荧光检测传感器制造技术

技术编号:22913122 阅读:71 留言:0更新日期:2019-12-24 21:40
荧光检测传感器包括:用激发光照射检查目标的激发光源;具有通过光电二极管检测光的光子检测部的半导体集成电路;以及控制单元,其使得保持在光电二极管上的检查目标为用激发光照射,并且在激发光被淬灭之后,通过光子检测部检测从检查目标发射的荧光。在光子检测部上方提供由作为半导体集成电路的组件之一的金属布线层形成的滤波器。

【技术实现步骤摘要】
荧光检测传感器
技术介绍
1.领域本申请涉及检测荧光反应的荧光检测传感器,以及使用该荧光检测传感器的荧光检测系统。2.相关技术的描述作为在生物学和医学等的研究和临床检查中使用的检测技术之一,存在使用荧光的检测技术。荧光是当吸收激发光(例如,紫外光或可见光)并从基态进入激发态后,已经进入中间激发态的分子或离子返回基态时发出的光,并且是具有比激发光更长波长的光。在广泛使用的荧光检测技术中,存在一种在用激发光照射检查目标的同时检测从检查目标发射的荧光的技术。更具体地,利用激发光的波长和荧光的波长之间的差异,通过由滤波器分离从检查目标发射的荧光和由目标物体反射的激发光来检测荧光。例如,如图10所示,日本未审查的专利申请公开号2017-156310中公开的荧光测量设备101被配置为包括激发光输出部102、偏振光分离部103、光纤104、和光谱部105。在该荧光测量装置101中,其被配置成使得从激发光输出部102输出的激发光和由检查目标反射的具有偏振特性的激发光被偏振光分离部103衰减,且测量物体106发出的被激发光激发的荧光选择性地入射本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种荧光检测传感器,其特征在于,包括:/n用激发光照射检查目标的激发光源;/n具有通过光电二极管检测光的光子检测部的半导体集成电路;以及/n控制单元,其使得保持在所述光电二极管上的所述检查目标被所述激发光照射,并且在所述激发光被淬灭之后通过所述光子检测部检测从所述检查目标发射的荧光,/n其中由作为所述半导体集成电路的组件之一的金属布线层形成的滤波器,其形成所述光子检测部上方。/n

【技术特征摘要】
20180615 US 62/6854951.一种荧光检测传感器,其特征在于,包括:
用激发光照射检查目标的激发光源;
具有通过光电二极管检测光的光子检测部的半导体集成电路;以及
控制单元,其使得保持在所述光电二极管上的所述检查目标被所述激发光照射,并且在所述激发光被淬灭之后通过所述光子检测部检测从所述检查目标发射的荧光,
其中由作为所述半导体集成电路的组件之一的金属布线层形成的滤波器,其形成所述光子检测部上方。


2.如权利要求1所述的荧光检测传感器,其特征在于:
所述滤波器被配置成覆盖在其中形成有所述光电二极管的部分,
所述滤波器和所述光电二极管独立于其他光电二极管形成为一个单元,以及
包括多个单元的阵列,每个单元是由...

【专利技术属性】
技术研发人员:佐藤大纪满仲健
申请(专利权)人:夏普株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1