一种用于控制VCSEL阵列产生均匀的平顶远场的方法技术

技术编号:22945794 阅读:23 留言:0更新日期:2019-12-27 17:24
本发明专利技术提供了一种用于控制VCSEL阵列产生均匀的平顶远场的方法,通过执行该方法,能够使得相对于传统的VCSEL阵列,在不需要设置漫射器等光学元件的条件下即可很容易地实现均匀的平顶远场,从而在良好满足TOF测量,以及实现一个VCSEL芯片可控的出现多种远场形状,以使用于不同的应用场景等需要的同时,显著降低了阵列及相应的模组成本,并具有了现有技术中所不具备的诸多有益效果。

A method for controlling VCSEL array to produce uniform flat top far field

【技术实现步骤摘要】
一种用于控制VCSEL阵列产生均匀的平顶远场的方法
本专利技术涉及垂直腔面发射激光器(VCSEL)
,尤其涉及一种控制无透镜VCSEL单元产生均匀的平顶远场的方法。
技术介绍
目前,在众多智能设备比如智能手机中,对平顶红外照明(IR)投影模组具有巨大的市场需求,该模组在TOF测量、安全摄像设备等具体应用中发挥着至关重要的作用,垂直腔面发射激光器(VCSEL)则是平顶红外照明投影模组中最为核心的器件。现有的平顶红外照明投影模组在结构上通常包括VCSEL阵列与诸如漫射器(diffuser)等光学器件的组合。典型的VCSEL阵列的发射孔径通常为矩形或圆形,通过现有的一些控制方法得到的空间光分布(远场)通常为高斯形或者是环形的,这种远场是非均匀的,无法满足TOF测量等的需要,因此需要通过漫射器将这些形状改变为矩形或圆形的平顶强度分布(flat-topfarfield),即均匀的光强分布。上述现有的模组结构,由于漫射器等光学器件的设置,一方面对各组成部件之间装配的精密性具有及其严苛的要求,提高了结构和生产过程的复杂程度,同时为了支持这种光学本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于控制VCSEL阵列产生均匀的平顶远场的方法,其特征在于:/n对包括多个VCSEL单元的VCSEL阵列上不同区域的VCSEL单元,施加不同电流使得各区域的光场相互叠加,从而产生均匀的平顶远场并实现VCSEL阵列的光场在时域上发生的变化。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于控制VCSEL阵列产生均匀的平顶远场的方法,其特征在于:
对包括多个VCSEL单元的VCSEL阵列上不同区域的VCSEL单元,施加不同电流使得各区域的光场相互叠加,从而产生均匀的平顶远场并实现VCSEL阵列的光场在时域上发生的变化。


2.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述施加不同电流包括施加不同的电流密度,或者不同频率和/或占空比和/或相位的脉冲电流。


3.如权利要求1所述的方法,其特征在于:所述VCSEL单元的发光孔具有相同的形状和/或尺寸。

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【专利技术属性】
技术研发人员:张成梁栋霍轶杰
申请(专利权)人:常州纵慧芯光半导体科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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