用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路，包括衬底限流电阻R2、驱动NMOS管、限流电阻R1、内部电路，所述驱动NMOS管的源极连接到地线且漏极连接到输出端，所述驱动NMOS管的衬底通过所述衬底限流电阻R2连接到所述驱动NMOS管的源极上，所述内部电路通过限流电阻R1连接到电源。本实用新型专利技术在MOS管的衬底通过一个衬底限流电阻连接到源端，以及内部电路通过限流电阻R1供电，使得当电源线与地线接反时可以大幅度降低功耗，从而防止电路被烧毁。正常使用时所述驱动NMOS管的衬底与源端之间的衬底限流电阻R2不会过大增加驱动NMOS管源端与漏端之间的阻值，以及适当选取限流电阻，使得本实用新型专利技术的驱动电路在很低的电压下即可启动工作。

The driving circuit used for low starting voltage of buzzer to prevent the power supply and ground from being backfired

【技术实现步骤摘要】
用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路
本技术涉及一种蜂鸣器电路领域，具体涉及一种用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路。
技术介绍
传统的防止电源线与地线接反而造成芯片烧毁的电路，如图1所示。为在内部电路和驱动驱动NMOS管串联一个二极管D，当电源线与地线接反时，即芯片的电源线被误接到地线，芯片的地线被误接到电源线，二极管D反偏，处于截止状态，从而达到防止电源线与地线接反而造成芯片烧毁的目的。这种电路的缺点是：正常工作时，芯片的启动电压要比没有二极管D时高一个二极管正向导通电压。
技术实现思路
本技术提供一种用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路，以解决现有技术在防止电源线与地线接反而造成芯片烧毁时存在的抬高驱动电路启动电压的问题。为解决上述技术问题，如图2所示，本技术提供一种用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路，包括衬底限流电阻R2、限流电阻R1、驱动NMOS管、内部电路，所述驱动NMOS管的源极连接到地线且漏极连接到输出端，输出端外接蜂鸣器的电磁线圈，所述驱动NMOS管的衬底通过所述衬底限流电阻R2连接到所述驱动NMOS管的源极上，所述内部电路通过限流电阻R1连接到电源，即内部电路通过限流电阻R1供电，所述内部电路为频率修正模块、振荡器、分频器等与本驱动电路所述模块在同一芯片的电路模块。优选的，所述衬底限流电阻R2为寄生的衬底电阻，增加所述驱动NMOS管与衬底接触与所述驱动NMOS管漏端之间的距离，一般为大于设计规则的最小值的二倍以上，以提高所述衬底寄生限流电阻的阻值。优选的，所述衬底限流电阻R2使用二极管来代替，所述代替的二极管连接于所述驱动NMOS管的衬底与源极之间，或者连接于所述驱动NMOS管的衬底与地线之间。优选的，所述衬底限流电阻R2为寄生的衬底电阻与集成电路电阻串联连接。优选的，所述内部电路与电源之间的所述限流电阻R1至少为一个。优选的，当所述限流电阻R1为多个时，每个所述限流电阻R1分别对应不同的内部电路。本技术带来的有益效果：本技术在驱动NMOS管的衬底通过一个衬底限流电阻连接到源端，或者通过增大驱动NMOS管的寄生衬底电阻的阻值，以及内部电路通过限流电阻供电，使得当电源线与地线接反时可以大幅度降低功耗，从而防止电路被烧毁。增加所述驱动NMOS管与衬底接触与所述驱动NMOS管漏端之间的距离，以提高所述寄生衬底限流电阻的阻值，这个衬底限流电阻可以是寄生电阻或者集成电路电阻与寄生电阻的组合。正常使用时所述驱动NMOS管的衬底与源端之间的衬底限流电阻不会过大增加驱动NMOS管源端与漏端之间的电阻阻值，以及适当选取连接到电源与内部电路之间的限流电阻，使得本技术的驱动电路在很低的电压下即可启动工作。附图说明图1
技术介绍
中蜂鸣器的电路示意图。图2是根据本技术的电路结构示意图。图3是根据本技术第二实施例的用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路的结构示意图。图4是根据本技术第三实施例的用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路的结构示意图。图5是根据本技术实施例的增大衬底限流电阻的示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下结合附图及具体实施例，对本技术作进一步地详细说明。如图2所示，本技术提供一种用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路，包括衬底限流电阻R2、限流电阻R1、驱动NMOS管、内部电路，所述驱动NMOS管的源极连接到地线且漏极连接到输出端，输出端外接蜂鸣器的电磁线圈，所述驱动NMOS管的衬底通过所述衬底限流电阻R2连接到所述驱动NMOS管的源极上，所述内部电路通过限流电阻R1连接到电源，即内部电路通过限流电阻R1供电。优选的，所述衬底限流电阻R2为寄生的衬底电阻，增加所述驱动NMOS管与衬底接触与所述驱动NMOS管漏端之间的距离，会增大衬底寄生电阻阻值，从而增加所述的衬底限流电阻，一般为大于设计规则的最小值二倍以上。距离越大，阻值越大。优选的，所述衬底限流电阻R2使用二极管来代替，所述代替的二极管连接于所述驱动NMOS管的衬底与源极之间，或者连接于所述驱动NMOS管的衬底与地线之间。优选的，所述衬底限流电阻R2为寄生的衬底电阻与集成电路电阻串联连接。优选的，所述内部电路与电源之间的所述限流电阻R1至少为一个。优选的，当所述限流电阻R1为多个时，每个所述限流电阻分别对应不同的内部电路。所述内部电路为频率修正模块、振荡器、分频器等与本驱动电路所述模块在同一芯片的电路模块。一般除端口电路和ESD保护电路外，内部电路供电由电源通过限流电阻R1提供，因为内部电路工作时电流不大，限流电阻R1的阻值也不是太大，所以限流电阻R1上的电压也不大，从而不会降低整个电路正常工作的启动电压。假设限流电阻R1为1000欧姆，电流为0.1毫安，则限流电阻R1上的压降为0.1伏，这个电压远远小于二极管的正向导通压降典型值0.7伏，当电源电压为5伏时，如果电源线与地线接反，则流过限流电阻R1与内部电路的功耗为25毫瓦，这不会对芯片电路造成烧毁烧毁，同时如果电源线与地线接反，所述驱动NMOS管的衬底到漏极的通路经过衬底限流电阻进行限流，也降低了功耗，这不会对芯片电路造成烧毁烧毁。第一实施例：如图3所示，本技术提供的一种用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路，包括限流电阻R1、限流电阻R2、限流电阻R3、内部电路1、内部电路2、内部电路3、衬底限流电阻R4、驱动NMOS管。其中，所述驱动NMOS管的源极连接到地线且漏极连接到输出端，输出端外接蜂鸣器的电磁线圈，所述驱动NMOS管的衬底通过所述衬底限流电阻R4连接到所述MOS管的源极上，所述内部电路1通过限流电阻R1连接到电源，所述内部电路2通过限流电阻R2连接到电源，所述内部电路3通过限流电阻R3连接到电源，即内部电路通过限流电阻供电。当电源线与地线接反时，内部电路分别通过限流电阻R1、限流电阻R2、限流电阻R3进行限流来降低功耗，从而防止芯片烧毁，所述驱动NMOS管的衬底到漏极的通路经过衬底限流电阻R4进行限流，也降低了功耗，从而不会对芯片电路造成烧毁。第二实施例：如图4所示，本技术提供的一种用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路，包括限流电阻R1、内部电路、二极管、驱动NMOS管，所述驱动NMOS管的源极连接到地线且漏极连接到输出端，输出端外接蜂鸣器的电磁线圈，所述驱动NMOS管的衬底通过所述二极管连接到所述驱动NMOS管的源极，或者驱动NMOS管的衬底通过所述二极管连接到地线，所述内部电路通过限流电阻R1连接到电源，即内部电路通过限流电阻R1供电。当电源线与地线接反时，内部电路通过限流电阻R1进行限流来降低功耗，从而防止芯片烧毁，所述驱动NMOS管的衬底到漏极的通路经本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路，其特征在于，包括衬底限流电阻R2、限流电阻R1、驱动NMOS管、内部电路，所述驱动NMOS管的源极连接到地线且漏极连接到输出端，输出端外接蜂鸣器的电磁线圈，所述驱动NMOS管的衬底通过所述衬底限流电阻R2连接到所述驱动NMOS管的源极上，所述内部电路通过限流电阻R1连接到电源，即内部电路通过限流电阻R1供电，所述内部电路为频率修正模块、振荡器、分频器等与本驱动电路所述模块在同一芯片的电路模块。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路，其特征在于，包括衬底限流电阻R2、限流电阻R1、驱动NMOS管、内部电路，所述驱动NMOS管的源极连接到地线且漏极连接到输出端，输出端外接蜂鸣器的电磁线圈，所述驱动NMOS管的衬底通过所述衬底限流电阻R2连接到所述驱动NMOS管的源极上，所述内部电路通过限流电阻R1连接到电源，即内部电路通过限流电阻R1供电，所述内部电路为频率修正模块、振荡器、分频器等与本驱动电路所述模块在同一芯片的电路模块。


2.如权利要求1所述的用于蜂鸣器低启动电压防止电源与地接反烧毁的驱动电路，其特征在于，所述衬底限流电阻R2为寄生的衬底电阻，增加所述驱动NMOS管与衬底接触与所述驱动NMOS管漏端之间的距离，一般为大于设计规则的最小值的二倍以上，以提高所述衬底限流电阻R2的阻值。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张怀东，
申请(专利权)人：无锡天极芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32