半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包括蒸气室盖体，蒸气室盖体用于使用高性能处理器(例如，图形处理单元)的高功率应用，例如衬底上晶片上芯片应用。蒸气室盖体提供热解决方案，从而增强具有多个芯片的封装的热性能。蒸气室盖体会改善高性能芯片中(例如三维集成电路封装级)的散热。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
本专利技术的实施例是有关于一种半导体装置及其制造方法。
技术介绍
三维集成电路的典型的问题是操作期间散热。由于在过高温度下操作而长时间暴露管芯可能会降低管芯的可靠性及工作寿命。如果管芯是产生大量热量的计算管芯(例如，中央处理单元(centralprocessingunit，CPU))，则这个问题可能变得严重。因此，需要热转移方面的改善。
技术实现思路
一种制造半导体装置方法包括：在衬底上布置多管芯堆叠半导体装置；以及在多管芯堆叠半导体装置之上放置蒸气室盖体，其中蒸气室盖体的第一表面的热输入区域热耦合到多管芯堆叠半导体装置的表面。一种制造半导体装置方法包括：将三维集成电路模块结合到衬底；以及在三维集成电路模块之上布置蒸气室热散布器，其中蒸气室热散布器的第一表面的热引入区域热耦合到三维集成电路模块的表面。一种半导体装置包括衬底、三维多管芯堆叠封装以及蒸气室顶盖。三维多管芯堆叠封装电耦合到衬底。蒸气室顶盖包括位于蒸气室顶盖的第一侧上的热吸收区域及位于蒸气室顶盖的与第一侧相对的第二侧上的热驱除本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：/n在衬底上布置多管芯的所述半导体装置；以及/n在所述半导体装置上放置蒸气室盖体，其中所述蒸气室盖体的第一表面的热输入区域热耦合到所述多管芯的所述半导体装置的表面。/n

【技术特征摘要】
20180619 US 62/687,112;20190301 US 16/290,5571.一种制造半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾诗章，林宗澍，陈琮瑜，洪文兴，李虹錤，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;TW