外，在实施方式中，背面3的第一部位3a的表面粗糙度R2大于第二部位3b的表面粗糙度R1。正面2的表面粗糙度R3进一步大于第一部位3a的表面粗糙度R2。由此，如图4所示，在模具成型的半导体装置100中，能够提高模制树脂102的锚固效应。因此，能够提高模制树脂102与引线框架1的结合强度。因此，能够提高半导体装置100的可靠性。<粗糙化处理的概要>接着，参照图2A和图2B，说明实施方式的粗糙化处理的概要。图2A是用于说明实施方式的粗糙化处理装置30的图。粗糙化处理装置30例如包括处理槽31、阳极32、阴极33及直流电源34、直流电源35。阳极32和阴极33都是平板状。此外，处理槽31的内部填充有规定的电解液36。并且，阳极32和阴极33以浸渍在所述电解液36中的方式相对地配置。此外，进行粗糙化处理的引线框架1浸渍在电解液36中，以与阳极32和阴极33之间分开大致均等间隔地夹在阳极32和阴极33之间的方式设置。在此，引线框架1的正面2与阴极33相对，此外，背面3与阳极32相对。...

【技术保护点】
1.一种引线框架，其特征在于，/n所述引线框架具有安装半导体芯片的正面和与所述正面相反侧的背面，/n在所述引线框架上并列设有多个单位引线框架，所述单位引线框架包括芯片垫和多个引线，/n所述背面包括：第一部位，设有所述单位引线框架；以及第二部位，是所述第一部位以外的部位，/n所述第一部位具有比所述正面小的表面粗糙度，/n所述第二部位具有比所述第一部位小的表面粗糙度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170602 JP 2017-1102001.一种引线框架，其特征在于，
所述引线框架具有安装半导体芯片的正面和与所述正面相反侧的背面，
在所述引线框架上并列设有多个单位引线框架，所述单位引线框架包括芯片垫和多个引线，
所述背面包括：第一部位，设有所述单位引线框架；以及第二部位，是所述第一部位以外的部位，
所述第一部位具有比所述正面小的表面粗糙度，
所述第二部位具有比所述第一部位小的表面粗糙度。


2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于，在设有所述单位引线框架的部位以外的部位形成有通孔，在将模制树脂往上顶并剥离时使用所述通孔。


3.一种引线框架的制造方法，其特征在于，
对引线...

【专利技术属性】
技术研发人员：石桥贵弘，
申请(专利权)人：株式会社三井高科技，
类型：发明
国别省市：日本;JP