像素驱动电路及其驱动方法、阵列基板以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种像素驱动电路、阵列基板、显示装置及像素驱动电路的驱动方法，像素驱动电路包括：驱动开关单元的控制端与数据输入开关单元的第一端连接，驱动开关单元的第一端与发光器件的阳极连接，存储电容的两端分别与驱动开关单元的控制端和发光器件的阳极连接，本征电容的两端分别与发光器件的阴极和阳极连接，复位开关单元的第一端与发光器件的阳极连接，复位开关单元的第二端与发光器件的阴极连接，本征电容的电容值大于或等于预设倍数的存储电容的电容值，像素驱动电路的阈值电压侦测阶段时长大于或等于预设时长。本发明专利技术不仅可以补偿驱动开关单元的阈值电压和迁移率漂移，并可以有效简化像素驱动电路结构。

Pixel driving circuit and driving method, array substrate and display device

【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路及其驱动方法、阵列基板以及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种像素驱动电路、一种阵列基板、一种显示装置和一种像素驱动电路的驱动方法。
技术介绍
AMOLED(Active-MatrixOrganicLightEmittingDiode，主动矩阵有机发光二极体)面板具有对比度高，可视角度广以及响应速度快等优点，AMOLED面板有望取缔液晶面板成为下一代显示器的主流选择。由于OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极体)产品需要EL(Electroluminescent，电致发光)器件进行发光，EL器件所需发光电流需要由驱动晶体管提供，为了OLED产品发光的均匀性，必须提高驱动晶体管特性的一致性，因此，补偿驱动晶体管的阈值电压和迁移率漂移产生的电流差异变得尤为重要。现有技术中的像素驱动电路如图1所示，图1所示的像素驱动电路有其固定的驱动时序，图1所示的像素驱动电路能够补偿驱动晶体管DrT’的阈值电压和迁移率漂移产生的电流差异。但是，现有技术中的像素驱动电路还存在以下缺点：像素驱动电路需要通过Senseline(感测信号线)引入Vinitial复位信号提供给晶体管Q1’的源极，使得像素驱动电路的结构复杂，导致应用该像素驱动电路的OLED产品的面积大，不利于实现窄边框的OLED产品。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术实施例的目的在于提供一种像素驱动电路、一种阵列基板、一种显示装置和一种像素驱动电路的驱动方法，以解决现有技术中的像素驱动电路结构复杂的问题。为了解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种像素驱动电路，应用于阵列基板，所述像素驱动电路包括数据输入开关单元、驱动开关单元、复位开关单元、发光器件、存储电容以及本征电容，所述驱动开关单元的控制端与所述数据输入开关单元的第一端连接，所述驱动开关单元的第一端与所述发光器件的阳极连接，所述存储电容的两端分别与所述驱动开关单元的控制端和所述发光器件的阳极连接，所述本征电容的两端分别与所述发光器件的阴极和阳极连接，所述复位开关单元的第一端与所述发光器件的阳极连接，所述复位开关单元的第二端与所述发光器件的阴极连接，所述本征电容的电容值大于或等于预设倍数的所述存储电容的电容值，所述像素驱动电路的阈值电压侦测阶段时长大于或等于预设时长。可选地，所述阵列基板包括辅助阴极，所述复位开关单元的第二端通过所述辅助阴极与所述发光器件的阴极连接。可选地，所述复位开关单元为第一开关管，所述辅助阴极与所述第一开关管的第一极和第二极同层设置。可选地，所述本征电容的电容值大于或等于8倍的所述存储电容的电容值。可选地，所述像素驱动电路的阈值电压侦测阶段时长大于或等于15us。可选地，所述数据输入开关单元、所述驱动开关单元以及所述复位开关单元为NTFT管。第一方面，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，包括：阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括所述的像素驱动电路。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括所述的阵列基板。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种根据所述的像素驱动电路的驱动方法，包括复位阶段、阈值电压侦测阶段、数据写入和补偿阶段以及发光阶段，其中，在所述复位阶段，开启所述复位开关单元和所述数据输入开关单元，通过所述复位开关单元和所述数据输入开关单元开启所述驱动开关单元，以对所述驱动开关单元进行复位；在所述阈值电压侦测阶段，关闭所述复位开关单元，通过所述数据输入开关单元和所述本征电容侦测所述驱动开关单元的阈值电压后，关闭所述驱动开关单元；所述阈值电压侦测阶段时长大于或等于预设时长；在所述数据写入和补偿阶段，通过所述数据输入开关单元输入数据信号，开启所述驱动开关单元，所述本征电容对所述驱动开关单元的阈值电压和迁移率进行补偿；在所述发光阶段，关闭所述数据输入开关单元，通过所述驱动开关单元驱动所述发光器件发光。本专利技术实施例包括以下优点：设置像素驱动电路包括数据输入开关单元、驱动开关单元、复位开关单元、发光器件、存储电容以及本征电容，驱动开关单元的控制端与数据输入开关单元的第一端连接，驱动开关单元的第一端与发光器件的阳极连接，存储电容的两端分别与驱动开关单元的控制端和发光器件的阳极连接，本征电容的两端分别与发光器件的阴极和阳极连接，复位开关单元的第一端与发光器件的阳极连接，复位开关单元的第二端与发光器件的阴极连接，本征电容的电容值大于或等于预设倍数的存储电容的电容值，像素驱动电路的阈值电压侦测阶段时长大于或等于预设时长。本专利技术实施例不仅可以补偿驱动开关单元的阈值电压和迁移率漂移，且由于复位开关单元的第二端与发光器件的阴极连接，复位开关单元无需Vinitial复位信号即可以对驱动开关单元进行复位，使得像素驱动电路无需引入Vinitial复位信号来提供给复位开关单元的第二端，即像素驱动电路无需设置感测信号线来提供Vinitial复位信号，从而有效简化了像素驱动电路结构，便于实现窄边框高PPI(PixelsPerInch，每英寸所拥有的像素数目)显示的OLED产品。附图说明图1是现有技术中的像素驱动电路的结构示意图；图2是本专利技术的一种像素驱动电路实施例的结构示意图；图3是本专利技术的一种像素驱动电路实施例中辅助阴极在阵列基板上的截面示意图；图4是本专利技术的一种像素驱动电路实施例在阵列基板上的平面版图；图5是图2所示像素驱动电路对应的驱动时序示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。参照图2，其示出了本专利技术的一种像素驱动电路实施例的结构示意图，该像素驱动电路应用于阵列基板，如图2所示，像素驱动电路包括数据输入开关单元、驱动开关单元、复位开关单元、发光器件、存储电容以及本征电容，驱动开关单元的控制端与数据输入开关单元的第一端连接，驱动开关单元的第一端与发光器件的阳极连接，存储电容的两端分别与驱动开关单元的控制端和发光器件的阳极连接，本征电容的两端分别与发光器件的阴极和阳极连接，复位开关单元的第一端与发光器件的阳极连接，复位开关单元的第二端与发光器件的阴极连接，本征电容的电容值大于或等于预设倍数的存储电容的电容值，像素驱动电路的阈值电压侦测阶段时长大于或等于预设时长。图2中，数据输入开关单元的控制端接收第一扫描信号G1，数据输入开关单元的第二端连接数据信号线Data，数据输入开关单元配置为响应于第一扫描信号G1传输数据信号线Data上的复位电压Vref和数据信号Vdata；驱动开关单元的控制端与数据输入开关单元的第一端之间具有第一节点J1，驱动开关单元的控制端与第一节点J1连接，驱动开关单元的第二端连接电源VDD，驱动开关单元配置为生成驱动发光器件EL发光的驱动电流Ids；发光器件EL的阳极与驱动开关单元的第一端之间具有第二节点J2，发光器件EL的阳极与第二节点J2连接，发光器件E本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素驱动电路，应用于阵列基板，其特征在于，所述像素驱动电路包括数据输入开关单元、驱动开关单元、复位开关单元、发光器件、存储电容以及本征电容，所述驱动开关单元的控制端与所述数据输入开关单元的第一端连接，所述驱动开关单元的第一端与所述发光器件的阳极连接，所述存储电容的两端分别与所述驱动开关单元的控制端和所述发光器件的阳极连接，所述本征电容的两端分别与所述发光器件的阴极和阳极连接，所述复位开关单元的第一端与所述发光器件的阳极连接，所述复位开关单元的第二端与所述发光器件的阴极连接，所述本征电容的电容值大于或等于预设倍数的所述存储电容的电容值，所述像素驱动电路的阈值电压侦测阶段时长大于或等于预设时长。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，应用于阵列基板，其特征在于，所述像素驱动电路包括数据输入开关单元、驱动开关单元、复位开关单元、发光器件、存储电容以及本征电容，所述驱动开关单元的控制端与所述数据输入开关单元的第一端连接，所述驱动开关单元的第一端与所述发光器件的阳极连接，所述存储电容的两端分别与所述驱动开关单元的控制端和所述发光器件的阳极连接，所述本征电容的两端分别与所述发光器件的阴极和阳极连接，所述复位开关单元的第一端与所述发光器件的阳极连接，所述复位开关单元的第二端与所述发光器件的阴极连接，所述本征电容的电容值大于或等于预设倍数的所述存储电容的电容值，所述像素驱动电路的阈值电压侦测阶段时长大于或等于预设时长。


2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述阵列基板包括辅助阴极，所述复位开关单元的第二端通过所述辅助阴极与所述发光器件的阴极连接。


3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述复位开关单元为第一开关管，所述辅助阴极与所述第一开关管的第一极和第二极同层设置。


4.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述本征电容的电容值大于或等于8倍的所述存储电容的电容值。


5.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述像素驱动电路的阈值电压侦测阶...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁志东，金台镇，李永谦，孙林，焦超，袁粲，丁泽华，冯雪欢，李蒙，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方卓印科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11