电子设备、时间同步系统及时间同步方法技术方案

技术编号:22849176 阅读:153 留言:0更新日期:2019-12-17 23:21
一种电子设备、时间同步系统和时间同步方法。该电子设备包括:信号生成电路和时间调节电路。信号生成电路包括:控制电路,被配置为生成频率控制字;信号调节电路,被配置为接收具有初始频率的输入信号和所述频率控制字,并根据所述频率控制字和所述输入信号生成并输出具有目标频率的输出信号。时间调节电路被配置为基于具有所述目标频率的输出信号对所述电子设备的时钟信号进行同步调节操作。

【技术实现步骤摘要】
电子设备、时间同步系统及时间同步方法
本公开的实施例涉及一种电子设备、时间同步系统和时间同步方法。
技术介绍
在分布式网络信息时代,为了使网络系统中的各个设备实现工作协调一致,信息传输无误,在许多行业中,例如信息技术(informationtechnology,IT)行业的“整点开拍”、“领袖选举”,金融行业的“股市开盘收盘”,通信行业的“同步组网”等业务处理,网络系统中的各个设备的时钟同步十分重要。网络时钟同步技术的关键在于各设备的本地时钟的频率,若该时钟的频率越大,则从网络中同步到本地的时间精度越高,各个设备之间的工作协调性和一致性更好。
技术实现思路
本公开至少一实施例提供一种电子设备,包括:信号生成电路和时间调节电路。信号生成电路包括控制电路和信号调节电路,控制电路被配置为生成频率控制字;信号调节电路被配置为接收具有初始频率的输入信号和所述频率控制字,并根据所述频率控制字和所述输入信号生成并输出具有目标频率的输出信号。所述时间调节电路被配置为基于具有所述目标频率的输出信号对所述电子设备的时钟信号进行同步调节操作。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,所述控制电路被配置为获取晶振漂移的影响参数,并根据所述影响参数生成所述频率控制字。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,信号生成电路还包括参数获取电路,所述参数获取电路被配置为获取所述影响参数。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,所述晶振漂移的影响参数包括温度参数,所述参数获取电路包括温度检测子电路;所述温度检测子电路被配置为检测所述温度参数。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,所述温度检测子电路包括温度检测器和第一计数器,所述温度检测器被配置为检测环境温度,所述温度参数包括所述环境温度,所述第一计数器被配置为根据所述环境温度和参考温度记录频率变化量。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,所述温度参数与所述频率变化量的关系式表示为:Δf=r·ΔTn+p·ΔTn-1+...+d·ΔT+g其中,Δf表示所述频率变化量,r、p、d和g为常数,ΔT表示所述环境温度和所述参考温度的差值,ΔT=T1-T2,T1表示所述环境温度,T2表示所述参考温度;以及所述频率控制字与所述频率变化量的关系式表示为:其中,FN表示所述频率控制字,FTO表示与所述参考温度对应的参考频率控制字,fΔ表示基准时间单位的频率。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,所述晶振漂移的影响参数包括老化参数,所述参数获取电路包括老化读取子电路;所述老化读取子电路被配置为读取晶振源的所述老化参数。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,所述老化读取子电路包括老化读取元件和第二计数器,所述老化读取元件被配置为读取所述晶振源的老化速率,以及读取与所述老化速率相对应的参考时间,所述老化参数包括所述老化速率和所述参考时间,所述第二计数器被配置为记录所述参考时间的数量。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,所述频率控制字与所述老化参数的关系式表示为:FN=FAO·(1+γ)其中,FN表示所述频率控制字,FAO表示参考频率控制字,γ表示所述老化参数的乘积,其中,γ=ν·t,ν表示所述老化速率,t表示所述参考时间,且t为自然数。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,所述信号调节电路包括基准时间单位生成子电路和频率调节子电路,基准时间单位生成子电路被配置为接收具有所述初始频率的所述输入信号,并根据所述初始频率生成并输出基准时间单位;频率调节子电路被配置为根据所述频率控制字和所述基准时间单位生成并输出具有所述目标频率的所述输出信号。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,所述基准时间单位生成子电路包括:压控振荡器,被配置为以预定振荡频率振荡;第一锁相环回路电路,被配置为将所述压控振荡器的输出频率锁定为基准输出频率;K个输出端,被配置为输出K个相位均匀间隔的输出信号,其中,K为大于1的正整数,所述基准输出频率表示为fd,所述基准时间单位是所述K个输出端输出的任意两个相邻的输出信号之间的时间跨度,所述基准时间单位表示为△,并且△=1/(K·fd)。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,所述基准时间单位生成子电路包括:压控延迟器、第二锁相环回路电路和K个输出端,所述压控延迟器包括一个或者多个级联的延时单元,且被配置为根据所述输入信号和所述第二锁相环回路电路的输出信号产生延时信号;所述第二锁相环回路电路被配置为根据所述输入信号和所述延时信号将所述压控延迟器的输出频率锁定为基准输出频率;所述K个输出端,被配置为输出K个相位均匀间隔的输出信号,其中,K为大于1的正整数,述基准输出频率表示为fd,所述基准时间单位是所述K个输出端输出的任意两个相邻的输出信号之间的时间跨度,所述基准时间单位表示为△,并且△=1/(K·fd)。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,所述目标频率表示为:fTAF-DPS=(K·fd)/F其中,fTAF-DPS表示所述目标频率,F表示所述频率控制字。例如,在本公开一实施例提供的电子设备中,所述频率调节子电路包括时间平均频率直接周期合成器。例如,本公开一实施例提供的电子设备还包括频率源,所述频率源被配置为提供具有所述初始频率的输入信号。本公开至少一实施例还提供一种时间同步系统,包括:多个电子设备。所述多个电子设备中的至少一个为根据上述任一项所述的电子设备。本公开至少一实施例还提供一种时间同步方法,应用于根据上述任一项所述的电子设备,所述时间同步方法包括:生成频率控制字;根据所述频率控制字和所述输入信号,生成并输出具有所述目标频率的输出信号;基于具有所述目标频率的输出信号对所述电子设备的时钟信号进行同步调节操作。附图说明为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。图1为一种时钟网络分布的示意图;图2为本公开一实施例提供的一种电子设备的示意性框图;图3为本公开一实施例提供的一种信号生成电路的示意性框图;图4为本公开一实施例提供的一种信号生成电路的另一示意性框图;图5A为本公开一实施例提供一种基准时间单位生成子电路的示意性结构图;图5B为本公开一实施例提供另一种基准时间单位生成子电路的示意性结构图;图6为本公开一实施例提供的一种K个相位均匀间隔的基准输出信号的示意图;图7为本公开一实施例提供的一种频率调节子电路的示意性框图;图8为本公开一实施例提供的一种频率调节子电路的工作原理示意图;图9A为本公开一实施例提供的一种频率调节子电路的结构示意图;图9B为本公开一实施例提供的另一种频率调节子电路的结构示意图;图10为本公开一实施例提供的一种时间同步系统的示意性框图;图11为本公开一实施例提供的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备,包括:信号生成电路和时间调节电路,/n其中,所述信号生成电路包括:/n控制电路,被配置为生成频率控制字;以及/n信号调节电路,被配置为接收具有初始频率的输入信号和所述频率控制字,并根据所述频率控制字和所述输入信号生成并输出具有目标频率的输出信号;/n所述时间调节电路被配置为基于具有所述目标频率的输出信号对所述电子设备的时钟信号进行同步调节操作。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子设备,包括:信号生成电路和时间调节电路,
其中,所述信号生成电路包括:
控制电路,被配置为生成频率控制字;以及
信号调节电路,被配置为接收具有初始频率的输入信号和所述频率控制字,并根据所述频率控制字和所述输入信号生成并输出具有目标频率的输出信号;
所述时间调节电路被配置为基于具有所述目标频率的输出信号对所述电子设备的时钟信号进行同步调节操作。


2.根据权利要求1所述的电子设备,其中,所述控制电路被配置为获取晶振漂移的影响参数,并根据所述影响参数生成所述频率控制字。


3.根据权利要求2所述的电子设备,其中,所述信号生成电路还包括参数获取电路,所述参数获取电路被配置为获取所述影响参数。


4.根据权利要求3所述的电子设备,其中,所述晶振漂移的影响参数包括温度参数,所述参数获取电路包括温度检测子电路;
所述温度检测子电路被配置为检测所述温度参数。


5.根据权利要求4所述的电子设备,其中,所述温度检测子电路包括温度检测器和第一计数器,
所述温度检测器被配置为检测环境温度,所述温度参数包括所述环境温度,
所述第一计数器被配置为根据所述环境温度和参考温度记录频率变化量。


6.根据权利要求5所述的电子设备,其中,所述温度参数与所述频率变化量的关系式表示为:
Δf=r·ΔTn+p·ΔTn-1+...+d·ΔT+g
其中,Δf表示所述频率变化量,r、p、d和g为常数,ΔT表示所述环境温度和所述参考温度的差值,ΔT=T1-T2,T1表示所述环境温度,T2表示所述参考温度;以及
所述频率控制字与所述频率变化量的关系式表示为:



其中,FN表示所述频率控制字,FTO表示与所述参考温度对应的参考频率控制字,fΔ表示基准时间单位的频率。


7.根据权利要求3所述的电子设备,其中,所述晶振漂移的影响参数包括老化参数,所述参数获取电路包括老化读取子电路;
所述老化读取子电路被配置为读取晶振源的所述老化参数。


8.根据权利要求7所述的电子设备,其中,所述老化读取子电路包括老化读取元件和第二计数器,
所述老化读取元件被配置为读取所述晶振源的老化速率,以及读取与所述老化速率相对应的参考时间,所述老化参数包括所述老化速率和所述参考时间,
所述第二计数器被配置为记录所述参考时间的数量。


9.根据权利要求8所述的电子设备,其中,所述频率控制字与所述老化参数的关系式表示为:
FN=FAO·(1+γ)
其中,FN表示所述频率控制字,FAO表示参考频率控制字,γ表示所述老化参数的乘积,其中,γ=ν·t,ν表示所述老化速率,t表示所述参考时...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏祥野
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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