一种功率MOSFET场效应晶体管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种功率MOSFET场效应晶体管，设有栅极、源极和漏极，包括：晶圆层，所述晶圆层的一面设有所述栅极和所述漏极，所述栅极设有朝外的栅极接触部，所述漏极具有朝外的漏极接触部；塑封层，覆盖在所述晶圆层背向所述漏极的一面，所述源极设有背向所述漏极方向延伸穿透所述塑封层的延伸部，所述延伸部背向所述漏极接触部的一面设有源极接触部；所述漏极覆盖在所述晶圆层背向所述塑封层的一面，所述漏极和所述晶圆层具有一连通所述栅极接触部的凹槽。本实用新型专利技术涉及的一种功率MOSFET场效应晶体管具有方便现有的非倒置栅极的功率MOSFET场效应晶体管倒置栅极改造的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种功率MOSFET场效应晶体管
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种功率MOSFET场效应晶体管。
技术介绍
功率MOSFET场效应晶体管(也称功率MOS场效应晶体管)是一种金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effecttransistor)。功率MOSFET场效应晶体管一般包括有源极、栅极和漏极，栅极也称门极，源极也称场效应管，漏极也称场效应晶体管。请参见图1，现有的功率MOSFET场效应晶体管都是源极接触部和栅极接触部在同一侧，漏极接触部在相对的另一侧。但是这种设置在实际应用中发现并不能适应所有场合，在某些希望漏极接触部和栅极接触部在同一侧的应用时非常的不方便。但是重新开发设计制造一种全新倒置栅极的功率MOSFET场效应晶体管成本巨大。
技术实现思路
鉴于上述状况，有必要提供一种方便现有的非倒置栅极的功率MOSFET场效应晶体管倒置栅极改造的功率MOSFET场效应晶体管。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种功率MOSFET场效应晶体管，设有栅极、源极和漏极，包括：晶圆层，所述晶圆层的一面设有所述栅极和所述漏极，所述栅极设有朝外的栅极接触部，所述漏极具有朝外的漏极接触部；塑封层，覆盖在所述晶圆层背向所述漏极的一面，所述源极设有背向所述漏极方向延伸穿透所述塑封层的延伸部，所述延伸部背向所述漏极接触部的一面设有源极接触部；所述漏极覆盖在所述晶圆层背向所述塑封层的一面，所述漏极和所述晶圆层具有一连通所述栅极接触部的凹槽。进一步的，所述栅极和所述源极通过绝缘体成组相连，不同组的所述栅极和所述源极具有间隔。进一步的，所述成组相连的所述栅极和所述源极为两组。进一步的，所述源极接触部连接所述塑封层背向所述漏极的一面，并形成平滑平面。进一步的，所述塑封层为晶圆级塑封层。进一步的，所述延伸部为导电金属。进一步的，所述延伸部为锡球或铜柱。进一步的，所述晶圆层和所述塑封层连接其平行所述源极延伸方向的截面呈矩形。本技术的有益效果在于：漏极和栅极位于同一侧，满足某些场合的需要；漏极直接覆盖在晶圆层上，加工改造方便，接触面大；设置连通栅极接触部的凹槽，方便将现有的源极接触部和栅极接触部在同一侧的现有的非倒置栅极的功率MOSFET场效应晶体管改造成栅极接触部和漏极接触部在同一侧；并且设置了塑封层，一方面对源极和晶圆层进行保护，隔离栅极，另一方面本技术的功率MOSFET场效应晶体管可以由源极和栅极在同一侧的现有的非倒置栅极的功率MOSFET场效应晶体管经过塑封等改造形成，节省了成本；本技术的一种功率MOSFET场效应晶体管方便现有的非倒置栅极的功率MOSFET场效应晶体管进行倒置栅极改造。附图说明图1是现有技术非倒置栅极的功率MOSFET场效应晶体管的结构示意图；图2是本技术实施例的一种功率MOSFET场效应晶体管的结构示意图。标号说明：10、晶圆层；20、栅极；21、栅极接触部；22、凹槽；30、源极；31、源极接触部；32、延伸部；40、漏极；41、漏极接触部；50、绝缘体；60、塑封层。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术一种功率MOSFET场效应晶体管进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。请参见图2，一种功率MOSFET场效应晶体管，设有栅极20、源极30和漏极40，包括：晶圆层10，晶圆层10的一面设有栅极20和漏极40，栅极20设有朝外的栅极接触部21，漏极40具有朝外的漏极接触部41；塑封层60，覆盖在晶圆层10背向漏极40的一面，源极30设有背向漏极40方向延伸穿透塑封层60的延伸部32，延伸部32背向漏极接触部41的一面设有源极接触部31；漏极40覆盖在晶圆层10背向塑封层60的一面，漏极40和晶圆层10具有一连通栅极接触部21的凹槽22。漏极40和栅极20位于同一侧，满足某些场合的需要；漏极40直接覆盖在晶圆层10上，加工改造方便，接触面大；设置连通栅极接触部21的凹槽22，方便将现有的源极接触部31和栅极接触部21在同一侧的现有的非倒置栅极20的功率MOSFET场效应晶体管改造成栅极接触部21和漏极接触部41在同一侧；并且设置了塑封层60，一方面对源极30和晶圆层10进行保护，隔离栅极20，另一方面本技术的功率MOSFET场效应晶体管可以由源极30和栅极20在同一侧的现有的非倒置栅极20的功率MOSFET场效应晶体管经过塑封等改造形成，节省了成本；本技术的一种功率MOSFET场效应晶体管方便现有的非倒置栅极20的功率MOSFET场效应晶体管进行倒置栅极20改造。可以理解的，本技术的功率MOSFET场效应晶体管，可以由非倒置的功率MOSFET场效应晶体管改造形成，也可以重新开模加工制造。一般的，晶圆层10为硅片。请参见图2，栅极20和源极30通过绝缘体50成组相连，不同组的栅极20和源极30具有间隔。优选的，绝缘体50为二氧化硅绝缘体50、玻璃纤维或环氧塑料中的一种。请参见图2，成组相连的栅极20和源极30为两组。栅极20和源极30通过绝缘体50成组相连，并设置为两组，方便使用。请参见图2，源极接触部31连接塑封层60背向漏极40的一面，并形成平滑平面。方便源极接触部31接触，避免外露导致源极接触部31损伤。优选的，塑封层60为晶圆级塑封层60。晶圆级塑封层60在这些电路微结构体的上面就形成了一个带有密闭空腔的保护体(硅帽)，可以避免器件在以后的工艺步骤中遭到损坏，也保证了晶片的清洁和结构体免受污染。这种方法使得微结构体处于真空或惰性气体环境中，因而能够提高器件的品质。它是一种常用的提高硅片集成度的方法，具有降低测试和封装成本，降低引线电感，提高电容特性，改良散热通道，降低贴装高度等优点。优选的，延伸部32为导电金属。延伸部为导电金属，导电性能强，且不易磨损。优选的，延伸部32为锡球或铜柱。延伸部32可以使用植球处理或者电镀铜柱形成，方便加工。请参见图2，晶圆层10和塑封层60连接其平行所述源极延伸方向的截面呈矩形。方便加工和使用。综上所述，本技术的一种功率MOSFET场效应晶体管，漏极和栅极位于同一侧，满足某些场合的需要；漏极直接覆盖在晶圆层上，加工改造方便，接触面大；设置连通栅极接触部的凹槽，方便将现有的源极接触部和栅极接触部在同一侧的现有的非倒置栅极的功率MOSFET场效应晶体管改造成栅极接触部和漏极接触部在同一侧；并且设置了塑封层，一方面对源极和晶圆层进行保护，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率MOSFET场效应晶体管，设有栅极、源极和漏极，其特征在于，包括：/n晶圆层，所述晶圆层的一面设有所述栅极和所述漏极，所述栅极设有朝外的栅极接触部，所述漏极具有朝外的漏极接触部；/n塑封层，覆盖在所述晶圆层背向所述漏极的一面，所述源极设有背向所述漏极方向延伸穿透所述塑封层的延伸部，所述延伸部背向所述漏极接触部的一面设有源极接触部；/n所述漏极覆盖在所述晶圆层背向所述塑封层的一面，所述漏极和所述晶圆层具有一连通所述栅极接触部的凹槽。/n

【技术特征摘要】
1.一种功率MOSFET场效应晶体管，设有栅极、源极和漏极，其特征在于，包括：
晶圆层，所述晶圆层的一面设有所述栅极和所述漏极，所述栅极设有朝外的栅极接触部，所述漏极具有朝外的漏极接触部；
塑封层，覆盖在所述晶圆层背向所述漏极的一面，所述源极设有背向所述漏极方向延伸穿透所述塑封层的延伸部，所述延伸部背向所述漏极接触部的一面设有源极接触部；
所述漏极覆盖在所述晶圆层背向所述塑封层的一面，所述漏极和所述晶圆层具有一连通所述栅极接触部的凹槽。


2.根据权利要求1所述的一种功率MOSFET场效应晶体管，其特征在于，所述栅极和所述源极通过绝缘体成组相连，不同组的所述栅极和所述源极具有间隔。


3.根据权利要求2所述的一种功率MOSFET场效应晶体管，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：许胜，
申请(专利权)人：深圳淇诺科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44