多层电容器和包括其的电路板制造技术

本发明专利技术涉及多层电容器和包含该多层电容器的电路板。该电容器包括主体，其包含第一组交替的介电层和内部电极层以及第二组交替的介电层和内部电极层。每组包含第一内部电极层和第二内部电极层，其中，每个层包括限定该层的主体的顶边缘、与该顶边缘相反的底边缘以及两个侧边缘。每层包含从该层的主体的顶边缘延伸的至少一个引线凸片和从该层的主体的底边缘延伸的至少一个引线凸片，其中，引线凸片从该层的主体的侧边缘偏移。另外，外部端子电连接到内部电极层，其中，外部端子形成在电容器的顶表面和与电容器的顶表面相反的电容器的底表面上。

Multilayer capacitors and circuit boards including them

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多层电容器和包括其的电路板相关申请的交叉引用本申请要求申请日为2017年5月15日的美国临时专利申请No.62/506,130的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术介绍
多层电容器大体构造成具有堆叠布置的多个介电层和内部电极层。在制造过程中，堆叠的介电层和内部电极层被压制和烧结以获得基本整体的电容器主体。为了改善这些电容器的性能，已经对介电层和内部电极层采用了各种构造和设计。但是，由于在需要新的性能标准的电子工业中发生快速变化，通常会操纵这些配置。特别地，各种应用设计考虑已经产生了重新确定电容器的参数和其在高速环境中的性能的需要，特别就更快速和更致密的集成电路而言。例如，更大的电流、更密集的板和不断增加的成本都集中聚焦在对于更好、更高效电容器的需求上。另外，各种电子部件的设计已受到朝着小型化以及功能增强的一般工业趋势的推动。就此而言，需要提供一种具有改善的工作特性的电容器。另外，一些应用也将受益于提供在电路板上具有较小占位面积的电容器。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，公开了一种多层电容器。该电容器包括主体，其包含第一组交替的介电层和内部电极层以及第二组交替的介电层和内部电极层。每组交替的介电层和内部电极层均包含第一内部电极层和第二内部电极层。每个内部电极层包括顶边缘、与顶边缘相反的底边缘以及在顶边缘和底边缘之间延伸的两个侧边缘，顶边缘、底边缘和两个侧边缘限定内部电极层的主体。每个内部电极层包含从内部电极层的主体的顶边缘延伸的至少一个引线凸片和从内部电极层的主体的底边缘延伸的至少一个引线凸片。从内部电极层的主体的顶边缘延伸的引线凸片从内部电极层的主体的侧边缘偏移。从内部电极层的主体的底边缘延伸的引线凸片从内部电极层的主体的侧边缘偏移。电容器包括电连接到内部电极层的外部端子，其中外部端子形成在电容器的顶表面和与电容器的顶表面相对的电容器的底表面上。本专利技术的其他特征和方面在下面更详细地阐述。附图说明在包括参考附图的本说明书的其余部分中，更具体地阐述了本专利技术的完整而可行的公开，包括本领域技术人员的最佳模式，其中：图1A示出了根据本专利技术的2乘2封装电容器的一个实施例的大体顶部和侧面的外部透视图；图1B示出了图1A的电容器的内部电极层的顶部外部透视图；图1C示出了图1A和1B的电容器的内部电极层的三维顶部和侧面外部透视图。图1D示出了图1A的电容器的顶部和侧面透视图，该电容器包括成组的交替介电层和图1B和1C的内部电极层；图2A示出了根据本专利技术的2乘4封装电容器的一个实施例的大体顶部和侧面的外部透视图；图2B示出了图2A的电容器的内部电极层的顶部外部透视图；图2C示出了图2A和2B的电容器的内部电极层的三维顶部和侧面外部透视图；图2D示出了图2A的电容器的顶部和侧面透视图，该电容器包括成组的交替介电层和图2B和2C的内部电极层；图3A示出了根据本专利技术的4乘4封装电容器的一个实施例的大体顶部和侧面的外部透视图；图3B示出了图3A的电容器的顶部和侧面透视图，该电容器包括成组的交替介电层和图2B和2C的内部电极层；图4示出了包含本专利技术的封装电容器的印刷电路板和集成电路封装的侧视图；和图5示出了包含多个现有技术的多层陶瓷电容器的印刷电路板和集成电路封装的侧视图。具体实施方式本领域普通技术人员应理解，本讨论仅是对示例性实施例的描述，而无意于限制本专利技术的较宽方面。大体而言，本专利技术涉及多层电容器。多层电容器在主体内包含多个电容元件。即，多层电容器在单个整体封装内包含多个电容元件。在这方面，多层电容器包含第一组交替的介电层和内部电极层以及第二组交替的介电层和内部电极层。每组交替的介电层和内部电极层限定电容元件。在单个整体封装(即，单个主体)内的电容元件的特定布置可以提供多个优点。例如，如图4所示并在下面进一步讨论，本专利技术的电容器可以作为表面安装电容器安装在电路板上，并且可以提供在电路板上的较小的占位面积。这进而可以允许减小电路板的尺寸。另外，在一些应用中，希望保持尽可能低的电感(即，寄生电感)。采用本专利技术的电容器可以大大降低电感。特别地，最小化接地连接的距离或路径可以帮助减小电感。通常，与采用多个单独的多层陶瓷电容器(如图5所示)相比，采用本专利技术的电容器(如图4所示)能够使电感至少减小一个数量级。例如，与现有技术的表现出更大幅度的电感的电容器相比，采用本专利技术的电容器可以导致皮亨或甚至飞亨(femtohenry)量级的电感。通常，电感可以小于1纳亨。特别地，电感可以是小于或等于900皮亨，例如小于或等于750皮亨，例如小于或等于500皮亨，例如小于或等于400皮亨，例如小于或等于250皮亨，例如小于或等于100皮亨，例如小于或等于50皮亨，例如等于20皮亨，例如小于或等于25皮亨，例如小于或等于15皮亨，例如小于或等于10皮亨。电感可以是大于或等于1飞亨，例如大于或等于25飞亨，例如大于或等于50飞亨，例如大于或等于100飞亨，例如大于或等于250飞亨，例如大于或等于500飞亨，例如大于或等于750飞亨。最小化这种电感可以有助于良好的性能，尤其是良好的去耦性能，尤其是在高速瞬态条件下。另外，电容器可以提供期望的电容。特别地，电容可以是1,000μF或更小，例如750μF或更小，例如500μF或更小，例如250μF或更小，例如100μF或更小，例如50μF或更小，例如25μF或更小，例如10μF或更小，例如5μF或更小，例如2.5μF或更小，例如1μF或更小，例如0.75μF或更小，例如0.5μF或更小。电容可以是1pF或更大，例如10pF或更大，例如25pF或更大，例如50pF或更大，例如100pF或更大，例如250pF或更大，例如500pF或更大，例如750pF或更大。可以使用本领域中已知的一般技术来测量电容。此外，电容器可以提供期望的电阻。特别地，电阻可以是100mOhm或更小，例如75mOhm或更小，例如50mOhm或更小，例如40mOhm或更小，例如30mOhm或更小，例如25mOhm或更小，例如20mOhm或更小，例如15mOhm或更小，例如10mOhm或更小，例如5mOhm或更小。电阻可以是0.01mOhm或更大，例如0.1mOhm或更大，例如0.25mOhm或更大，例如0.5mOhm或更大，例如1mOhm或更大，例如1.5mOhm或更大，例如2mOhm或更大，例如5毫欧或更大，例如10毫欧或更大。可以使用本领域已知的一般技术来测量电阻。转到图4，电容器408可以被安装(例如，表面安装)到电路板406上，该电路板406包含具有上表面和下表面的基板(例如，绝缘层)。电路板406具有在其中限定的多个电流路径(未示出)。电容器408的外部端子分别与电路板406的预定电流路径电连通。另外，电容器408的外部端子可以使用本领域中通常已知的任何方法，例如一般的焊接技术，物理地连接到电路板406。如图4所示，集成电路封装402也可以设置在电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层电容器，包括：/n主体，其包含第一组交替的介电层和内部电极层以及第二组交替的介电层和内部电极层，/n每组交替的介电层和内部电极层均包含第一内部电极层和第二内部电极层，/n每个内部电极层包括顶边缘、与顶边缘相反的底边缘以及在顶边缘和底边缘之间延伸的两个侧边缘，顶边缘、底边缘和两个侧边缘限定内部电极层的主体，/n每个内部电极层包含从内部电极层的主体的顶边缘延伸的至少一个引线凸片和从内部电极层的主体的底边缘延伸的至少一个引线凸片，/n其中，从内部电极层的主体的顶边缘延伸的引线凸片从内部电极层的主体的侧边缘偏移，/n其中，从内部电极层的主体的底边缘延伸的引线凸片从内部电极层的主体的侧边缘偏移，/n电连接到内部电极层的外部端子，其中，外部端子形成在电容器的顶表面和与电容器的顶表面相反的电容器的底表面上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170515 US 62/506,1301.一种多层电容器，包括：
主体，其包含第一组交替的介电层和内部电极层以及第二组交替的介电层和内部电极层，
每组交替的介电层和内部电极层均包含第一内部电极层和第二内部电极层，
每个内部电极层包括顶边缘、与顶边缘相反的底边缘以及在顶边缘和底边缘之间延伸的两个侧边缘，顶边缘、底边缘和两个侧边缘限定内部电极层的主体，
每个内部电极层包含从内部电极层的主体的顶边缘延伸的至少一个引线凸片和从内部电极层的主体的底边缘延伸的至少一个引线凸片，
其中，从内部电极层的主体的顶边缘延伸的引线凸片从内部电极层的主体的侧边缘偏移，
其中，从内部电极层的主体的底边缘延伸的引线凸片从内部电极层的主体的侧边缘偏移，
电连接到内部电极层的外部端子，其中，外部端子形成在电容器的顶表面和与电容器的顶表面相反的电容器的底表面上。


2.根据权利要求1所述的电容器，其中，所述第一内部电极层和所述第二内部电极层以相对的关系交错，并且介电层定位于所述第一内部电极层和所述第二内部电极层之间。


3.根据权利要求1所述的电容器，其中，每个内部电极层包括从所述顶边缘、所述底边缘或者所述顶边缘和所述底边缘两者延伸的至少两个引线凸片，所述两个引线凸片包括第一引线凸片和第二引线凸片。


4.根据权利要求1所述的电容器，其中，在顶边缘上的引线凸片的至少一个侧向边缘基本上与在底边缘上的引线凸片的至少一个侧向边缘对齐。


5.根据权利要求1所述的电容器，其中，在顶边缘上的引线凸片的两个侧向边缘均基本上与在底边缘上的引线凸片的两个侧向边缘对齐。


6.根据权利要求3所述的电容器，其中，在顶边缘上的第一引线凸片的至少一个侧向边缘和...

【专利技术属性】
技术研发人员：J凯恩，
申请(专利权)人：阿维科斯公司，
类型：发明
国别省市：美国;US